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EMBASE. MICROFIT. COUDE. SR. ETAIN 3 V; Série:MicroFit; Pas:3mm; Terminaison du contact:A souder; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Montage connecteur:CI; Genre:Connecteur mâle; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Etain; Contact Type:Broche; Courant:5A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:CI; Tension c.a.:250V; Tension, fonctionnement:250 CONTACT MICROFIT. 20 - 24 AWG. PQT100; Série:MicroFit; Genre du contact:Broche; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Terminaison du contact:A sertir; Wire Size (AWG):24AWG 20AWG; Connector Type:Contact, A sertir; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Couleur:Etain; Courant:5A; Diamètre, câble max..:1.65mm; Diamètre, câble min.:1.65mm; Genre:Connecteur mâle; Méthode de terminaison:A sertir; Numéro AWG:20AWG; Numéro AWG max..:24AWG; Numéro AWG EMBASE. MICROFIT. COUDE. SR. ETAIN 4 V; Série:MicroFit; Pas:3mm; Terminaison du contact:A souder; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:1; Montage connecteur:CI; Genre:Connecteur mâle; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Etain; Contact Type:Broche; Courant:5A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de pâles:4; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:CI; Tension c.a.:250V; Tension, fonctionnement:250 MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1.2mm; Durée de vie, mécanique:30000000; Durée d MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.37N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:7A; Courant de contact c.c. max.:7A; Courant de contact max.:7A; Course min:0.1mm; Durée de vie, mécanique:50000; Durée de vie, électrique:50000; Déplacement, différentiel:0.15mm; Entraxe de fixation:4.8 MICROMATCH. 4 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:4; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:4; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 8 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:8; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:8; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 18 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:18; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:18; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen DIODE SCHOTTKY MICROWAVE; Configuration diode:Dual, Series; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:0.3pF; Config. Brochage:B; Courant, If moy.:100mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8.0mm; Marquage, CMS:T2; Tension Vr max..:4V; Tension, Vrrm:4V; Tension, claquage:4V; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de UNIVERSAL HOLDER, FOR MICROMOT; Largeur des machoires:60mm; Type d'étau:Etabli KIT DE TEST MICRO; Tension:60VDC; Contenu du kit:2 x Clamp Type Test Probe, 2 x Test Probe, Miniature Crocodile Clip, 2 x Test Lead; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Kit; Couleur:Noir / Rouge; Série:PMS 0,64; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:-15°C; Tension VDC:60V; Type de montage:Câble MICROMATCH. 10 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:10; Pas:1.27mm; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:10; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de f MICROMATCH. 12 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:12; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:12; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 12 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:12; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:12; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 14 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:14; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:14; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 14 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:14; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:14; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 16 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:16; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:16; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 20 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:20; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:20; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMETRE; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie:4000h; Force, mesure max..:10N; Force, mesure min.:6N; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.001mm; Poids:290g; Précision mm / pouces:è… 0.001mm / 0.00005''; Résolution:0.001mm / 0.00005'' ADAPTOR, MICROMOT; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Puissance:24VA; Gamme tension entrée VAC:220V 240V; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:2A; Approval Bodies:CE; Largeur (externe):185mm; Longueur/hauteur:80mm; Nombre de canaux de sortie:1; Profondeur:95mm; Tension d'entrée:220V AC 240V AC; Tension d'entrée:220V AC 240V AC; Tension, alimentation:220V; Tension, alimentation max..:240V; Tension, alimentation min.:220V; Type de montage:Bureau; Type de sortie:Fixe MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROPHONE, DISCRETE; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:300ohm; Réponse en fréquence, limite basse:30Hz; Réponse en fréquence, limite haute:17kHz; Sensibilité:2.3mV/Pa at 1kHz; Connector Type:XFP; Device Type:Microphone électret; Diamètre:30mm; Fréquence, fonctionnement max..:17kHz; Impédance:300ohm; Longueur/hauteur:70mm; Niveau de bruit:110dB; Poids:90g; Transducer Function:Microphone MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1.2mm; Durée de vie, mécanique:30000000; MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.5mm; Durée de vie, mécanique:30000000; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.1m RELAIS REED MICROSIL 5VCC; Tension, bobine c.c. nom.:5V; Résistance, bobine:280ohm; Courant de commutation:500mA; Tension de commutation:200V; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:6.8mm; Largeur (externe):15.2mm; Profondeur:3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact:1A; Courant de contact c.a. max.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant, Commutation max..:500mA; Force diélectrique, Vca:1500VDC; L RELAIS REED MICROSIL 12VCC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Résistance, bobine:700ohm; Courant de commutation:500mA; Tension de commutation:200V; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:6.8mm; Largeur (externe):15.2mm; Profondeur:3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact:1A; Courant de contact c.a. max.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant, Commutation max..:500mA; Force diélectrique, Vca:1500VDC; MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2048 x 16; Taille mémoire, RAM:232Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Configuration mé MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:NDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configuratio MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:NDIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Config MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROMATCH. 4 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:4; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:4; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 6 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:6; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:6; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 6 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:6; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:6; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 10 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:10; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:10; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 10 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:10; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:10; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 16 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:16; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:16; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 20 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:20; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:20; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec BLOW TORCH, BURNER, MICROFLAME; Température, max..:1300°C; Temps de fonctionnement:120min; Capacité du reservoir:50cc; Poids:250g; Capacité:50ml; Durée de vie:2h; Gas Type:Butane MICROCONTROLEUR CMOS OTP 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OT MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'u MICROMATCH. 8 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:8; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:8; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:- MICROMATCH. 8 VOIES. 250MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:8; Longueur de câble - Impérial:9.84''; Longueur de câble - Métrique:250mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:250mm; Longueur câble:250mm; Nombre de voies:8; Pas:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Températur MICROMATCH. 16 VOIES. 100MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:16; Longueur de câble - Impérial:3.94''; Longueur de câble - Métrique:100mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:100mm; Longueur câble:100mm; Nombre de voies:16; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 18 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:18; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:18; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen MICROMATCH. 20 VOIES. 150MM; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Nbre de conducteurs:20; Longueur de câble - Impérial:5.91''; Longueur de câble - Métrique:150mm; Type de câble assemblé:Picoflex et nappe; Connecteur type A:Micro-Match Male; Connecteur type B:Micro-Match Male; Courant:1.5A; Courant de contact:1.5A; Longueur cordon:150mm; Longueur câble:150mm; Nombre de voies:20; Pas:1.27mm; Pas d'espacement:1.27mm; Série:Micro-MaTch; Température de fonctionnemen RELAIS REED MICROSIL 12VCC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Résistance, bobine:700ohm; Courant de commutation:500mA; Tension de commutation:200V; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:6.8mm; Largeur (externe):15.2mm; Profondeur:3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact:1A; Courant de contact c.a. max.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant, Commutation max..:500mA; Force diélectrique, Vca:1500VDC; MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICRO COMPOUND TABLE; Ecartement des machoires:134mm; Hauteur:43mm; Largeur (externe):70mm; Longueur:200mm; Ouverture de machoire par défaut max.:46mm MICRO MILLER, EURO PLUG, 240V, 100W; Tension d'alimentation Vac:240V; Puissance, entrée:100W; Vitesse de rotation:20000t/min; Type de fiche d'alimentation:Euro; Hauteur:340mm; Largeur (externe):130mm; Longueur:225mm; Poids:7kg AMPLIFIER, UNIVERSAL, (MICRO); SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125 MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempé MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:16384 x 16; Taille mémoire, RAM:902Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Confi MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:PROM OTP 512 octe MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS FLASH; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5 Kb; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V, 3.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR CMOS OTP 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1Kb OTP PROM; Configuratio MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS + CAN 12 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:62KB; Taille EEPROM:62KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16.77MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, PSM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:52; RELAIS REED MICROSIL 5VCC; Tension, bobine c.c. nom.:5V; Résistance, bobine:280ohm; Courant de commutation:500mA; Tension de commutation:200V; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:6.8mm; Largeur (externe):15.2mm; Profondeur:3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact:1A; Courant de contact c.a. max.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant, Commutation max..:500mA; Force diélectrique, Vca:1500VDC; L MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1Kb OTP PROM; C MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125 MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:PROM OTP 5 MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PR MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR DSPIC 16 BITS 20MIPS CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire, FLASH:144KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:896 Byte; Taille mémoire, RAM:80Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configura MICROCONTROLEUR CMOS OTP 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICRO 8 BITS 8051 FLASH CAN 89C51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempéra MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89C51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:VQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89C55; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:20KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 89C55 DIP40; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:20 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microproces MICRO 8 BITS FLASH 89S2051 DIP20; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICRO 8 BITS FLASH 89S4051 DIP20; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICRO 8 BITS FLASH 89S8253 DIP40; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:12 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:18MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caracté MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3.79KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températ MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS FLASH; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5 Kb; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V, 3.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTROLEUR 32BIT CMS ARM FLASH; contrôleur Famille / Série:(ARM7) STR7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:256 Kbytes; Taille EEPROM:16KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, RTC; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 AMPLI OP MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:35MHz; Vitesse de balayage:0.01V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 36V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Micro-puissance, alimentation simple; Gain, bande-passante -3dB:35kHz; Numéro de la fonction logique:251; Numéro générique:251; Racine de la réfé MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:896B; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme: 4 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:902Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti MICRO 8 BITS 32K FLASH USB CTRL 52PLCC; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89C51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation m MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S52; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation m MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S52; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation m MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 89S52 DIP40; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S8253; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:12 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fon MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u MICROCONTROLEUR CMOS 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS OTP 2K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/cont MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 2K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleu MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn AMPLI OP CMS MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:430kHz; Vitesse de balayage:0.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 36V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:430kHz; Numéro de la fonction logique:244; Numéro générique:244; Racine de la référence:244; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 89S51 DIP40; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S8253; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:12KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tem AMPLI OP MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:430kHz; Vitesse de balayage:0.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 36V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:micro-puissance; Courant, alimentation max.:40è¾A; Gain, bande-passante -3dB:430kHz; Numéro de la fonction logique:244; Numéro générique:244; Raci MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 8032FLASHPLD; contrôleur Famille / Série:(8032) uPSD; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:288KB; Taille EEPROM:32KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROPHONE, HEADSET & SWIVEL BOOM MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 2K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:ADC, Timer; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesse MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/Reado MICROCONTROLEUR FLASH QFP64 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa MICROCONTROLEUR FLASH SOIC20 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'ut MICROCONTROLEUR FLASH QFP100 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, SVS, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR FLASH QFP64 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, LCD Driver, SVS, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS FLASH; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS USB/LOGIC; contrôleur Famille / Série:(8032) uPSD; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:288KB; Taille EEPROM:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 32BIT CMS ARM FLASH; contrôleur Famille / Série:(ARM7) STR7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:256 Kbytes; Taille EEPROM:16KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, RTC; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR FLASH QFP64 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti MICRO 8 BITS 8051 FLASH CAN 89C51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempéra MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89C51; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S2051; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICRO 8 BITS 8051 FLASH CMS 89S4051; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f AMPLI OP MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:35MHz; Vitesse de balayage:0.01V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 36V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Micro-puissance, alimentation simple; Gain, bande-passante -3dB:35kHz; Numéro de la fonction logique:241; Numéro générique:241; Racine de la réfé RESIST. MICRO-ONDES 50R 0402; Puissance:50mW; Résistance:50ohm; Tolérance de résistance:è… 0.1%; Coefficient de température:è… 25ppm/°C; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Tension:30V; Type de boîtier de résistance:0402; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Type de boîtier:0402; Type de résistance:Couche mince RESIST. MICRO-ONDES 100R 0402; Puissance:50mW; Résistance:100ohm; Tolérance de résistance:è… 0.1%; Coefficient de température:è… 25ppm/°C; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Tension:30V; Type de boîtier de résistance:0402; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Type de boîtier:0402; Type de résistance:Couche mince RESIST. MICRO-ONDES 500R 0402; Puissance:50mW; Résistance:500ohm; Tolérance de résistance:è… 0.1%; Coefficient de température:è… 25ppm/°C; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Tension:30V; Type de boîtier de résistance:0402; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Type de boîtier:0402; Type de résistance:Couche mince MICRO SUB-D MALE 15P; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteu MICRO SUB-D MALE 37P; Connecteur type A:37 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:37; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:37 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteu MICRO SUB-D FEMELLE 37P; Connecteur type A:37 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:37; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:37 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Em MICRO SUB-D MALE 25P; Connecteur type A:25 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Connecteur type A:25 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteur mâle; Inflammabilité:UL94V-0; Insul MICRO SUB-D FEMELLE 25P; Connecteur type A:25 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:25 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Em MICRO SUB-D MALE 9P; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteur mâ MICRO SUB-D MALE 15P; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteu MICRO SUB-D FEMELLE 51P; Connecteur type A:51 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:51; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:51 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Em BORNIER TERRE. DIN. MICRO; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:9mm; Nombre de contacts:2; Wire Size (AWG):22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Largeur (externe):27.5mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de pâles:2; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:22AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Taille de fil, mm2 max..:4mmË›; Taille de fil, mm2 min.:0.5mmË›; Type de borne: visser MICROCONTROLEUR FLASH SOIC28 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa MICROCONTROLEUR FLASH TSSOP28 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utili MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température BUTEE MICRO; Série:EW 15; Type d'accessoire:End Cover; A utiliser avec:Terminal Blocks; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, DAC, OPA, PSM, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' PLIER, MICRO CUTTING, 130MM; Longueur, hors tout:130mm; Type de cutter:Latéral; Cut Type:Encastré; Capacité de coupe:1.3mm; Angle de la lame:21°; Capacité de coupe, cuivre:1.3mm; Handle Type:Caoutchouc plastique thermique; Longueur:130mm; Longueur, lame:8mm; Matière:Carbon Steel MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Ca MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:- MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DFNS; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:84; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTR 16 BITS FLASH 256K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH ADC CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LED Drive; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS W PLL ADC CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH A/D CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH A/D CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 16 BITS 128K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2048Byte; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:11 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCOMMUTATEUR V3 LEVER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.7N; Terminaisons commutateur:Lead; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:6A; Courant de contact max.:5A; Durée de vie, mécanique:10000000; Déplacement, différentiel:1mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; Force de relache:0.43N MICROCOMMUTATEUR V3 ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT-1NC / 1NO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:3.9N; Terminaisons commutateur:Lead; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPDT-1NC / 1NO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:6A; Courant de contact max.:5A; Durée de vie, mécanique:10000000; Déplacement, différentiel:0.4mm; Entraxe de fixation, L x l MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LFCSP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de b MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LFCSP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broche MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:30; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:30; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICRO SUB-D MALE 51P; Connecteur type A:51 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:51; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:51 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Connecteu MICRO SUB-D FEMELLE 15P; Connecteur type A:15 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Taille du conducteur AWG:26AWG; Longueur de câble - Impérial:1.48ft; Longueur de câble - Métrique:450mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Chromate jaune, cadmié; Connecteur type A:15 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:3A; Genre:Em MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:12288Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 64K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:67; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:14336Byte; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; SVH MICROCONTROLEUR 32 BITS CMS COLDFIRE V2; contrôleur Famille / Série:ColdFire; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:55; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTRO 16 BITS FLASH 64K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, RTCC, PMP/PSP; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTR 16 BITS FLASH 256K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTRO 16 BITS FLASH 64K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS 16K FLASH ADC CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LED Drive; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températu MICROCONTROLEUR 8 BITS W 16K FLASH; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:42; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS W 16K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH A/D CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125°C; MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 32K CMS; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 64K CMS; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8000Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.375V 2.625V, 3.135V 3.465V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROPROCESSEUR COLDFIRE SRAM 4K CMS; Série:ColdFire V2 MPU; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:1KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Nombre de broches:256; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier:MAP-BGA; Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:IEEE 802.3 compliant Etherne MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:84; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTRO 16 BITS FLASH 96K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:96KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, RTCC, PMP/PSP; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTR 16 BITS FLASH 256K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTR 16 BITS FLASH 256K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTRO 16 BITS FLASH 64K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH ADC; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LED Driver, PWM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH A/D; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125 MICROPROCESSEUR COLDFIRE FLASH 512K CMS; contrôleur Famille / Série:ColdFire; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:150; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:66.67MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Gamme de tension d'alimentation:3.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:256; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH A/D; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fo MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4096 bytes FLASH; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICRO CUTTER 5''; Longueur, hors tout:130mm; Type de cutter:Latéral; Cut Type:A angle; Capacité de coupe:1.2mm; Angle de la lame:23°; Capacité de coupe, cuivre:1.2mm; Largeur, machoire:11mm; Longueur:130mm; Longueur, machoire:20mm MICROCOMMUTATEUR V3 PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.9N; Terminaisons commutateur:Lead; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:6A; Courant de contact max.:5A; Durée de vie, mécanique:10000000; Déplacement, différentiel:0.4mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; Force de relache MICROCOMMUTATEUR V4 PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.5N; Terminaisons commutateur:Solder; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant de contact min.:5A; Courant, alimentation:5A; Durée de vie, mécanique:10000000; Entraxe de fixation:9.53mm; MICROCOMMUTATEUR V4 PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.5N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Plomb; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant de cont MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:60gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant, alimentation:5A; Déplacement, différentiel:0.7mm; Entraxe de fixation, L x l:5mm; Force de relache: MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:70gf; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; Approval Bodies:CSA / UL; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant, alimentation:5A; Dépl MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:140gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant, alimentation:5A; Déplacement, différentiel:0.13mm; Entraxe de fixation, L x l:5mm; Force de rela MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:240gf; Terminaisons commutateur:Lead; Approval Bodies:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Polyamide; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant, alimentation:5A; Course min:2.2mm; Déplacement, différentiel:0.6mm; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LFCSP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de b MICROCONTROLEUR 16/32BITS COEUR ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) ADUC; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:62KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:44MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, PLA, PSM, PWM, Timer, Temp Sensor; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LFCSP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de b BORNIER MICRO; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:6mm; Nombre de contacts:2; Wire Size (AWG):24AWG 12AWG / 22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Couleur:Chamois; Courant:32A; Largeur (externe):27mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de pâles:2; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:24AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Taille de fil (AWG):24-12; Taille de fil, mm2 max..:4mmË›; Taille de f BORNIER. MICRO; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:6mm; Nombre de contacts:2; Wire Size (AWG):24AWG 12AWG / 22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Couleur:Bleu; Courant:32A; Largeur (externe):27mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de pâles:2; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:24AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Taille de fil (AWG):24-12; Taille de fil, mm2 max..:4mmË›; Taille de fil BORNIER TERRE. DIN. MICRO; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:7mm; Nombre de contacts:2; Wire Size (AWG):26AWG 12AWG / 22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Couleur:Vert/Jaune; Largeur (externe):32mm; Longueur/hauteur:34mm; Nombre de pâles:2; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:22AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Taille de fil (AWG):26-12; Taille de fil, mm2 max..:4mmË›; Taille de BORNIER A FUSIBLE. DIN. MICRO; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Nombre de contacts:2; Pas:8mm; Wire Size (AWG):26AWG 12AWG / 22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, A fusible; Couleur:Chamois; Courant:6.3A; Largeur (externe):58mm; Longueur/hauteur:34mm; Nombre de pâles:2; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:22AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Taille de fil (AWG):26-12; Taille de fil, mm2 max..:4mmË›; Taille de fil, mm2 min.:0.22mmË› MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:140gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPST-CO; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Courant, alimentation:5A; Déplacement, différentiel:0.13mm; Entraxe de fixation, L x l:5mm; Force de rela MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:12288Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:1 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:16384Byte; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC: MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 512K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:119; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:32768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 32 BITS CMS COLDFIRE V2; contrôleur Famille / Série:ColdFire; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:55; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 32 BITS CMS COLDFIRE V4; Série:ColdFire V4 MPU; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:24 KB; Vitesse de processeur:220MHz; Type de boîtier CI numérique:FQFP; Nombre de broches:208; Gamme de tension d'alimentation:3.3V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1 UART, 1 synchronous UART, 4 DMA Channels, I2C module; Fréquence, horloge:220MHz; Fréquence, typique:220MHz; MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:12288Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 32K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; S MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 96K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:96KB; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 128K FLASH; contrôleur Famille / Série:MC9S12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:32Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer, PWM; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC: MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:14336Byte; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC: MICROCONTROLEUR 32 BITS CMS COLDFIRE V2; Série:ColdFire V2 MPU; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:8KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type de boîtier CI numérique:QFP; Nombre de broches:160; Gamme de tension d'alimentation:1.4V 1.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier:QFP; Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:CAN 2.0 B, 3 UARTs, Queued SPI MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR FLASH MSP430 CMS TSSOP20; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De MICROCOMMUTATEUR ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:80N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:PET / PBT; Configuration contact:SPDT; Contacts:UNI on-on; Courant de contact:6A; Courant de contact c.a.:6A; Courant de contact c.a. max.:5A; Cour MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:350gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:3.58mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.05mm; Entraxe de fixation, L x l: MICROCONTROLEUR 8 BITS 64KB 48MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTRO 16 BITS FLASH 64K RAM 8K CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTR 16 BITS FLASH 128K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTR 16 BITS FLASH 256K 40MIPS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:9; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC2; Taille mémoire, RAM:16KB; Nombre de timers:4; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:RAM statique 16ko, 2 timers 32 bits (avec 4 captures et 4 canaux de comparaison), unité PWM (6 sorties), MICROCONTROLEUR 8 BITS 60K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR FLASH MSP430 CMS LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:55KB; Taille mémoire, RAM:5KB; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR FLASH MSP430 CMS TSSOP14; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisatio MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH USB CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:8K x 8 RAM, Flash; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:3MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fo MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Périphériques:Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH ADC CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LED Driver, PWM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH ADC; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LED Driver, PWM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:24KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LCD Driver, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 32K CMS; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROPROCESSEUR COLDFIRE SRAM 8K CMS; Série:ColdFire V2 MPU; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type de boîtier CI numérique:QFP; Nombre de broches:160; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:QFP; Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:I2C Compatible Bus, Two UARTs, MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:1.5mm; Sensibilité:-44dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3.5mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3.5mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:4.5V; Impédance, sortie:1kohm; Diamètre, extérieur:9.4mm; Hauteur, dimension externe:6.5mm; Profondeur:9.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.4mm; Impédance:1kohm; Longueur/hauteur:6.5mm; Sensibilité:-45dB; Tension, alimentation:4.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, entrée:4.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 4MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Sensitivity (dB):-45dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:4mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:1.5mm; Sensibilité:-45dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:4.5V; Impédance, sortie:1kohm; Diamètre, extérieur:9.4mm; Hauteur, dimension externe:6.5mm; Profondeur:9.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.4mm; Impédance:1kohm; Longueur/hauteur:6.5mm; Sensibilité:-45dB; Tension, alimentation:4.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, entrée:4.5V MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:82; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:75°C; Température d'utilisation min:-20°C; Caractéristiques du m MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 256K CMS; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:89; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, DMA, TPU; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:128; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:75°C; Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K CMS; contrôleur Famille / Série:H8/300; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICROCONTROLEUR 16 BITS SANS ROM CMS; contrôleur Famille / Série:H8/300H; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:58; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:11; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:112; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:75°C; Températu MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70° MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR DSP 16 BITS CMS; Série:TMS320; MMAC:100; Fréquence du coeur:100MHz; Alimentation du noyau:1.8V; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SCI, SPI; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire, FLASH:32KB; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:100MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:CAN, I2C, SPI, SCI MICROCONTROLEUR DSP 16 BITS CMS; Série:TMS320; MMAC:100; Fréquence du coeur:100MHz; Alimentation du noyau:1.8V; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SCI, SPI; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire, FLASH:128KB; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:100MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:CAN, I2C, SPI, SC MICROCONTROLEUR FLASH MSP430 CMS LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) STR7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:72; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, TIM; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température d MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:R8C/13; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:16; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:R8C/1B; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:16; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 4K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:68HC05; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:176Byte; Vitesse de processeur:2.1MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:8000 MICROCONTROLEUR 8051 8KB CAN/ CNA CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, DAC, Timer; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICRORUPTEUR 10A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:10.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA and VDE; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1 MICRORUPTEUR 10A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:10.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA et VDE; Catégorie d'approbation:Reconnu UL ; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1.0mm; Durée MICRO-BRUCELLES WMRT AVEC SUPPORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:WD1M, WD2M; Type d'accessoire:Desoldering Tweezers with Rest MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:350gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:3.58mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.05mm; Entraxe de fixation, L x l: MICRORUPTEUR LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:160gf; Tension, contact c.a.:240V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Course min:2.4mm; Durée de vie, mécanique:1000000 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:12288Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:1 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 64K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:67; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:16384Byte; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; SVH MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 256K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:14336Byte; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVH MICROCONTROLEUR 32 BITS CMS COLDFIRE V2; contrôleur Famille / Série:ColdFire; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:55; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T TACTILE COMMUTATEUR MICRO MINIATURE; Configuration des contacts:SPST-NO; Force, fonctionnement:2N; Tension DC nominale du contact:32V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Supérieur; Terminaisons commutateur:Montage en surface; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contact Material:Argent; Contacts:Momentané; Couleur levier / capuchon:Noir; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Courant, Commutation c.a.max.:50mA; Courant, Commutation MICRORUPTEUR 10A GALET PLONGEUR; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Force, fonctionnement max..:2.2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:10.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPST-NC; Contacts:(ON); Courant , Tension c.a. contact-cont MICROCOMMUTATEUR BOUTON; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:200N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Configuration contact:SPDT; Contacts:UNI on-on; Courant de contact:6A; Courant de contact c.a.:6A; Courant de contact c.a. max.:5A; Cour MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:10A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA and VDE; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact c.c. max.:5A; Cou MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:350gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:5.5mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.05mm; MICRORUPTEUR LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:4gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:6mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.9mm; Entraxe MICROCONTROLEUR 8 BITS 64KB 48MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS 64KB 25MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS 64KB 25MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS 32KB 25MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2304Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:350gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:0.13mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.05mm MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:16MHz; Fréquence, typique:16MHz; AMPLI OP DOUBLE MICROPUISSANCE; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:500kHz; Vitesse de balayage:0.2V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Micro-puissance, alimentation simple, Rail-Rail; Gain, bande-passante -3dB:500kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numé MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS 60K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR DSP 16 BITS CMS; Série:TMS320; Nombre de bits:32; Fréquence:200MHz; Alimentation du noyau:1.6V; Type d'interface embarquée:HPI, I2C, McBSP, USB; Nombre d'E/S:7; Gamme de tension d'alimentation:1.55V 1.65V, 2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Nombre de broches:144; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:I2C, SPI; MMAC:400; Mémoire externe supportée:Async SRAM, EPROM, SDRAM; Racine de la référence MICROCONTROLEUR FLASH MSP430 CMS LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:(ARM7) STR7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:256 Kbytes; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:10; Périphériques:ADC, DMA, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 56K; contrôleur Famille / Série:H8/300H; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:56KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:75°C; Températ MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 512K; contrôleur Famille / Série:H8S/2300; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:113; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:34MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, DAC, DMA, PPG; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement m MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.7mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:4.5mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:4.5mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-44dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.7mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3.5mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3.5mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3.5mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3.5mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:4.5mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:4.5mm; Sensibilité:-44dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 32K; contrôleur Famille / Série:H8/330; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:Port série synchrone/asynchrone; Fréq MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 60K CMS; contrôleur Famille / Série:H8/300; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:84; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE CONNEXION SANS SOUDURE 5.8MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:2.2kohm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sans soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:5.8mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE UNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3.5mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3.5mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROCONTROLEUR 16 BITS ROM 128K CMS; contrôleur Famille / Série:H8/300H; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:78; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:18MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:11; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 16K CMS; contrôleur Famille / Série:H8/330; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:58; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec CONTROLER DE MICROPROCESSEUR CMS; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:-12mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:1232; Numéro générique:1232; Racine de la référence:1232; T MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:896B; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:8 MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1Kb OTP PROM MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:176Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8912 x 16; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:125Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:4000 bytes OTP PROM; Fréquence, horloge MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:265Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:16000 bytes O MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 12; Fréquence, horloge:4MHz MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'ut MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:32K x 8 RAM, Flash; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 1.5K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:29; Taille mémoire de programme:32K x 8 RAM, Flash; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:42; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 1.5K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:68HC05; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:8 kilobytes EPROM; Taille EEPROM:8KB; Taille mémoire, RAM:176Byte; Vitesse de processeur:2.1MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:68HC05; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:4672 bytes, EPROM; Taille mémoire, RAM:176Byte; Vitesse de processeur:2.1MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:8 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:33MHz; Fréquence, typique:33MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:EU MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:256 Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Températ MICROCOMMUTATEUR LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:70N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:PET / PBT; Configuration contact:SPDT; Contacts:UNI on-on; Courant de contact:6A; Courant de contact c.a.:6A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact DIP ROTATIF MICROMINIATURE HEXADECIMAL; Nombre de pâles:1; Nbre de positions de commutation:16; Angle de projection:22.5°; Courant de contact c.c. max.:100mA; Tension, contact c.c. max..:50V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle:22.5°; Angle, indexation:22.5°; Contacts:Hexadecimal; Courant de contact:100mA; Nombre de positions:16; Répétabilité:20000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:200mohm; Série:SMR13016; Température de fonctionnement max..:75°C; Température d'utilisation min: DIP ROTATIF MICROMINIATURE HEXADECIMAL; Nombre de pâles:1; Nbre de positions de commutation:16; Angle de projection:22.5°; Courant de contact c.c. max.:100mA; Tension, contact c.c. max..:50V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle:22.5°; Angle, indexation:22.5°; Contacts:Hexadecimal Inverse; Courant de contact:100mA; Nombre de positions:16; Répétabilité:20000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:200mohm; Série:SMR13116; Température de fonctionnement max..:75°C; Température d'utilisat PREAMPLI POUR MICROPHONE CMS; Classe d'amplificateur audio:AB; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:è… 4.75V è… 5.25V; Impédance de charge:600ohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:SSOP; Nombre de broches:28; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface de contrôle:Série; Puissance de sortie:-000mW; Racine de la référence:2500; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation MICRORUPTEUR LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:70gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:6mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:1.27mm; Entrax MICRORUPTEUR LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:100gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:4mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/R MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385Z-1.2G; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MICROCONTROLEUR 8 BITS 32KB 48MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2304Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS 32KB 25MIPS CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2304Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:16MHz; Fréquence, typique:16MHz; EMBASE. MICROFIT. RA. SR. ETAIN 6 VOIES; Série:MicroFit; Pas:3mm; Terminaison du contact:A souder; Nombre de contacts:6; Nombre de rangées:1; Montage connecteur:CI; Genre:Connecteur mâle; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Etain; Contact Type:Broche; Courant:5A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de pâles:6; Nombre de voies:6; Orientation du connecteur:CI; Tension, fonctionnement:250V; Type de connect MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3368Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3986Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC: CMOS MICRO-MONITOR 1232 DIP8; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:500è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:DS1232+; Numéro de la fonction logique:1232; Numéro CIRCUIT MICRO-MONITOR; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:200è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:10mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:1232; Numéro générique:1232; Racine de la référence:1232; Température de fo MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3072Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 Words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa MICROSTEPPING MOTOR DRIVER, PQFP44; Type de moteur:Pas pas; Nombre de canaux de sortie:8; Courant, sortie:1.5A; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:QFP; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1500mA; Numéro générique:236; Racine de la référence:236; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:5.5V; AMPLI OP DOUBLE MICROPUISSANCE; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:35kHz; Vitesse de balayage:0.01V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 1.35V è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:micro-puissance; Courant, sortie + max.:25è¾A; Gain, bande-passante -3dB:35kHz; Numéro de la fonction logique:2241; Numéro génériq MICROCONTROLEUR FLASH QFP100 430; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, SVS, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 Words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS 60K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICRO MONITOR TO-92-3 1233; Tension de seuil:4.375V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:8mA; Marquage composant:DS1233-10+; Racine de la référence:1233; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0° MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:4.5V; Impédance, sortie:1kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:1kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-44dB; Tension, alimentation:4.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, entrée:4.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 5.8MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:5.8mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:5.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:5.8mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:3mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:3mm; Sensibilité:-44dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-38dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:4.5mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:4.5mm; Sensibilité:-40dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:4.5mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:4.5mm; Sensibilité:-42dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE OMNIDIRECTIONNEL CI 9.7MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.5V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; Profondeur:9.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Broches PCB; Device Type:Microphone; Diamètre:9.7mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:1.5V; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, entrée:1.5V MICROPHONE UNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:6mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-50dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V MICROPHONE UNIDIRECTIONNEL 6MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:2V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:8mm; Hauteur, dimension externe:5.2mm; Profondeur:8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Plots de soudure; Device Type:Microphone; Diamètre:8mm; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:5.2mm; Sensibilité:-46dB; Tension, alimentation:2V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée:2V DIP ROTATIF MICROMINIATURE HEXADECIMAL; Nombre de pâles:1; Nbre de positions de commutation:10; Angle de projection:36°; Courant de contact c.c. max.:100mA; Tension, contact c.c. max..:50V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle:36°; Angle, indexation:36°; Contacts:BCD; Courant de contact:100mA; Courant de contact max.:100mA; Nombre de positions:10; Répétabilité:20000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:200mohm; Série:SMR13010; Température de fonctionnement max..:75°C; Température d FICHE MALE DROITE CI MICRO D 9 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:83611; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:Traversant vertical; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Couleur, isolation secondaire:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de polyphénylène PPS; Matière:Acier inoxydable; Matière, boîtier:Nick FICHE MALE DROITE CI MICRO D 25 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:83614; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:Traversant vertical; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur, isolation secondaire:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de polyphénylène PPS; Matière:Acier inoxydable; Matière, boîtier:N FICHE FEMELLE CORDON MICRO D 15 VOIES; Connecteur type A:15 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Pigtail; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:28AWG; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de polyphénylène PPS; Longueur:1.83m; Matière:A MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:SX; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:136Byte; Vitesse de processeur:75MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Peripherals:Comparateur, RTCC; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; Fréquence, horloge:75MHz; Interface:I2C, SPI; Interface:I2C, SPI; Nombre d'entr MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:1030Byte; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme CONTROLEUR DE MICROPROCESSEUR; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:-12mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:1232; Numéro générique:1232; Racine de la référence:1232; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utili MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:896B; Taille mémoire, RAM:96Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85° MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 16 BITS; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:111; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:USART+ SSC; Fréquenc MICROPROCESEUR RESET 2.93V CMS; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:7è¾A; Temps de retard:210ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du support pour microprocesseur:Actif l'état bas, Drain ouvert; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation MICROCONTROLLER EZ-USB, 7C68013A; contrôleur Famille / Série:EZ-USB FX2LP; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, USART, USB; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:56; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configurat MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 1.5K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 4K CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; TAPIS SOURIS BLEU MICROBAN; Couleur:Blue; Largeur (externe):231mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:203mm MICRO-FER THERMO-DRIVE TD-100; Tension d'alimentation Vac:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 2KB FLASH; contrôleur Famille / Série:RS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:63Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températu MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.23N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:11 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:11A; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:11A; Course MICROCOMMUTATEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPST-NO; Force, fonctionnement:3N; Tension DC nominale du contact:32V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Latéral; Terminaisons commutateur:Montage en surface; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contact Material:Argent; Contact Type:Momentané; Contacts:Momentary; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Courant de contact min.:1mA; Durée de vie, mécanique:100000; Force diélectri CABLE TWIN MICRO; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:30 x 0.12mm; Section, conducteur CSA:0.35mmË›; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6.6mm; Matière, conducteur:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, fil - fil:91pF; Capacité, fil -blindage:178pF; Composition du conducteur:30 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Transparent,jaune; Couleur, isolation second MICRORUPTEUR LEVIER A CHARNIERE; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.7N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, DEMKO; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:Reconnu UL ; Configuration contact:SPDT - NO; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Cour MICRORUPTEUR LEVIER A GALET; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.97N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, DEMKO; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:Reconnu UL ; Configuration contact:SPDT - NO; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; FICHE MALE COUDEE CI MICRO D 15 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:83612; Nombre de contacts:15; Taille de capot Sub D:D15; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:Traversant angle droit; Nombre de cycles d'accouplements:500; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Couleur, isolation secondaire:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfi FICHE FEMELLE CORDON MICRO D 9 VOIES; Connecteur type A:Fiche; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A sertir; Longueur de câble - Impérial:6ft; Longueur de câble - Métrique:1.83m; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connecteur type A:Socket; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de polyphénylène PPS; Matièr MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:SX; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:136Byte; Vitesse de processeur:75MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Peripherals:Comparateur, RTCC; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; Fréquence, horloge:75MHz; Interface:I2C, SPI; Interface:I2C, SPI; Nombre d'entrées/s MICROPHONE, HANDHELD DYNAMIC; Impédance, sortie:300ohm; Réponse en fréquence, limite basse:30Hz; Réponse en fréquence, limite haute:20kHz; Sensibilité:-68dB è… 3dB; Connector Type:Connecteurs mâles 6,3 mm ou XLR; Longueur cordon:6m MICROCONTROLLER EZ-USB, 7C68013A; contrôleur Famille / Série:EZ-USB FX2LP; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, USART, USB; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:128; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fonction IC:USB sans-fi PLUG, MICRO D, SOLDER, 51WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Nombre de contacts:51; Taille de capot Sub D:D51; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium Alloy; Matière, boîtier SOCKET, MICRO D, SOLDER, 15WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Embase; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium All SOCKET, MICRO D, SOLDER, 25WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Embase; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel chimique; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium Al SOCKET, MICRO D, SOLDER, 51WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Nombre de contacts:51; Taille de capot Sub D:D51; Genre:Embase; Terminaison du contact:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel chimique; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium Alloy; Matière, boîtier:Alumi TAPIS SOURIS NOIR MICROBAN; Couleur:Black; Largeur (externe):231mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:203mm MICROMETRE DIGITAL 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Précision mm / pouces:è… 2è¾m; Résolution:0.001mm MICRORUPTEUR LEVIER A GALET ARTICULE; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, DEMKO; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:Reconnu UL ; Configuration contact:SPDT - NO; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. HOLDER MICROCAN; Type de clip:Anneau brisé; Longueur:48.3mm; Diamètre trou de fixation:6.3mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur:Noir; Diamètre, trous de fixation:6.3mm; Longueur/hauteur:38.1mm; Numéro de la fonction logique:9093 MICROCONTROLLER EZ-USB, 7C68013A; contrôleur Famille / Série:EZ-USB FX2LP; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, USART, USB; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No PLUG, MICRO D, SOLDER, 25WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel chimique; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Alumi SOCKET, MICRO D, SOLDER, 37WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Embase; Nombre de contacts:37; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium All PLUG, MICRO D, SOLDER, 25WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Bride; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastique chargé de verre; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Méthode de termi CAPOT MICRO D EMI 9W; Type d'accessoire:Backshell; A utiliser avec:Sub Miniature Connectors; Taille du connecteur:9; Angle de sortie de câble:180°; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel; Connector Type:Enveloppe; Couleur:Nickel; Diamètre du trou:6.4mm; Longueur:450mm; Matière:Aluminium Alloy; Matière, manchon:Single Layer Tinned Copper Braid; Nombre de voies:9; Type de boitier:Top Entry MICRO 8 BITS 2K FLASH 256B RAM CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, ART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICRO 8 BITS 4K FLASH 256B RAM CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH 384B RAM; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, ART; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broch MICRO 8 BITS 256K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-D MICRO 8 BITS 64K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8912 x 16; Taille mémoire, RAM:232Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:8 MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisat MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SV MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3368Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3986Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, LVD; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SV PLUG, MICRO D, SOLDER, 15WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Alumin SOCKET, MICRO D, SOLDER, 9WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Nombre de contacts:9; Taille de capot Sub D:D9; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Genre:Embase; Terminaison du contact:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastique chargé de verre; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:9 CAPOT MICRO D EMI 15W; Type d'accessoire:Backshell; A utiliser avec:Sub Miniature Connectors; Taille du connecteur:15; Angle de sortie de câble:180°; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel; Connector Type:Enveloppe; Couleur:Nickel; Diamètre du trou:6.4mm; Longueur:450mm; Matière:Aluminium Alloy; Matière, manchon:Single Layer Tinned Copper Braid; Nombre de voies:15; Type de boitier:Top Entry CAPOT MICRO D EMI 37W; Série:MMBS; Type d'accessoire:Backshell; A utiliser avec:Sub Miniature Connectors; Taille du connecteur:37; Angle de sortie de câble:180°; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel; Connector Type:Enveloppe; Couleur:Nickel; Diamètre du trou:7.1mm; Longueur:450mm; Matière:Aluminium Alloy; Matière, manchon:Single Layer Tinned Copper Braid; Nombre de voies:37; Type de boitier:Top Entry MICROSTEPPING MOTOR DRIVER, SO-28; Type de moteur:Pas pas; Nombre de canaux de sortie:8; Courant, sortie:50mA; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-25°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:25mA; Numéro générique:239; Racine de la référence:239; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension AMPLI OP QUADRUPLE MICROPUISSANCE; Type d'AOP:CMOS; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:50kHz; Vitesse de balayage:0.028V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:3V 15.5V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:CMOS; Courant, alimentation max.:20è¾A; Gain, bande-passante -3dB:50kHz; Numéro de la fonction logique:6464; Numéro générique:6464; Racine de MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te PISTOLET GAZ 650C. MICRO-THERM; Hauteur:115mm; Largeur:80mm; Poids:95g; Profondeur:25mm MICRO 32 BITS SMART ARM7 512K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:62; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:DMA, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC ( MICRO 8 BITS 256K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:86; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH 5V; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-D MICRO 8 BITS 4K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 Words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u LOUDSPEAKER, MICRO, 10MM; Transducer Function:Haut-parleur; Puissance efficace:0.3W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:1.2kHz; Réponse en fréquence, limite basse:1200Hz; Réponse en fréquence, limite haute:20kHz; Diamètre, extérieur:10mm; Hauteur, dimension externe:2.9mm; Largeur (externe):10mm; Profondeur:2.9mm; Diamètre:10mm; Distance, niveau sonore:10cm; Fréquence:1200Hz; Longueur/hauteur:2.9mm; Niveau de bruit:86dB; Poids:0.6g; Puissance PMPO:0.5W; Température de fonctionnement max..:55° LOUDSPEAKER, MICRO, 13MM; Transducer Function:Haut-parleur; Puissance efficace:0.2W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:1050Hz; Réponse en fréquence, limite basse:1050Hz; Réponse en fréquence, limite haute:20kHz; Diamètre, extérieur:13mm; Hauteur, dimension externe:2mm; Largeur (externe):13mm; Profondeur:2mm; Diamètre:13mm; Distance, niveau sonore:10cm; Fréquence:1050Hz; Longueur/hauteur:2mm; Niveau de bruit:86dB; Poids:0.7g; Puissance PMPO:0.4W; Température de fonctionnement max..:55°C; Tem MICROPHONE OMNI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:0.9V; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:4.4kohm; Hauteur, dimension externe:2.28mm; Largeur (externe):5.59mm; Profondeur:4.0mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:50è¾A; Device Type:Microphone électret; Diamètre extérieur:1.41mm; Fréquence, fonctionnement max..:5500Hz; Impédance:4400ohm; Longueur/hauteur:2.28mm; Poids:0.13g; Ratio audio, signal / bruit:26dB; MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 1K CMS; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:1KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LVD; Type de boîtier CI numérique:PSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'ut MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K CMS; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LVD; Type de boîtier CI numérique:PSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS 2K FLASH 256B RAM; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, ART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fon MICROCONTROLEUR 8 BITS 4K FLASH 256B RAM; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, ART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVH MICRO 8 BITS 8K FLASH 384B RAM CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH 384B RAM; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, ART; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19 MICRO 32 BITS SMART ARM7 32K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, RTT, PMC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICRO 8 BITS 256K FLASH 5V CMS 2560; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:86; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MICRO 8 BITS 256K FLASH 5V CMS 2561; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; S MICROCONTROLEUR 8 BITS 16K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS 16K FLASH; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, TIM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction DIP ROTATIF MICROMINIATURE HEXADECIMAL; Nombre de pâles:1; Nbre de positions de commutation:16; Angle de projection:22.5°; Courant de contact c.c. max.:100mA; Tension, contact c.c. max..:50V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle:22.5°; Angle, indexation:22.5°; Contacts:Hexadecimal; Courant de contact:0.1A; Courant de contact c.c.:100mA; Largeur (externe):7.2mm; Longueur/hauteur:3mm; Nombre de positions:16; Profondeur:7.2mm; Répétabilité:10000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:20 MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15- MICRO 8 BITS 64K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:352Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 1K CMS; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:1KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, LVD; Type de boîtier CI numérique:PSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'ut MICROPROCESEUR RESET 3.08V CMS; Tension de seuil:3.08V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:7è¾A; Temps de retard:210ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du support pour microprocesseur:Actif l'état bas, Drain ouvert; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation d MICROPHONE OMNI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:0.9V; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:4.4kohm; Hauteur, dimension externe:2.28mm; Largeur (externe):5.59mm; Profondeur:4.0mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:50è¾A; Device Type:Microphone électret; Fréquence, fonctionnement max..:10000Hz; Impédance:4400ohm; Longueur/hauteur:2.28mm; Poids:0.13g; Ratio audio, signal / bruit:26dB; Sensibilité:-33dB è… 2dB; MICROPHONE ETANCHE; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.5kohm; Hauteur, dimension externe:2.26mm; Largeur (externe):5.56mm; Profondeur:4.13mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:300è¾A; Device Type:Mini microphone; Fréquence, fonctionnement max..:4000Hz; Impédance:2500ohm; Longueur/hauteur:2.26mm; Poids:1.3g; Ratio audio, signal / bruit:-100dB; Sensibilité:-54dB è… 3dB; T MICROPHONE ETANCHE; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:280Hz; Réponse en fréquence, limite haute:5kHz; Impédance, sortie:300ohm; Diamètre, extérieur:22.12mm; Hauteur, dimension externe:22.12mm; Profondeur:9.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Device Type:Microphone; Diamètre:22.12mm; Fréquence, fonctionnement max..:5000Hz; Impédance:300ohm; Longueur cordon:193mm; Longueur/hauteur:22.12mm; Sensibilité:-87.5dB è… 3dB MICROPHONE OMNI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:0.9V; Tension, alimentation max..:1.6V; Impédance, sortie:4.4kohm; Diamètre, extérieur:2.59mm; Hauteur, dimension externe:2.59mm; Profondeur:2.59mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:50è¾A; Device Type:Mini microphone; Diamètre:2.59mm; Fréquence, fonctionnement max..:10000Hz; Impédance:4400ohm; Longueur/hauteur:2.59mm; Poids:0.08g; Ratio audio, signal / bruit:30dB; Sensibilit MICROPHONE OMNI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Antibruit; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.5kohm; Hauteur, dimension externe:2.26mm; Largeur (externe):5.56mm; Profondeur:3.98mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:200è¾A; Device Type:Mini microphone; Fréquence, fonctionnement max..:4000Hz; Impédance:2500ohm; Longueur/hauteur:2.26mm; Poids:1.3g; Ratio audio, signal / bruit:-100dB; Sensibilité:-65dB è… 3dB; Tension, a MICROCONTROLEUR 8 BITS 2KB FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:RS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille mémoire, RAM:63Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:1; Périphériques:LVD; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Ser BANDE CONDUCTRICE AXE Z50 MICRON; Type de bande:Conducteur électrique; Matériau Surface Ruban:Acrylique; Largeur Ruban - Métrique:25mm; Largeur Ruban - Impérial:0.98''; Longueur Ruban - Métrique:33m; Longueur Ruban - Impérial:108.27ft; Epaisseur, matériau:0.05mm; Largeur, bande:25mm; Longueur, bande:33m; Matière:Acrylic; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température d'application max..:38°C; Température d'application min.:15°C; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:15 CAPTEUR DE TEMPERA DIG SPI/MICROWIRE CMS; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:-2°C +3.5°C; Gamme de température de détection:-55°C +150°C; Courant, alimentation:260è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.65V 5.5V; Résolution (Bits):11bit; Type de boîtier de capteur CI:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de bits:10; Racine de la référence:70; Résolution:11bit; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.65V; Tension, sortie:2 COMMUTATEUR MICRO DETECTION CMS; Configuration des contacts:SPST-NO; Terminaisons commutateur:Montage en surface; Courant de contact max..:1mA; Tension DC nominale du contact:5V; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement:50gf; Hauteur, dimension externe:2mm; Largeur (externe):4mm; Profondeur:5.55mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contacts:Off-On; Couleur levier / capuchon:Noir; Courant de contact c.c.:1mA; Courant de contact max.:1mA; Durée de vie, é COMMUTATEUR MICRO DETECTION CMS; Configuration des contacts:SPST-NC; Terminaisons commutateur:Montage en surface; Courant de contact max..:1mA; Tension DC nominale du contact:5V; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement:50gf; Hauteur, dimension externe:2mm; Largeur (externe):4mm; Profondeur:5.55mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPST-NC; Contacts:Off-On; Couleur levier / capuchon:Noir; Courant de contact c.c.:1mA; Courant de contact max.:1mA; Durée de vie, é COMMUTATEUR MICRO TACTILE CMS; Configuration des contacts:SPST; Force, fonctionnement:1.57N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Supérieur; Terminaisons commutateur:Montage en surface; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPST; Contacts:Centre Push; Courant:50mA; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Durée de vie, électrique:200000; Force diélectrique, Vca:350VAC; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe): JEU DE 20 FORETS HSS MICRO; Contenu du kit:20 Pieces of 0.3 to 1.6mm Drill Bits; Matière:Titanium Coated; Type de foret:Hélicoèdal MICROPHONE ETANCHE; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:1.3V; Sensitivity (dB):-61.5dB; Impédance, sortie:3.5kohm; Diamètre, extérieur:22.12mm; Hauteur, dimension externe:22.12mm; Profondeur:7.6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de courant:50è¾A; Device Type:Microphone; Diamètre:22.12mm; Diamètre extérieur:22.12mm; Fréquence, fonctionnement max..:4700Hz; Impédance:3500ohm; Longueur cordon:202mm; Longueur/hauteur:22.12mm; Ratio audio, TAPIS SOURIS ARGENT MICROBAN; Couleur:Silver; Largeur (externe):231mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:203mm MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire, FLASH:144KB; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F6010A MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:256KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:33FJ2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:23Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, RTC, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fo MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement CIRCUIT SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:4.625V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif haut; Courant, alimentation:1.5mA; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:8mA; Numéro de la fonction logique:1833; Numéro générique:1833; Racine de la référence:1833; Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; Fréquence, horloge:33MHz; Fréquence, typique:33MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interf MICRORUPTEUR LEVIER FIL D'ACIER; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier; Terminaisons commutateur:Screw; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE, CSA, DEMKO; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT-NO; Contact Material:Argent; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Durée de vie, mécanique:200 MICRORUPTEUR LEVIER A GALET COURT; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, DEMKO; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:Reconnu UL Recognised; Configuration contact:SPDT - NO; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contac MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:55; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille mémoire, RAM:3808Byte; Vitesse de processeur:41.667MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTR 16 BITS 32K FLASH 8K RAM CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- FICHE MALE COUDEE CI MICRO D 25 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:83614; Nombre de contacts:25; Taille de capot Sub D:D25; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:Traversant angle droit; Nombre de cycles d'accouplements:500; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Couleur, isolation secondaire:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfi MICROCONTRO 8 BITS 60K FLASH 40MHZ CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:60KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: FICHE MALE DROITE CI MICRO D 15 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:83612; Nombre de contacts:15; Taille de capot Sub D:D15; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:Traversant vertical; Nombre de cycles d'accouplements:500; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Couleur, isolation secondaire:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de FICHE FEMELLE CORDON MICRO D 25 VOIES; Connecteur type A:25 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Pigtail; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:28AWG; Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:E34763; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:1A; Courant dc max:3A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Sulfide de polyphénylène PPS; Longueur:1.83m; Matière:Aci MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:SX; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:262Byte; Vitesse de processeur:75MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Peripherals:Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; Fréquence, horloge:75M MICROPHONE. MINI SISONIC; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, alimentation max..:3.6V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:300ohm; Hauteur, dimension externe:1.25mm; Largeur (externe):3.76mm; Profondeur:4.72mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Brief Features:Protection RF; Bruit:59dB; Fonction CI:Microphone silicium; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Nombre de broches:4; Numéro de la fonction logique:204; Racine de la référence:204; Sensibilité:-42; MICROCONTROLLER EZ-USB, 7C68014A; contrôleur Famille / Série:EZ-USB FX2LP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:I2C, USART, USB; Type de boîtier CI numérique:VFBGA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:56; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fonction IC:USB sans-fil; Fréq MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:30MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire, FLASH:6KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre de MIPS:30; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F1010; MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F2011; Racine de la ré MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:30MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre de MIPS:30; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F20 MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire, FLASH:144KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F6014A MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:256KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de l MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:256KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:33FJ2 MICROPHONE PRE-AMP CMS; Application contrôle / process:Préamplificateurs différentiels bas bruit, Amplificateurs transducteurs bobine mobile; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI audio:SOIC; Nombre de broches:14; Bande passante:7MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:1510; Numéro générique:1510; Racine de la référence:1510; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-4 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:67Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; M MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du micropr MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Carac MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:336Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille mémoire, RAM:3808Byte; Vitesse de processeur:41.667MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- QWERTY KEYBOARD, ERGO, 4000, MICROSOFT; Méthode de connexion:Câblé; Connecteur PC:USB; Taille de clavier:83mm x 503mm x 262mm; Couleur Clavier:Noir; Connector Type:USB; Contenu du kit:Keyboard, software and user guide.; Couleur:Noir; Interface Type:USB; Largeur (externe):503mm; Longueur/hauteur:83mm; Profondeur:262mm MICROCONTRO 8 BITS 60K FLASH 40MHZ CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:60KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTRO 8 BITS 60K FLASH 20MHZ CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:56; Taille mémoire de programme:60KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:8; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température PLUG, MICRO D, SOLDER, 37WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:37; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Alumin SOCKET, MICRO D, SOLDER, 9WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Embase; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Chromate jaune; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique renforcé de verre; Matière:Aluminium Alloy PLUG, MICRO D, SOLDER, 9WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Bride; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastique chargé de verre; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Méthode de termina PLUG, MICRO D, SOLDER, 15WAY; Type de connecteur:Sub-D; Série:Dura-Con; Nombre de contacts:15; Taille de capot Sub D:D15; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastique chargé de verre; Méthode de terminaison:A souder; Nombre SOCKET, MICRO D, SOLDER, 15WAY; Type de connecteur:Sub-D; Genre:Embase; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Alliage de cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant dc max:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastique chargé de verre; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Méthode de terminaison:A souder; Nom OPTOCOMMUTATEUR MICRO DEPLACEMENT; Gamme de distance de détection:5.5mm 7.5mm; Gamme de tension d'alimentation DC:4.5V 5.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PROGRAMMATEUR PICMICRO ISP; Contenu du kit:Software, ISP Cable, Diagnostic POD For Self Test of the Programmer; Caractéristiques:40-Pin Universal Socket Accepts Both 300/600 Mil DIP Devices Up to 40 Pin; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MPU Supported Families:PIC10, PIC16, PIC17, microcontrôleur; Nombre de circuits supportés:11000; Type de produit IC:Programmateur; Type de programmateur:MicroChip PIC; Type d'interface:USB MICROMETRE NUMERIQUE IP54 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; Gamme, mesure min.:0mm; IP / NEMA Rating:IP54; Résolution:0.001mm MICROPHONE PRE-AMP CMS; Application contrôle / process:Préamplificateurs différentiels bas bruit, Amplificateurs transducteurs bobine mobile; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI audio:SOIC; Nombre de broches:8; Bande passante:7MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:1510; Numéro générique:1510; Racine de la référence:1510; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40 MICROPHONE PRE-AMP; Application contrôle / process:Préamplificateurs différentiels bas bruit, Amplificateurs transducteurs bobine mobile; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI audio:DIP; Nombre de broches:8; Bande passante:7MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:1512; Numéro générique:1512; Racine de la référence:1512; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; T MICRO 8 BITS 4K FLASH 256B RAM CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICRO MONITOR ECONORESET 5V CMS; Tension de seuil:4.625V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:8mA; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de fonction MICRO 8 BITS 32K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15 MICRO 8 BITS 64K FLASH 5V TQFP44; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICRO 8 BITS 64K FLASH 1.8V-5.5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVH MICRO MONITOR ECONORESET 3.3V CMS; Tension de seuil:2.88V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:8mA; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de fonctionnement max..:85°C; Températ CIRCUIT UART SPI / MICROFIL; Nombre de voies:1; Taux de transfert:230Kilobaud; Caractéristiques UART:Compatible avec le temporisateur IrDA SIR, Un FIFO de 8 mots minimise le processeur; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:3.6864MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:3100; Racine de la référence:3100; Taux de MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH 256B RAM; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROPHONE. MINI SISONIC. AMPLIFIE; Fonction CI:Microphone; Brief Features:Omni-directionnel; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier CI numérique:SMD; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:59dB; Numéro de la fonction logique:208; Racine de la référence:208; Sensibilité:-22; Température de fonctionnement max..:100°C; Température, max..:100°C; Température, min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:15MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F2020; Racine de la réfé MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:15MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:30F2023; Racine de la réfé MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:30MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire, FLASH:132KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de MIPS:30; Nombre de bits MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Alimentation du noyau:5.5V; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire, FLASH:144KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonc MICROCONTROLEUR 16 BITS 128KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Alimentation du noyau:2.75V; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:128KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:33FJ128MC MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:DCI, ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:256KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:DCI, ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction log MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:DCI, ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:256KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:DCI, ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction log MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:384 Byte; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:ADC, DRT, WDT, ICS MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, RTC, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:5; Taille mémoire de programme:1.75 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 15V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du micropro MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:352Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Carac MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SV MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:41.667MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICRO 16 BITS 64K FLASH 8K RAM 24FJ64; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec SWAB, MICRO, FLEXIBLE, SEAL, FOAM; Type d'accessoire:Swab; Matériau extrémité tampon:Polyurethane Foam; Taille extrémité tampon:3.5mm; Longueur, poignée:7.5cm; Handle Material:Polypropylène; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matière:Head: polyurethane foam; Handle: polypropylene MICRO 8 BIT 4K FLASH 1.8V-5.5V; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:265Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROPHONE PRE-AMP CMS; Application contrôle / process:Préamplificateurs différentiels bas bruit, Amplificateurs transducteurs bobine mobile; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI audio:SOIC; Nombre de broches:8; Bande passante:7MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:1510; Numéro générique:1510; Racine de la référence:1512; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40 MICRO DE TABLE NOIR GENIUS; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:2kohm; Réponse en fréquence, limite basse:100Hz; Réponse en fréquence, limite haute:10kHz; Sensibilité:-62dB @ 1kHz; Device Type:Microphone pour PC de bureau; Fréquence, fonctionnement max..:11kHz; Impédance:2.2kohm; Ratio S/B:40dB; Transducer Function:Microphone MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:352Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc CORDON ASSEMBLE MICRO-FIT 2 VOIES 3M; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Contact Plating:Etain; Couleur:Noir; Courant:5A; Inflammabilité:UL 94V-0; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:2; Taille du conducteur:26AWG; Température de fonct DIGITAL CALIPER/MECH MICROMETER SET SWAB, MICRO, POLYESTER, KNITTED; Type d'accessoire:Swab; A utiliser avec:Adhesive Mats on Carpets, Hardwoods, Tiles or Finished Floor Surface; Matériau extrémité tampon:Polyester; Taille extrémité tampon:3mm; Longueur, poignée:6.9cm; Handle Material:Polypropylène; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matière:Handle: polypropylene, flexible; Head: knit polyester CONNECTEUR MICRO SD PUSH/PUSH REV; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:49225; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Couleur:Black Resin; Courant max.:0.5A; Matière:LCP Liquid Crystal Polymer; Montage, orientation:Top; Nombre de cycles d'accouplements:1000; Nombre de positions:8; Nombre de pâl MICROMETER HEAD, 954M, 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; Résolution:0.01mm CIRCUIT UART SPI/MICROFIL CMS; Nombre de voies:1; Taux de transfert:230Kilobaud; Caractéristiques UART:Compatible avec le temporisateur IrDA SIR, Un FIFO de 8 mots minimise le processeur; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:QSOP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:3.6864MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro de la fonction logique:3100; Numéro générique:3100 MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:16 bits; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.375V 2.625V, 3.135V 3.465V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:112; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICRO MONITOR ECONORESET 5V CMS; Tension de seuil:4.625V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:8mA; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu MICRO MONITOR ECONORESET 5V CMS; Tension de seuil:4.375V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:8mA; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu KIT V3 PICMICRO CARTE DE DEVELOPPEMENT; Silicon Fabricant:Matrix; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC12F; Nom de famille Silicon:PIC; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:USB Programmable, Powered via USB, E-Blocks Compatible; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:PICmicro Programming, Used as Programmer, Development Board, RC/Xtal Operation, In-Circuit Debugging; MCU Supported Families:PICmicro; Outils / carte d'application:Développement; Type:Devel PISTOLET GAZ 1300C. MICRO-THERM; Hauteur:110mm; Largeur:65mm; Poids:68g; Profondeur:25mm MICROPHONE, MINIATURE, ELECTRET; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Profondeur:6mm; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Longueur/hauteur:2.7mm; Sensibilité:-40dB CORDON ASSEMBLE MICRO-FIT 4 VOIES 3M; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Contact Plating:Etain; Couleur:Noir; Courant:5A; Inflammabilité:UL 94V-0; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:4; Taille du conducteur:26AWG; Température de fonct MICROPHONE OMNI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:0.9V; Tension, alimentation max..:1.6V; Impédance, sortie:4.4kohm; Diamètre, extérieur:2.59mm; Hauteur, dimension externe:2.59mm; Profondeur:2.59mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Câble; Consommation de courant:50è¾A; Device Type:Mini microphone; Diamètre:2.59mm; Fréquence, fonctionnement max..:10000Hz; Impédance:4400ohm; Longueur/hauteur:2.59mm; Poids:0.08g; Ratio audio, signal / COMMUTATEUR MICRO-MINIATURE CMS; Configuration des contacts:SPST-NO; Force, fonctionnement:2.94N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Latéral; Terminaisons commutateur:Montage en surface; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contacts:SPST; Couleur levier / capuchon:Noir; Courant de contact c.c.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Durée de vie, électrique:100000; Force diélectrique, Vca:250VAC; Force, fonctionnement max..:30 MICROPHONE DE TABLE OMNI-DIRECTIONEL; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:2.2kohm; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16kHz; Connector Type:Connecteur 3,5 mm; Device Type:Microphone pour PC de bureau; Fréquence, fonctionnement max..:16kHz; Impédance:2.2kohm; Largeur (externe):100mm; Longueur/hauteur:265mm; Profondeur:107mm; Transducer Function:Microphone MICROCONTROLEUR 8 BITS 8K FLASH 256B RAM; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: CABLE ASSEMBLEE MICRO USB VERS USB A; Connecteur type A:USB 2.0 Micro B; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:Micro USB; Connecteur type B:USB A; Couleur:Noir; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m MICROCOMPUTER, 16BIT 40MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:40MHz; Tension, alimentation:5V; Type d'interface embarquée:Port hôte, Série; Nombre de MIPS:40; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:QFP; Nombre de broches:128; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:Host Port, Serial; Interface Type:Serial; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de la ré IC, MICROCONTROLLER, 62K 5V, MQFP52; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:62 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16.78MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CNA, CAN, PSM, TIC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC SWITCH, ANALOG DUAL SPST, MICROPAK-8; Type de commutation analogique:SPST; Nombre de voies:2; Bande passante:300MHz; Résistance, Ron, max..:1.15ohm; Temps, t off:4ns; Temps, t on:10ns; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:è¾PAK; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact, nombre de:2; Numéro de la fonction logique:1258; Résistance Rds on:0.95ohm; Résistance, Rds on max..:1.15ohm; Résistance MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire, FLASH:66KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fo MICROCONTROLEUR-DSP 16 BITS 30MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:30MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire, FLASH:132KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de MIPS:30; Nombre de bits:16; Numéro de la foncti MICROCONTROLEUR 16 BITS 64KB FLASH CMS; Série:dsPIC33F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, FLASH:64KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface:ECAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de bits:16; Numéro de la fonction logique:33FJ64M MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:Static, Fl MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:38Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/ MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:38Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microproces MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/cont MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéri MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC 8BIT DAC MICRO INTERFACE, PDIP, 558; Résolution (Bits):8bit; Taux d'échantillonnage:1.25Méch/s; Type de canal d'entrée:Parallèle; Interface de données:Parallèle; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:4.5V 16.5V, 11.4V 16.5V; Courant, alimentation:15mA; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:PDIP; Caractéris MICROCOMPUTER, 16BIT 40MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:40MHz; Tension, alimentation:5V; Type d'interface embarquée:Série; Nombre d'E/S:8; Nombre de MIPS:40; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:40MHz; Interface Type:Serial, UART; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de la référence:2184; T IC, MICROCONTROLLER, 62K 5V, MQFP52; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:62 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:12.58MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CNA, PSM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:52; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No IC, MICROCONTROLLER, 62K 5V, MQFP52; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:62 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:12.58MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CNA, PSM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:52; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No IC, OP AMP, I/O R/R MICROPOWER, 491; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:3MHz; Vitesse de balayage:0.5V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 12V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:3MHz; Racine de la référence:491; Tension, alimentation max..:12V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type d'E/S:Rail-Rail I/O; Type de boîtier:DIP; Type MICROCOMPUTER, 16BIT 25MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:25MHz; Alimentation du noyau:5.5V; Type d'interface embarquée:Port hôte; Nombre de MIPS:25; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Nombre de broches:68; MSL:MSL 5 - 48 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:25MHz; Interface Type:Serial; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de la référence:2101; Tension, alimentati IC, MICROCONTROLLER, 62K 3V, MQFP52; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:62 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16.78MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CNA, CAN, PSM, TIC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC IC, SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, 695; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:1mA; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:600mW; Dissipation de puissance Pd:600mW; Racine de la référence:695; Tension, aliment MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTR 16 BITS 32K FLASH 8K RAM CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 8K RAM; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTR 16 BITS 64K FLASH 8K RAM CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTR 16 BITS 64K FLASH 8K RAM CMS; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- IC, SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, 690; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:70è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:400mW; Dissipation de puissance Pd:400mW; Racine de la référence:690; Tension, alimentation max..:5.5V SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, SOIC16; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:0V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:70è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:25mA; Dissipation de puissance:700mW; Dissipation de puissance Pd:700mW; Racine de la référence:691; Tension, alimentat IC, SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, 693; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:1mA; Temps de retard:50ms; Type de boîtier CI numérique:WSOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:600mW; Dissipation de puissance Pd:600mW; Racine de la référence:693; Tension, alimenta MICROSWITCH, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:76gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:12V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Contacts:ON-OFF; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:0.1A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:0.5A; Courant de con MICROSWITCH, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA, VDE, TUV; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Courant de contact c.c. MICRORUPTEUR SPDT 7A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:7A; Courant de contact c.a. max.:7A; Courant de contact c.c. MICRORUPTEUR SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant MICRORUPTEUR SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.31N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de con MICROFILTRE ADSL; Couleur:White MICRORUPTEUR SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:1.95N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min MICROCONTRO 8 BITS 36K FLASH 40MHZ CMS; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:36KB; Taille EEPROM:36KB; Taille mémoire, RAM:2.5KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche KIT, BOARD EV2200 ((NW)); Silicon Fabricant:Texas Instruments; Nombre de noyau de silicium:bq2013H, bq2014H, bq2018; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Batterie; Application Sous Type:Jauge de carburant; Caractéristiques:Serial Communications Port of a PC, On Screen Display and Programming; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Provides Interface Between Intelligent Battery and Windows-Based PC, On Screen Display; Core Architecture:Jauge de carburant; Core Sub-Archite MICROPROCESSOR SUPERVISOR, SOIC8; Tension de seuil:1.235V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:12è¾A; Temps de retard:120è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +95°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.1V; Tension, seuil de mise en marche:1.235V; Type de boîtier:SOIC; Type TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-600mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-760mA; Dissipation de puissance:540mW; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-610mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-780mA; Dissipation de puissance:540mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison MICROCONTROLEUR 16 BITS DSPIC 20MIPS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:20MHz; Fréquence, fonctionnement max..:40MHz; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro de la fonction logique:30F20 MAIN BOARD KIT, USB, MICROSTAK; Core Architecture:PIC; Nom de famille Silicon:PIC; Contenu du kit:Main Microcontroller Board, USB to UART Connectivity, Stackable Prototype Boards, Documentation CD; Caractéristiques:Bootloader Programming, USB Connector, On Board Voltage Selectable; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:USB1 Connector for Bootloader Programming, USB2 Connector for Using PIC On Board USB Port; MCU Supported Families:PICmic MICROSCANNER 2 KIT, MS2-KIT; Type d'afficheur:LCD; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de testeur LAN:Ligne de données TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.3A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:-550mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CM TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.7A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-550mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CM IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:48 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:8MHz; Inter IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:116 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, CAN, DMA, Driver de LCD, RTC, SVS, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, JTAG, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MS IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:WSO; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:16MHz; Inte IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); IC, MICROPROCESSOR SUPERVISOR, SMD; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:40è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:HTSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5mA; Dissipation de puissance:2.14W; Dissipation de puissance Pd:2.14W; Racine de la référence:3305; Température de fo MICROPROCESSOR SUPERVISOR, SC-70-5; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:20è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5mA; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, seuil de mise en marche:2.93V; Type de boîtier:SC70; Type MICROCONTROLEUR 16 BITS 2KB FLASH SOIC20; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (1 REGULATEUR MICROPOWER CMS; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:3.382V; Tension, déclenchement:100mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:120mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:-30°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Chute de tension courant:100mV; Courant, sortie max.:100mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:2.5%; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-30°C; T MICROCONTROLEUR CMS 8 BITS; contrôleur Famille / Série:C500; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.25V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:CAN, USART; Interface:CAN, Serial; MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:C500; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.25V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface MICROSCANNER 2, MS2-100; Type d'afficheur:LCD; Type de générateur de ton:Oui; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de testeur LAN:Ligne de données MICROPHONE PRE-AMP; Application contrôle / process:Préamplificateurs différentiels bas bruit, Amplificateurs transducteurs bobine mobile; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI audio:DIP; Nombre de broches:8; Bande passante:7MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:1510; Numéro générique:1510; Racine de la référence:1510; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; T IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:LCD Driver, SVS, Timer; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fré IC, MICROCONTROLLER, 16BIT, SMD; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:48 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:5120Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH TSSOP14; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ADC, Timer; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:16MHz; G CIRCUIT UART SPI / MICROFIL; Nombre de voies:1; Taux de transfert:230Kilobaud; Caractéristiques UART:Compatible avec le temporisateur IrDA SIR, Un FIFO de 8 mots minimise le processeur; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:3.6864MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro générique:3100; Racine de la référence:3100; Taux de tr AMPLI OP RRI/O UCSP MICROPUISSANCE CMS; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:200kHz; Vitesse de balayage:0.115V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 10V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain, bande-passante -3dB:200kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:4163; Racine de la référence:4163; Température de fonctionnement max..: CORDON ASSEMBLE MICRO-FIT 6 VOIES 1M; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Contact Plating:Etain; Couleur:Noir; Courant:5A; Inflammabilité:UL 94V-0; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m; Nombre de voies:6; Taille du conducteur:26AWG; Température de fonct CORDON ASSEMBLE MICRO-FIT 6 VOIES 3M; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Micro-Fit Female; Connecteur type B:Micro-Fit Female; Contact Plating:Etain; Couleur:Noir; Courant:5A; Inflammabilité:UL 94V-0; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:6; Taille du conducteur:26AWG; Température de fonct FICHE MALE MICRO USB; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:ZX; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Carte PC; Type de montage:Carte PC FICHE BLINDEE MICRO USB; Série:ZX; Type d'accessoire:Micro B - Component Cover; A utiliser avec:Micro USB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:USB; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B 8BIT ADC SMPLING, MICRO CPTBLE, SMD; Résolution (Bits):8bit; Taux d'échantillonnage:1Méch/s; Type de canal d'entrée:Différentiel; Interface de données:Parallèle; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:4.75V 5.25V; Courant, alimentation:20mA; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Erreur -:1LSB; Nombre de bits:8; Nombre de voies:1; Racine de la référence:7821; Temps de conversion:0.66è¾s; Tension, ali MICROCOMPUTER, 16BIT 20MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:20MHz; Alimentation du noyau:5.5V; Type d'interface embarquée:Port hôte; Nombre de MIPS:25; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Nombre de broches:68; MSL:MSL 5 - 48 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:20MHz; Interface Type:Serial; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de la référence:2105; Tension, alimentati MICROCOMPUTER, 16BIT 33MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:33.3MHz; Tension, alimentation:5V; Type d'interface embarquée:Port hôte, Série; Nombre de MIPS:33; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:QFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:33.3MHz; Interface:Host Port, Serial; Interface Type:Serial; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de l MICROCOMPUTER, 16BIT 28MIPS, SMD; Série:ADSP-21xx; Nombre de bits:16; Fréquence:28.8MHz; Tension, alimentation:5V; Type d'interface embarquée:Port hôte, Série; Nombre de MIPS:40; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:QFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:28.8MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial; Mémoire externe supportée:EPROM; Racine de la référence SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, SOIC8; Tension de seuil:4.62V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:20è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10mA; Dissipation de puissance:900mW; Dissipation de puissance Pd:900mW; Racine de la référence:1232; Tension, alimenta SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, SOIC8; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:70è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:500mW; Dissipation de puissance Pd:500mW; Racine de la référence:690; Tension, alimentation max..:5.5V; SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, SOIC8; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:70è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:500mW; Dissipation de puissance Pd:500mW; Racine de la référence:692; Tension, alimentation max..:5.5V; IC, SUPERVISOR, MICROPROCESSOR, 696; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:1mA; Temps de retard:50ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:600mW; Dissipation de puissance Pd:600mW; Racine de la référence:696; Tension, alimentatio MICROSWITCH, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:80gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CSA; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:3A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant MICRORUPTEUR SPDT 20A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:6.12N; Terminaisons commutateur:Screw; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE, DEMKO, CSA; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:20A; Courant de contact c.a. max.:20A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:20A; Course min:2.39mm; Déplaceme TRANSISTOR MOSFET N MICRO3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.2A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CMS MICROPROCESSOR SUPPORT, SOT-23-5; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:15è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre d'E/S:1; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.1V; Type de boîtier:SOP; Type de terminaison:CMS MICROCONTROLEUR 16 BITS 8KB FLASH SOIC28; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:8MHz; Gamme de température, circuit intégré:In MICROCONTROLEUR 16 BITS 8KB FLASH LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températ MICROCONTROLEUR 16 BITS 16K FLASH LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85° MICROCONTROLEUR 16BITS 32K FLASH LQFP64; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85° MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH LQFP80; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, DAC, DMA, LCD Driver, SVS, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec- LOUDSPEAKER, MICRO; Transducer Function:Haut-parleur dynamique avec micro; Puissance efficace:0.3W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:1.1kHz; Réponse en fréquence, limite basse:1.1kHz; Réponse en fréquence, limite haute:20kHz; Diamètre, extérieur:13mm; Hauteur, dimension externe:3.1mm; Largeur (externe):3.1mm; Profondeur:13mm; Diamètre:13mm; Diamètre, aimant:6.5mm; Distance, niveau sonore:10cm; Longueur/hauteur:3.1mm; Matière:Métal; Niveau de bruit:84dB; Poids:1.1g; Puissance max..:0.5 W; T LOUDSPEAKER, MICRO; Transducer Function:Haut-parleur dynamique avec micro; Puissance efficace:0.2W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:520Hz; Réponse en fréquence, limite basse:520Hz; Réponse en fréquence, limite haute:6.5kHz; Diamètre, extérieur:28mm; Hauteur, dimension externe:4mm; Largeur (externe):4mm; Profondeur:28mm; Diamètre:28mm; Distance, niveau sonore:10cm; Impédance 1kHz:8ohm; Longueur/hauteur:4mm; Matière:Metal; Niveau de bruit:91dB; Poids, aimant:4.5g; Puissance max..:0.3 W; Tem LOUDSPEAKER, MICRO; Transducer Function:Haut-parleur dynamique avec micro; Puissance efficace:0.15W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:450Hz; Réponse en fréquence, limite basse:450Hz; Réponse en fréquence, limite haute:6kHz; Diamètre, extérieur:36mm; Hauteur, dimension externe:5mm; Largeur (externe):5mm; Profondeur:36mm; Diamètre:36mm; Distance, niveau sonore:10cm; Impédance 1kHz:8ohm; Longueur/hauteur:5mm; Matière:Metal; Niveau de bruit:93dB; Poids, aimant:8g; Puissance max..:0.3 W; Tempér LOUDSPEAKER, MICRO; Transducer Function:Haut-parleur dynamique avec micro; Puissance efficace:0.15W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:530Hz; Réponse en fréquence, limite basse:530Hz; Réponse en fréquence, limite haute:7kHz; Diamètre, extérieur:40mm; Hauteur, dimension externe:4.9mm; Largeur (externe):4.9mm; Profondeur:40mm; Diamètre:40mm; Distance, niveau sonore:10cm; Impédance 1kHz:8ohm; Longueur/hauteur:4.9mm; Matière:Metal; Niveau de bruit:92dB; Poids:10.3g; Puissance max..:0.3 W; Tempé MICROPHONE, ELECTRET, CONDENSER; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Largeur (externe):1.5mm; Profondeur:4mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Fréquence, fonctionnement min.:100Hz; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:1.5mm; MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Gold Crosspoint; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Courant de contact max.:100mA; Cour MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:150gf; Terminaisons commutateur:CI; Approval Bodies:ENEC / KEMA-KEUR; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Point de croisement or; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Course min:0.6mm; Durée de vie, électrique:6000; Déplacement, différentiel:0.10mm; MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:55gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Cou MICRORUPTEUR SPDT LEVIER COURT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:55gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Course min:2 MICRORUPTEUR SPDT LEVIER MOYEN; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:95gf; Terminaisons commutateur:A souder; Approval Bodies:ENEC / KEMA-KEUR; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Point de croisement or; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Course min:1.5mm; Durée de vie, électrique:6000; Déplacement, différentiel: MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:200gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide / A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact MICRORUPTEUR SPDT LEVIER COURT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:80gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide / A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant d MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:200N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:1 MICRORUPTEUR SPDT SIM. ROLLER LEVER; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:200N; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuAgPt; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Course min:1.5mm; Déplacement, différentiel:0.6mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; Force, fonctionnement:0.8N; IP / NEMA Rating:IP6K7; Inflammabilité:UL MICRORUPTEUR SPDT LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Terminaisons commutateur:Quick Connect / Solder; Approval Bodies:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:1A; Courant de contact max.:5A; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; IP / NEM MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.8N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide / A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:340gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect / Solder; Approval Bodies:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Course min:0.6mm; Déplacement, différentie MICRORUPTEUR SPCO PLONGEUR; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:100gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; C MICRORUPTEUR SPCO SHORT ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:100gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:ENEC, VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Course min:1.0mm; Déplaceme MICROSWITCH. SPDT SHORT LEVER; Configuration des contacts:DPDT; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Style d'actionneur:Poussoir; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Couleur levier / capuchon:Blanc; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:DPDT; Contact Material:Oxyde de cadmium argent; Contacts:Off-(On); Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Duré TAMPONS MICRO-BATON PQT100 MICROCONTROLEUR 32BITS 64K FLASH TQFP64; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6 MICROCONTROLEUR 32BIT 256K FLASH TQFP100; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; C MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/ MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:369Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-D REG, LINEAR, 0.15A, SMD, MICRO SMD4; Tension d'entrée primaire:2.8V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:80mV; Nombre de broches:4; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾Bump; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:2%; Racine de la référence:5900; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..: MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heur MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); F MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:16MHz; MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:38; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréq MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 8K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 128K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche COMPARATEUR MICROPUISSANCE DOUBLE; Type de comparateur:Basse consommation; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:16è¾s; Type de sortie CI:CMOS, Push Pull; Compatibilité de sortie:CMOS; Courant, alimentation:350nA; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de comparateurs:1; Nombre de voies:1; Racine de la référence:9119; Température de fonctionnement MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:65gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Course min:2.0 MICRORUPTEUR SPDT LEVIER MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:200N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:140gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Couleur:Gris; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c HALL EFFECT COMMUT MICROPOWER SIP3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:1mA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Nombre de broches:3; Racine de la référence:3213; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.4V; Type d'effet Hall:Interrupteur; Type de boîtier:SIP; Type de boîtier de capteur CI:SIP; Type de terminaison:Traversant MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/cont MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC: MICROCONTROLEUR 32BIT 512K FLASH TQFP100; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SV MICROCONTROLEUR 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:PROM OTP 512 octe MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3368Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisat MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:195Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:372Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De EMBASE MICRO FIT 14 VOIE; Série:Mini-Fit 3.0; Pas:3mm; Terminaison du contact:A souder; Nombre de contacts:14; Nombre de rangées:2; Montage connecteur:CI; Genre:Connecteur mâle; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Connector Type:Fil- -carte; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:14; Pas:3mm; Type de connecteur:Fil- -carte MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 SHEAR, MICRO; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CNA, Driver de LCD, Minuterie; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 2 - 1 an; MICROPHONE, MINI SISONIC, AMPLIFIED; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, alimentation max..:5.5V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:100ohm; Hauteur, dimension externe:1.25mm; Largeur (externe):3.759mm; Profondeur:4.724mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Brief Features:Omni-directionnel; Fonction CI:Microphone; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Nombre de broches:6; Racine de la référence:0206; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Températ MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 1K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8M COMPARATEUR MICROPUISSANCE SIMPLE; Type de comparateur:Haute vitesse.; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:120ns; Type de sortie CI:Push Pull; Courant, alimentation:53è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de comparateurs:1; Nombre de voies:1; Racine de la référence:987; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min: MICROPHONE, ELECTRET, CONDENSER; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Profondeur:6mm; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Fréquence, fonctionnement min.:20Hz; Impédance:2.2kohm; Longueur, broche:2.8mm; Longueur/hauteur:2.7mm; Matière:AL MICROPHONE, ELECTRET, CONDENSER; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Largeur (externe):1.5mm; Profondeur:4mm; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Fréquence, fonctionnement min.:20Hz; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:1.5mm; Poids:0.15g; Sensibilité:-42dB è… 3 MICROPHONE, ELECTRET, CONDENSER; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Largeur (externe):1.5mm; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Fréquence, fonctionnement min.:100Hz; Impédance:2.2kohm; Longueur, broche:1.6mm; Longueur/hauteur:1.5mm; M FEMELLE MICRO USB B MID MOUNT; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:47491; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:1A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:CI; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C; CONNECTEUR MICRO SD HEADER 3.75MM; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:47309; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Genre:Embase; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.1mm; Résistance d'isolement:100Mohm; Résistance, contact:25mohm; Température de fonctionnement max..:8 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de température, circui CONNECTEUR MICRO SD HEADER 3.35MM; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:47309; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Genre:Embase; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.1mm; Résistance d'isolement:100Mohm; Résistance, contact:25mohm; Température de fonctionnement max..:8 MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Terminaisons commutateur:PCB; Approval Bodies:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Gold Crosspoint; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.6mm; Du MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Cours MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:250gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Gold Crosspoint; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Course min MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:95gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:10.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Course min:1.5mm; Duré MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Type de Microswitch:Action instantanée; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Course min:0.6mm; Déplacement, différentiel:0.1mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; Force, fonctionnement:2N; IP / NEMA Rating:IP6K7; Inflammabilité:UL 94V-O; Largeur (externe):20mm; Longueur cordon:500mm; Longueur/hauteur:15.25mm; Matiè MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.4N; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Course min:0.6mm; Déplacement, différentiel:0.1mm; E MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Type de Microswitch:Action instantanée; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AgSnO2; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant, inductif:3A; Courant, résistif:3A; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; Force, fonctionnement:2.2N; IP / NEMA Rating:IP40; Inflammabilité:UL 94 V-0; Largeur (externe):20mm; Longueur/hauteur:9.7mm; Matière:PET; Nombre de pâles:1; P MICRORUPTEUR SPCO LEVIER MOYEN; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:8gf; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPCO; Contact Material:Or; Contacts:SPCO; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Course min:2.3mm; Déplacement, différentiel:0.8mm; Force, fonctionnement:0.08N; Inflammabilité:UL 94V-O; Largeur (externe):27.8mm; Longueur/hauteur:16.2mm; Matière:PET; Nom MICRORUPTEUR SPCO LEVIER MOYEN; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:50gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. ma MICRORUPTEUR SPCO LEVIER LONG; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:22gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max MICRORUPTEUR SPCO LEVIER GALET MOYEN; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:50gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c MICRORUPTEUR SPCO LEVIER MOYEN; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:50gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. ma MICRORUPTEUR SPDT LEVIER COURT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:45gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Couleur:Gris; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de EMBAE FEMELLE MICRO USB TYPE AB; Type de connecteur:USB 2.0 Micro A/B; Série:Micro USB; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur palladium nickel; Couleur:Grey; Matière:Stainless Steel; Orientation du connecteur:Carte PC MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S SWITCH, USB 2 2-PORT, MICROPAK-10; Type d'USB:Commutateur USB; Version USB:2.0; Taux de transfert:480Mbps; Nombre de ports:2; Gamme de tension d'alimentation:4.3V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:MicroPak; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:40; Type de boîtier:MicroPak; Type de boîtier commutateur analogique:MicroPak; Type de terminaison:CMS MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH 5V CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heu MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heur MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:48 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 168 heures; MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 16K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 1K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 1K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8 COMPARATEUR MICROPUISSANCE DOUBLE; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:300ns; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:12è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de comparateurs:2; Nombre de voies:2; Racine de la référence:989; Température de fonctionnement max..:85°C LOUDSPEAKER, MICRO; Transducer Function:Haut-parleur; Puissance efficace:0.3W; Impédance:8ohm; Fréquence de résonance:560Hz; Réponse en fréquence, limite basse:560Hz; Réponse en fréquence, limite haute:7kHz; Diamètre, extérieur:20mm; Largeur (externe):3.1mm; Profondeur:20mm; Diamètre:20mm; Distance, niveau sonore:10cm; Impédance 1kHz:8ohm; Matière:Metal; Niveau de bruit:92dB; Poids, aimant:2.3g; Puissance max..:0.5 W; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-20°C MICROPHONE, ELECTRET, CONDENSER; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Fréquence, fonctionnement min.:100Hz; Impédance:2.2kohm; Longueur/hauteur:2.7mm; Matière:AL; Poids:0.3g; Sensibilité:-42dB è… 3 (f = 1kHz, 1Pa 0dB=1V/Pa); T 40 MICRON FOIL DUCT TAPE; Type de bande:Etanchéité; Matériau Surface Ruban:Aluminium; Largeur Ruban - Métrique:50mm; Largeur Ruban - Impérial:1.97''; Longueur Ruban - Métrique:45m; Longueur Ruban - Impérial:147.64ft; Couleur Ruban:Argent; Couleur:Argent; Epaisseur, matériau:0.08mm; Largeur, bande:50mm; Longueur, bande:45m; Matière:Aluminium Foil; Normes:BS476 Part 6 & 7 Category 1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:110°C; Température d'utilisation min:-20°C MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:55gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Course mi MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Course min:0. MICRORUPTEUR SPDT LEVIER MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Gold Crosspoint; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0. MICRORUPTEUR SPDT LEVIER LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:60gf; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Silver Alloy; Contact Plating:Gold Crosspoint; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:2. MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:50gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Course m MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:20gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Course min:4.0mm; MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:6A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Course min: MICRORUPTEUR SPDT SHORT ROLLER LEVER; Type de Microswitch:Action instantanée; Force, fonctionnement max..:250gf; Terminaisons commutateur:CI; Approval Bodies:ENEC / KEMA-KEUR; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Alliage d'argent; Contact Plating:Point de croisement or; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Course min:0.6mm; Durée de vie, électrique:6000; Déplacement, différentiel MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:200gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide / A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:48V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max FEMELLE MICRO USB AB TOP MOUNT; Type de connecteur:USB 2.0 Micro A/B; Série:47590; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:1A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:CI; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20 FEMELLE MICRO USB AB BOTTOM MOUNT; Type de connecteur:USB 2.0 Micro A/B; Série:47589; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:1A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:CI; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min: FEMELLE MICRO USB B BOTTOM MOUNT; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:47346; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:1A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:CI; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20 CONNECTEUR MICRO SD HEADER 2.65MM; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:47309; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Genre:Embase; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.1mm; Résistance d'isolement:100Mohm; Résistance, contact:25mohm; Température de fonctionnement max..:8 CONVERTISSEUR DC/DC STEP DOWN 1A 6MICRO; Tension d'entrée primaire:3.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:1.5V; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾CMS; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.7A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:4MHz; Précision:1%; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-30°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, ali MICRORUPTEUR SPDT LEVIER MOYEN; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.2N; Terminaisons commutateur:Quick Connect / Solder; Approval Bodies:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Course min:1.5mm; Déplacement, di MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Type de Microswitch:Action instantanée; Approval Bodies:ENEC / VDE; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Contacts:SPDT; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Course min:1.5mm; Déplacement, différentiel:1.0mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2mm; Force, fonctionnement:1.3N; IP / NEMA Rating:IP6K7; Inflammabilité:UL 94V-O; Largeur (externe):20mm; Longueur/hau MICRORUPTEUR SPDT PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.4N; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:VDE, ENEC; Boîtier de commutateur:PET / PBT; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:AuNi; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Course min:0.6mm; Déplacement, différentiel:0.1mm; E MICRORUPTEUR SPCO SHORT ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:100gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:ENEC, VDE; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Alliage d'argent; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Course min:1.0mm; Déplaceme MICRORUPTEUR SPDT STRAIGHT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:2.4N; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:KEMA KEUR; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Oxyde de cadmium argent; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:4A; Course min:2.1mm; Déplacement, d MICRO KIT CMS 6 PCS; Contenu du kit:5-Pcs of Precision Tweezers & a Tip Cutter CORDON ASSEMBLE USB VERS USB B MICRO 1M; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; Type de câble assemblé:USB; Connecteur type A:USB, Type A; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m; Matière, contact, connecteur A:Copper Alloy; Matière, contact, connecteur B:Copper Alloy; Plaquage contact connecteur A:Or sur nickel; Plaquage contact conn MODULE, ECIO, 40PIN PICMICRO; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:8bit 18 Series PICmicro, Programmable from USB, Bootloader S/W Included, 4MHz Ceramic Resonator; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MICRO 8 BITS 16K FLA 2.7-5.5V TQFP32; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 - 16 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:25MHz; Fréquence, typique:25MHz; Gamme de température, circuit intég MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.35V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); IC, OP-AMP MICROPOWER, 8SOIC; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:35kHz; Vitesse de balayage:0.01V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 1.35V è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:35kHz; Racine de la référence:241; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de boîtier:SOIC; Type d CABLE, MICROPHONE, 6MM, BLUE, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Bleu; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC; Nombre de conducteurs CABLE, MICROPHONE, 6MM, WHITE, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Blanc; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Blanc; Couleur, isolation secondaire:Blanc; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC; Nombre de conduct CABLE, MICROPHONE, 6MM, BLACK, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC IC, MICROPROCESSOR SUPPORT; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.2V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:15è¾A; Temps de retard:240ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation de puissance Pd:320mW; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation m IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:4.63V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:500mV 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Dissipation de puissance Pd:300mW; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min CONNECTOR, AMC FOR MICROTCA IN CON:CARD+; Type de connecteur:Bord de carte; Pas, rang:1.5mm; Pas:1.5mm; Nombre de contacts:170; Genre:Embase; Terminaison du contact:Montage la presse vertical; Nombre de rangées:5; Plaquage du contact:Palladium; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Carte- -carte; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Palladium nickel; Méthode de terminaison:Montage la presse; Nombre de voies:170; Pas:1.5mm MICROCONTROLEUR 16 BITS 1M FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:119; Taille mémoire de programme:1 MB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.13V 5.5V, 2.7V 2.9V; Température de f MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE100 12F675; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE100 12F683; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; S MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE15 16F737; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE42 16F88; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; S MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE42 18F1320; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE27 18F2550; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 16 BITS 16FX 544K FLASH 100QFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:82; Taille mémoire de programme:544 KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de bro MICRO 16 BITS 16FX 288K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:288 KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:20; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROMETRE NUMERIQUE 1-2''/25-50 IP65; Gamme de mesure max..:50mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:25mm; IP / NEMA Rating:IP65; Précision mm / pouces:è… 0.001mm / 0.00005''; Résolution:0.001mm / 0.00005'' MICROMETRE EXT. 0-1'' FRICTION A TAMBOUR; Gamme de mesure max..:1''; Graduations:0.0001''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0''; Graduation:0.0001''; Précision:è… 0.0001''; Précision mm / pouces:0.0001'' TETE MICROMETRE MINI 0-6.5MM .01MM; Gamme de mesure max..:6.5mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.005mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Précision:è… 5è¾m; Précision mm / pouces:5è¾m SUPPORT POUR MICROMETRE JUSQU'A 4''/100MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Micrometer; Hauteur:102.15mm; Longueur:139.5mm MICROCONTROLEUR 8 BIT CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 32 BITS FLASH 128K CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (18-Ju MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH SOIC28; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:3.84KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:6.4mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:6.4mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:6.4mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:11.1mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:11.1mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:11.1mm; Matière:Nylon 6.6 MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:60 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-20 MICROCONTROLEUR FLASH ULTRA LO PWR; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL: MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 8K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 8K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, LCD Driver, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 128K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 128K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS 96K FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:96KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:1024Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC ( OUTIL A SERTIR MICRO FIT; Applications de sertissage:Bornes sertir Micro-Fit 3.0? de calibres 20AWG 30AWG; Numéro AWG max..:30AWG; Numéro AWG min.:20AWG; Série:T0102 COMPARATEUR MICROPUISSANCE SIMPLE; Type de comparateur:Basse consommation; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:3è¾s; Type de sortie CI:CMOS, TTL; Courant, alimentation:2.8è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de comparateurs:1; Nombre de voies:1; Racine de la référence:9021; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alim CONNECTEUR MICRO SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:LCP; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:80mohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:10V; Tension, supportée:500V MICROCONTR 8 BITS 7K FLASH 1.8V SSOP18; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre IË›C RTC, W/T CHARGER, 3.3V, MICROSOP 8; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:hh:mm:ss; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Gamme de tension d'alimentation:2.97V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:è¾SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Caractéristiques RTC:Détection automatique de défaut d'alimentation; Fréquence, horloge:32.768kHz; Interface:Serial, I2C; Interface Type:Serial; Nombre de canaux de sortie:1; Racine de la référence:1340; MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MICROCONTROLEURS 36 E/S; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROPROCESSEUR SUPPORT; Tension de seuil:2.63V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Type de boîtier:3-SOT-23 DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.2V; Type de boîtier:3-SOT-23 MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.5mm; Durée de vie, mécanique:30000000; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.1m SOCKET, MICRO SATA, TOP MOUNT; Type de connecteur:SATA; Série:Micro SATA, 78320; Genre:Embase; Nombre de contacts:16; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:SATA; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Courant:1.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Nylon 9T; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:16; Orientation du DIGITAL MICROSCOPE WITH LCD MONITOR; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:10cm; Poids:90g; Profondeur:3.2cm; Tension, entrée:3.7V MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, RTC; Type d'interface embarquée:JTAG, SPI, USART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nomb MODULE, ECIO, 28PIN PICMICRO; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:8bit 18 Series PICmicro, Programmable from USB, Bootloader S/W Included, 4MHz Ceramic Resonator; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MICRO 8 BITS 8051 4K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Inter MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 - 168 heure MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 28PDIP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2 MICRO 8 BITS 16K FLA 2.7-5.5V PDIP28; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO USB TYPE B, PLUG; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:ZX; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Traversant vertical; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Mini USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Résine synthétique; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du MICRO USB TYPE B, PLUG; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:ZX; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Traversant vertical; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Mini USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Résine synthétique; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:5; Orientation du RACK AM35B FOR DIGITAL MICROSCOPE; A utiliser avec:Dino Lite Digital Microscope; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:310mm; Largeur (externe):160mm; Poids:1.2kg; Profondeur:70mm; Type d'accessoire:Rack OP AMP, QUAD MICROPOWER, 14TSSOP; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:430kHz; Vitesse de balayage:0.16V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 1.1V è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:TSSOP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:430kHz; Racine de la référence:4244; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:2.2V; Type de boîtier:TSSO CABLE, MICROPHONE, 7MM, RED, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Rouge; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:7mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Rouge; Couleur, isolation secondaire:Rouge; Diamètre extérieur:7mm; Matière, isolant secondaire:PVC CONDENSATEUR MICRO-ONDE 1PF; Capacité:1pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:25V; Type de boîtier de condensateur:0402; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:Accu-P; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS IC, MICROPROCESSOR SUPPORT; Tension de seuil:3.08V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:3.08V; Tension, alimentation min.:1.2V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS IC, MICROPROCESSOR, SUPPORT; Tension de seuil:2.25V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:15è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.1V; Type de boîtier:SOP; Type de terminaison:CMS IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:3.08V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:15è¾A; Temps de retard:240ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation de puissance Pd:320mW; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation m IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:3.08V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:500mV 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Dissipation de puissance Pd:300mW; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:4.59V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10mA; Dissipation de puissance:625mW; Dissipation de puissance Pd:625mW; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:1V; Tension, seuil de mis IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:13.5V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 18V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:1.8mA; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:16mA; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:3.5V; Tension, seuil de mise en marche:13.5V; Type de boîtier:PDIP; Type de sort IC, VOLTAGE DETECTOR, MICRO, SUP.; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 4V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:13è¾A; Temps de retard:380ms; Type de boîtier CI numérique:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5mA; Tension, alimentation max..:4V; Tension, alimentation min.:1.6V; Tension, seuil de mise en marche:2.93V; Type de boîtier:SC70; T CONNECTEUR MICRO SD/SIM COMBI; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:9162; Nombre de contacts:6; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Nickel; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SIM; Contact Material:Nickel; Contact Plating:Or; Couleur:Silver; Format broche:SIM; Nombre de cycles d'accouplements:6000; Nombre de voies:6; Orientation du connecteur:Carte PC; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation mi MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE42 16F628; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC: MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE42 16F819; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC MICROCONTROL 8 BITS FLASH TUBE25 16F84; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du mic MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE27 16F876; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SV MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE27 18F2520; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE15 18F2520; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE15 18F2525; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE27 18F252; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE27 18F2620; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE15 18F2620; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRO 16 BITS 16FX 288K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:288 KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:20; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROMETRE EXT. 1-2'' A CLIQUET; Gamme de mesure max..:2''; Graduations:0.0001''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:1''; Graduation:0.0001''; Précision:è… 0.0001''; Précision mm / pouces:0.0001'' JAUGE DE PROF. MICROMETRIQUE 0-25MM 60MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Précision:è… 3è¾m; Précision mm / pouces:3è¾m; Taille de la base:60 x 16mm TETE MICROMETRE STD 0-13MM .01MM; Gamme de mesure max..:13mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.002mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Précision:è… 2è¾m; Précision mm / pouces:2è¾m MICROMETRE NUM. 0-1'' IP65 QUANTUMIKE; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; IP / NEMA Rating:IP65; Précision:è… 1è¾m; Résolution:0.001mm / 0.00005'' MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:M16C; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:10; Périphériques:ADC, DMA, PWM, TIM; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Caractéristiques du microprocess IC, MICROMONITOR, 5V, 5%, 8SOIC; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:60è¾A; Temps de retard:205ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Racine de la référence:1705; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.2V; Tension, EEPROM 4K MICROFIL 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, 3-Wire; Numéro générique:93C66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionneme MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:19.1mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:19.1mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:19.1mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:4.8mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:4.8mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:7.9mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.9mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:7.9mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:12.7mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:12.7mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:12.7mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:14.3mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:14.3mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:14.3mm; Matière:Nylon 6.6 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, RTC; Type d'interface embarquée:JTAG, SPI, USART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nom MICRO FER A SOUDER SANS PANNE; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+65°C +454°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONVERTISSEUR DC/DC STEP DOWN 1A 6MICRO; Tension d'entrée primaire:3.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:1.8V; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾CMS; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.7A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:4MHz; Précision:1%; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-30°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, ali IC, OP AMP CMOS DUAL MICRO 8-SOIC; Type d'AOP:Précision; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:100kHz; Vitesse de balayage:0.035V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 15.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:100kHz; Racine de la référence:6062; Tension, alimentation max..:15.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS; Vit MICROSCOPE NUMERIQUE AVEC RACK AM35B; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Poids:1.8kg MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC22xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-De CORDON ASS. USB VERS USB B MICRO 1.5M; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:4.92ft; Longueur de câble - Métrique:1.5m; Type de câble assemblé:USB; Connecteur type A:USB, Type A; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Longueur cordon:1.5m; Longueur câble:1.5m; Matière, contact, connecteur A:Copper Alloy; Matière, contact, connecteur B:Copper Alloy; Plaquage contact connecteur A:Or sur nickel; Plaquage contact DIODE DE COMMUTATION MICROMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175°C; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH QFN44; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 Kwords; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:- MICRO 8 BITS 8051 2K FLASH 20DIP; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Interface:UART; Interface MICRO 8 BITS 8051 4K FLASH 20DIP; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Interface:UART; Interface MICRO 8 BITS 8051 4K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Inter MODULE, ECIO, 40PIN PICMICRO, 4PK; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Usable with Labview and VB, C++, USB Powered; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MICRO WIRE STRIPPER, 0.25-0.8MM; Capacité de décapage AWG:20AWG; Longueur, nappe:15mm; A utiliser avec:Solid & Stranded Wires; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité de coupe:30AWG; Capacité de décapage:0.8mmË›; Couleur:black/yellow; Diamètre, câble max..:0.8mm; Diamètre, câble min.:0.25mm REF DE TENSION MICROPOWER 1.2V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Marquage composant:LM385LP-1-2; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Tolérance:2%; Tolérance de la référence de tension:2%; Type RF/MICROWAVE CAPACITOR 27PF; Capacité:27pF; Tolérance de capacité:è… 5%; Tension:1kV; Type de boîtier de condensateur:1210; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Type de boîtier:1210; Type de terminaison:CMS RF/MICROWAVE CAPACITOR 0.6PF; Capacité:0.6pF; Tolérance de capacité:è… 0.02%; Tension:25V; Type de boîtier de condensateur:0402; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:Accu-P; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS; Type du diélectrique:Polyphénylène sulfide (PPS) RF/MICROWAVE CAPACITOR 3.3PF; Capacité:3.3pF; Tolérance de capacité:è… 0.1%; Tension:25V; Résistance, ESR:0.14ohm; Type de boîtier de condensateur:0402; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitor Mounting:CMS; Série:Accu-P; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS; Type du diélectrique:Polyphénylène sulfide (PPS) RF/MICROWAVE CAPACITOR 4.3PF; Capacité:4.3pF; Tolérance de capacité:è… 0.1%; Tension:25V; Type de boîtier de condensateur:0402; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:Accu-P; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS; Type du diélectrique:Polyphénylène sulfide (PPS) RF/MICROWAVE CAPACITOR 1PF; Capacité:1pF; Tolérance de capacité:è… 0.1%; Tension:50V; Résistance, ESR:0.34ohm; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitor Mounting:CMS; Série:Accu-P; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS; Type du diélectrique:Polyphénylène sulfide (PPS) RELAY SOCKET, MICRO ISO, PCB, AUTOMOTIVE; Type d'accessoire:Socket; Montage de la prise:PCB; Bornes de la prise:Connexion rapide; Largeur (externe):15.2mm; Longueur/hauteur:14.5mm; Profondeur:22.6mm; Série:Micro ISO Relay Socket; Température de fonctionnement max..:23°C; Type:Encliquetable; Type de borne:Through Hole; Type de montage:PCB; Type de terminaison: souder MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:24 Kwords; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:3.25KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, ECAN, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:4.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 6V, 700mV 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:0.7V; Tension, seuil de mise en marche:4.3V; Type de boîtier:3-SOT-23A MICRO LED RED/ORANGE; Taille de lampe:1.6mm x 2mm; Couleur de LED:Rouge Orange; Intensité lumineuse:150mcd; Angle, vision:140°; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2V; Montage LED:SMD; Forme de lentille:Rectangulaire; Longueur d'onde typ.:630nm; MSL:MSL 3 - 168 heures; Couleur, LED:Red Orange; Courant, direct, If:20mA; Dimension de la lentille:1206; Intensité lumineuse typique:200è¾cd; Longueur d'onde dominante:625nm; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; T MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.49N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:1.2mm; Durée de vie, mécanique:30000000; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.8mm; MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.49N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:1.2mm; Durée de vie, mécanique:30000000; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentie MICROCONTROLEUR 8 BITS 1.8-5.5V, SOIC-14; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de CD-ROM FLOWCODE 3 POUR PIC MICRO; Core Architecture:PIC; Familles supportées:PIC12, PIC16, PIC18; Edition de logiciels:Étudiant; Hôtes pris en charge:Windows XP, Vista; Fonction outil:Logiciel de développement de microcontrôleur; Supported Devices:PIC12F609, PIC12F615, PIC16F610, PIC16F616, PIC18F1220, PIC18F1230; Type d'accessoire:Flowcode for PICmicro MCUs EMBASE FEMELLE MICRO USB TYPE B; Type de connecteur:USB 2.0 Micro B; Série:ZX; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Micro USB; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:1.8A; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Carte PC; T PLUG, MICRO SATA, HDD; Type de connecteur:SATA; Série:Micro SATA, 78103; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:16; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:SATA; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Courant:1.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:LCP; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:16; Orientation du conn SOCKET, MICRO SATA, MID MOUNT; Type de connecteur:SATA; Série:Micro SATA, 78109; Genre:Embase; Nombre de contacts:16; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:SATA; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Courant:1.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Nylon 9T; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:16; Orientation du POCKET MICROSCOPE, X 40 MAG.; Magnification:40x; Facteur de grossissement:40; Gamme de mesure max..:2mm; Poids:20g ILLUM. MINI MICROSCOPE X 40, SCALE; Magnification:40x; Light Source:Lampe 2,2V; Facteur de grossissement:40; Hauteur:125mm; Sub-division d'échelle:4mm MICRO 8 BITS 8051 2K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Interfa MICRO 8 BITS 8051 4K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Interface:UART; Interfac MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MSL:MSL 3 - 168 heures; S MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 28PDIP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun IC, OP AMP, MICROPOWER, 14SOIC; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:350kHz; Vitesse de balayage:0.17V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:350kHz; Racine de la référence:4347; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.3V; Type de boîtier:SOIC; Type de CABLE, MICROPHONE, 6MM, RED, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Rouge; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Rouge; Couleur, isolation secondaire:Rouge; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC; Nombre de conducteu CABLE, MICROPHONE, 7MM, BLACK, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:7mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre extérieur:7mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC CABLE, MICROPHONE, 7MM, BLUE, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:7mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Diamètre extérieur:7mm; Matière, isolant secondaire:PVC IC, MICROCONTROLLER, 8 BIT; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, h IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension de seuil:1.27V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2V 40V; Courant, alimentation:560è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10mA; Dissipation de puissance:450mW; Dissipation de puissance Pd:450mW; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, seuil de mise en marche:1.27V; Type de IC, VOLTAGE DETECTOR, MICRO, SUP.; Tension de seuil:4.55V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:20è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5mA; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, seuil de mise en marche:4.55V; Type de boîtier:SC70; Type MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE100 12F629; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE57 16F676; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE57 16F688; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE25 18F1320; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE15 18F2420; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE10 18F4620; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3968Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 16 BITS 16LX 128K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16LX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19 MICRO 16 BITS 16FX 288K FLASH 120LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:96; Taille mémoire de programme:288 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS FLASH 128K; contrôleur Famille / Série:M16C/Tiny; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:71; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:10; Périphériques:ADC, DMAC, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:15.9mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:15.9mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:15.9mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:20.6mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:20.6mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:20.6mm; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:25.4mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:25.4mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Matière:Nylon 6.6 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:3.2mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:34.9mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:3.2mm; Matière:Nylon 6.6 MICRO HUB USB 2.0 4PTS LED + CORDON RET.; Nombre de ports:4; Style de hub:Alimenté; Hub alimenté:USB 2.0; Ports, number of:4 CASQUE STEREO USB + MICRO TUBE; Connector Type:USB; Impédance:32ohm; Longueur cordon:2.2m; Puissance efficace:80mW; Réponse en fréquence, limite basse:20Hz; Réponse en fréquence, limite haute:20kHz KIT, 78Q2133 MICROPHY MII EVAL BOARD; Silicon Fabricant:Teridian; Nombre de noyau de silicium:78Q2133; Kit Application Type:Interface; Application Sous Type:MII; Contenu du kit:MicroPHY MII Demo Board, Demoboard Parts List, Schematic, PCB Gerber File, MicroPHY Data Sheet; Caractéristiques du kit:Auto Sensing, Auto Switching, 10/100BASE-TX Fast Ethernet Transceiver, Network Physical Interface; Contenu du kit:Carte de démo MicroPHY MII, Liste des composants sur la carte de démo, Fichiers Gerber po MICROSCOPE NUMERIQUE AVEC RACK AM35B; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; Hauteur de travail:144mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Poids:1.8kg ELECTRICITY MONITOR, MICRO, WIRELESS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blanc; Type de câble assemblé:Cordon électrique MICROSWITCH, SPDT, 5A, BUTTON; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:210gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact m MICROSWITCH, SPDT, 10A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier court; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:201gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Durée de v MICROSWITCH, SPDT, 10A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:100gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Durée de vie, mécaniqu MICROSWITCH, SPDT, 10A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:60gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Durée de vie, MICROSWITCH, SPDT, 10A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:120gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Cou MICROSWITCH, SPDT, 1A, SIM LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:20gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:5V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:30mA; Courant de contac MICROSWITCH, SPDT, 1A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:30gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:5V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:30mA; Courant de MICROSWITCH, SPDT, 0.5A, METAL LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:120gf; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:Traversant; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:100000; Force, fonctionnement:1.18N; Force, fonctionnement min.:50gf; Haute MICROPHONE, OMNI, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Profondeur:4mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:1.5mm; Sensibilité:-42è…3 dB MICROPHONE, OMNI, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-42è…3 dB MICROPHONE, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Antibruit; Réponse en fréquence, limite basse:100Hz; Réponse en fréquence, limite haute:10000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-40dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:5mm; Profondeur:9.7mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:9.7mm; Sensibilité:-40è…3 dB MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH SOIC28; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 Kwords; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:-40° MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH TQFP44; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 Kwords; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement LED, SMT, TOP FIRE+MICRO LENS, GREEN; Taille de lampe:1.6mm x 3.2mm; Couleur de LED:Vert; Intensité lumineuse:8.8mcd; Courant, direct, If:10mA; Tension, direct If:2.03V; Montage LED:SMD; Forme de lentille:Rond; Longueur d'onde typ.:565nm; Couleur, LED:Vert; Courant, direct, If:10mA; Dimension de la lentille:3.2mm x 1.6mm; Intensité lumineuse typique:8.8mcd; Longueur d'onde dominante:565nm; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; Tension, Vf max..:2.6V; Type de LED:St CONNECTEUR MICRO SD/TRANSFLASH CHARNIERE; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:ST1; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Courant, max. par contact:0.5A; Format broche:Micro SD; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):14.15mm; Longueur/hauteur:1.9mm; Matière:Résine synthétique; Nombre de cycle MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Programmateur; Type d'interface embarquée:SCI, USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVH MICROPROCESSEUR SUPPORT; Tension de seuil:3.08V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:8-SOIC DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:3.07V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:5è¾A; Temps de retard:300ms; Type de boîtier CI numérique:SOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6.5V; Tension, alimentation min.:1.8V; Tension, seuil de mise en marche:3.07V; Type de boîtier:6-SOT MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; MSL:MSL 3 - 168 heures; SV MICROSWITCH, SPDT, 5A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier court; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:60gf; Terminaisons commutateur:Solder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Durée de vie, mécanique MICROSWITCH, SPDT, 5A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:55gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c.a. max. MICROSWITCH, SPDT, 10A, BUTTON; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:200gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant MICROSWITCH, SPDT, 10A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet court; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:200gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; D MICROSWITCH, SPDT, 10A, LONG ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:120gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Co MICROPHONE, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Antibruit; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-44dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Sensibilité:-44è…3 dB PLUG, MICRO SATA, SSD; Type de connecteur:SATA; Série:Micro SATA, 78285; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:16; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Connector Type:SATA; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur nickel; Courant:1.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:LCP; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:16; Orientation du conn IC, MICROPHONE AMP, AGC, 14TDFN; Classe d'amplificateur audio:AB; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; THD + N:0.04% @ 10kohm, VDD=3.3V; Impédance de charge:50ohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:TDFN; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Impédance charge min:500ohm; Puissance de sortie:-000mW; Racine de la référence:9814; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de boîtier:TDFN MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (20-Jun-2 MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 - 168 MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 - 168 heu MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR USB; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC: MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH USB 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, RTC; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-D MICROSWITCH, SPDT, 5A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:60gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contac MICROSWITCH, SPDT, 1A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier court; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:30gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:5V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:30mA; Courant d MICROSWITCH, SPDT, 0.5A, W/O LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:120gf; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:Traversant; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:100000; Force, fonctionnement:1.18N; Force, fonctionnement min.:50gf; Hauteur MICROSWITCH, SPDT, 0.5A, STEEL LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:120gf; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:Traversant; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:100000; Force, fonctionnement:1.18N; Force, fonctionnement min.:50gf; Haute MICROPHONE, OMNI, PCB MOUNT; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:100Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16kHz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-40dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Connector Type:Broches PCB; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:2.2m MICROPHONE, OMNI, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-40è…3 dB MICROPHONE, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Unidirectionnel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.2mm; Profondeur:6mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Fréquence, fonctionnement min.:50Hz; Longueur/hauteur:2.2mm; Sensibilité:-47è…3 dB MICROPHONE, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Unidirectionnel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:5mm; Profondeur:9.7mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:9.7mm; Fréquence, fonctionnement max..:10000Hz; Fréquence, fonctionnement min.:100Hz; Longueur/hauteur:5mm; Sensibilité:-47è…3 dB MOD, RFID, MICRO READER, S2000, 134.2K; Gamme de fréquence:134.2kHz; Consommation de courant:100mA; Gamme de tension d'alimentation:5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type d'outils de développement:RFID System CONNECTOR, MICROSD, PUSH PUSH; Type de connecteur:Micro SD; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Connector Type:Micro SD; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Orientation du connecteur:Montage en surface; Type de montage:Montage en surface CONNECTEUR. MICRO SD. PUSH PUSH; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM3; Nombre de contacts:8; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD, Micro; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:LCP; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isol CAPTEUR MICRO VIBRATION; Courant, entrée:2mA; Tension, alimentation:15VDC; Montage du capteur:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme de tension d'alimentation DC:15V; Largeur (externe):2.85mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Profondeur:2.45mm; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de montage:CMS; Type de terminaison:CMS MICROCONTRO 8 BITS 3.5K FLASH XLP 18PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTRO 8 BITS 3.5K FLASH XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROLEUR 8 BIT 7K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVH MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 18SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROLEUR 8 BIT 7K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSART, I2C, SPI; Interface:AUSART, I2C, SPI, SSP; I MICROCONTROLEUR 8 BIT 8K FLASH XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de foncti MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTRO 8 BITS 16K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO ACCESSOIRE POUR BORNE; Série:AKZ4; Type d'accessoire:End / Intermediate Plate; A utiliser avec:Modular Terminals; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Chamois MICRO ACCESSOIRE POUR BORNE; Série:AKZ4BL; Type d'accessoire:End / Intermediate Plate; A utiliser avec:Modular Terminals; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Bleu MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR USB; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64 MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 28PDIP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre MICROCONT 8 BITS 7K FLASH 16 I/O 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONT 8 BITS 28K FLASH LCD 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI; MICROCONT 8 BITS 16K FLASH 16MIPS 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fon MICROCONT 8 BITS 16K FLASH 16MIPS 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonc MICROCONT 8 BITS 16K FLASH USB 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH USB 28DIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnemen MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH USB 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONT 16 BITS 64K FLASHUSB-OTG44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICROCONT 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); F MICRO 32 BITS 256K FLASH DMA 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horlo MICRO 32 BITS 256K FLASH USB-OTG 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréqu MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horl MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horl MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR USB; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64 MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR USB; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MICRO 32 BITS 8K FLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH USB 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40 MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No S COMPARATOR MICROPWR DUAL V 8 SOIC; Type de comparateur:CMOS; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:2.5è¾s; Type de sortie CI:Drain ouvert; Compatibilité de sortie:CMOS; Courant, alimentation:10è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 16V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:393; Tension, alimentation max..:16V; Tension, alimentation min.:2.7V; Ty MICRO USB 3.0 TYPE B, RECEPTACLE; Type de connecteur:USB 3.0 Micro B; Genre:Embase; Nombre de contacts:10; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:1.8A; Inflammabilité:UL 94V-0; Insulator Material:Température élevée Thermoplastique; Méthode de terminaison:Montage en surface horizontal; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isol MICRO COMMUTATEUR PLONGEUR DPST 10A; Configuration des contacts:DPST; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:DPST; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Force, fonctionnement:3.61N; Série:TB; Tension, contact c.a.:250V; Tension, cont MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.31N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max MICRO COMMUTATEUR FIXE ARM LEVER SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:30gf; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Forc MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.97N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:85gf; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Couran MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.72N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Cou MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.2N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; CONNECTEUR MICRO HDMI. KAPTON. CI; Type de connecteur:HDMI; Genre:Embase; Nombre de contacts:19; Terminaison du contact:Traversant vertical; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Courant, max. par contact:0.8A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:4mm; Normes:HDMI 1.4; Orientation du connecteur:Carte PC; Profondeur:8mm; Tension, supportée:30V; Type de montage:SMT, avec trou traversant, languettes et ruban Kapton MICROPROCESS POWERQUICC II PRO 473MAPBGA; Série:PowerQUICC II PRO; Nombre de bits:32bit; Vitesse de processeur:400MHz; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Nombre de broches:473; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROPOCESSEUR ARM9 I.MX23 128LQFP; Série:i.MX23; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:32 KB; Vitesse de processeur:454MHz; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Nombre de broches:128; Gamme de tension d'alimentation:1V 2.1V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROPOCESSEUR ARM11 I.MX35 400MAPBGA; Série:i.MX35; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:160 KB; Vitesse de processeur:532MHz; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Nombre de broches:400; Gamme de tension d'alimentation:1.22V 1.47V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONNECTEUR. MICRO SD. PUSH PUSH; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM3; Nombre de contacts:8; Genre:Embase; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD, Micro; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:LCP; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isol CONNECTEUR. MICRO SD. CHARNIERE; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM3; Nombre de contacts:8; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD, Micro; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:LCP; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isol MICROCONTRO 8 BITS 3.5K FLASH XLP 18SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 18PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32M MICROCONTRO 8 BITS 28K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MH MICROCONTROLEUR 8 BIT 7K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSART, I2C, SPI; Interface:AUSART, I2C, SPI, SSP; I MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSART, MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonc MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonc MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTRO 8 BITS 64K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO ACCESSOIRE POUR BORNE; Série:AP; Type d'accessoire:End / Intermediate Plate; A utiliser avec:Test Disconnect Terminal Blocks; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Chamois; Longueur/hauteur:45.5mm MICROCONTROLEUR 32 BITS AVR32 UC3 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:44; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:7; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 32 BITS AVR32 UC3 48TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:7; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 32 BIT AVR32 UC3L 48TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie, Capteur de température; Nombre de voies PWM:36; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 1.98V, 1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32M MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MH MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32M MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTRO 8 BITS 3.5K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSA MICROCONTROLEUR 8 BIT 7K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSART, I2C, SPI; Interface:AUSART, I2C, SPI, SSP; I MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSART, I2C, SPI; Interface:AUSART, I2C, SPI, SSP; I MICROCONTRO 8 BITS 128K FLASH XLP 80TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nomb MICROCONTROL 8 BITS 8K FLASH XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de foncti MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTRO 8 BITS 16K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTRO 8 BITS 32K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 CARTE D'EVAL MCP3901 ADC PR MICRO 16 BIT; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC18, PIC24, dsPIC33; Nombre de noyau de silicium:PIC18F, PIC24F, dsPIC33F; Nom de famille Silicon:PIC18FxxJxx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Dual Output Display Using Serial Communication, System and ADC Performance Analysis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:System and ADC Performance Analysis, Robust Hardwa MICROCONTROL 8 BITS AVR 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:JTAG, SPI, USART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BIT AVR 4K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre d MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 16 I/O 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, ho MICROCONT 8 BITS 7K FLASH 16 I/O 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI MICROCONT 8 BITS 14K FLASH LCD 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI MICROCONT 8 BITS 8K FLASH 16MIPS 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonction MICROCONT 8 BITS 16K FLASH USB 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH USB 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement MICROCONT 8 BITS 32K FLASH USB 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONT 16 BITS 64K FLASH 16MIPS28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICROCONT 16 BITS 64K FLASH 16MIPS44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, ho MICROCONT 16 BITS 64K FLASHUSB-OTG28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICRO 16 BITS 64K FLASHUSB-OTG 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:3 MICRO 16 BITS 96K FLASH 84 I/O 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:84; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C + MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horl MICRO 32 BITS 128K FLASH 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8 MICRO 32 BITS 128K FLASH USB-OTG 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICRO 32 BITS 256K FLASHUSB-OTG 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, ho MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, ho MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque KIT, MICRO-FIT 3.0, SMT, 251PCS; Type d'accessoire:Industrial Connector Kit MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH 8FX 20SOP; contrôleur Famille / Série:MB95200H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:UART, 1 MICROCONTROL 8 BITS 20K FLASH 8FX 16SOP; contrôleur Famille / Série:MB95280H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:20KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:UART, 1- MICROBOX DRILL SET 20-PC 0.3-1.6MM; Contenu du kit:0.3 to 1.6mm Drill Bits MICROBOX SHANKED DRILL SET 10-PC; Contenu du kit:0.5 to 2.2mm Drill Bits BOARD, DEVELOPMENT, MICROSTICK; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC, dsPIC; Core Sub-Architecture:PIC24, dsPIC33; Nombre de noyau de silicium:PIC24H, dsPIC33F; Nom de famille Silicon:PIC24HJxxGPxxx, dsPIC33FJxxMCxxx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Integrated USB Programmer/Debugger, On Board Debug LED; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Integrated USB Programmer / Debugger, USB Powered, Onboard Debug LED, Utility LED and Reset Switch; MCU Supported Familie MICROCOMMUTATEUR 11A SHORT HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.98N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:11A; Force, fonctionnement:0.98N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Type d'actio MICROCOMMUTATEUR 5A HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:1.47N; Tension, contact c.a.:125V; Type d'actionnement:Levier; Type d'actionneur:Hinge Lever; Type de borne: souder MICROCOMMUTATEUR 5A HINGE ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:1.5N; Tension, contact c.a.:125V; Type d'actionnement:Levier galet; Type d'actionneur:Hinge Roller Lever; Type de borne: MICROCOMMUTATEUR 5A SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:1.47N; Tension, contact c.a.:125V; Type d'actionnement:Levier galet simulé; Type d'actionneur:Simulated Rol LEAD, XLR, MICROPHONE, 6M; Connecteur type A:XLR Socket; Connecteur type B:XLR Plug; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:19.69ft; Longueur de câble - Métrique:6m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Audio / Vidéo; Connecteur type A:XLR Female; Connecteur type B:XLR Male; Longueur câble:6m; Nombre de contacts:2 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 NETTOYANT MICROFREEZE; Type de distribution:Aérosol; Poids:284g; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:Micro Freeze; Poids:284g; Poids, unité min.:284g; Type d'application:Electronique MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre d' MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 16 I/O 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 16 I/O 18SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 16 I/O 18SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI MICROCONT 8 BITS 7K FLASH 16 I/O 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Minuterie; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI; Inte MICROCONT 8 BITS 14K FLASH LCD 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SP MICROCONT 8 BITS 28K FLASH LCD 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI; I MICROCONT 8 BITS 8K FLASH 16MIPS 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONT 8 BITS 16K FLASH 16MIPS 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonc MICROCONT 8 BITS 32K FLASH USB 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:- MICROCONT 16 BITS 64K FLASH16MIPS28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge MICROCONT 16 BITS 64K FLASH 16MIPS44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICROCONT 16 BITS 64K FLASH USB-OTG44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICROCONT 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque CARTE D'EVAL MCP3909 POUR MICRO 16 BITS; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC, dsPIC; Core Sub-Architecture:PIC24, dsPIC33; Nombre de noyau de silicium:PIC24F, dsPIC33F; Nom de famille Silicon:PIC24FJxxGAxxx, dsPIC33FJxxGPxxx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Spectral Analysis, System and ADC Performance Analysis, Robust Hardware Design; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Spectral Analysis, System and ADC Performan MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, hor MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, hor MICROCONTROLEUR 32 BITS 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVH MICRO 32 BITS 128K FLASH DMA 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horlo MICRO 32 BITS 32K FLASH USB-OTG 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, h MICRO 32 BITS 128K FLASH USB-OTG 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, ho MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquen MICRO 32 BITS 8K FLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 16KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 32KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 32KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 16KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 24K FLASH CORTEX-M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 24KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICROCOMMUTATEUR SPNO 16A 400VAC; Configuration des contacts:SPNO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.5N; Tension AC nominale du contact:400V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPNO; Courant de contact max.:16A; Force, fonctionnement:3.5N; Tension, contact c.a.:400V; Type d'actionnement:Poussoir; Type d'actionneur:Plunger; Type de borne:Quick Co MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Contrôleur LCD, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Contrôleur LCD, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fon MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonct OP AMP, MICROPOWER, WIDE, 14TSSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:1.3MHz; Vitesse de balayage:0.5V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:TSSOP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6294 MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.95N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.95N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, f MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, f MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.97N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:28V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Force, f MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURDPST 10A; Configuration des contacts:DPST; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.89N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:DPST; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Force, fonctionnement:3.89N; Série:TB; Tension, contact c.a.:250V; Tension, c MICRO COMMUTATEUR PLONGEUR EXT DPST 10A; Configuration des contacts:DPDT; Force, fonctionnement max..:6.67N; Tension AC nominale du contact:277V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:DPDT; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Force, fonctionnement:6.67N; Série:DM; Tension, contact c.a.:277V; Tension, contact c.a. max..:277V; Type d'actionneur:Bullet Nose Plunger; Type de borne:Quick Co MICRO COMMUTATEUR SIM GALET SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.31N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:28V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5 MICRO COMMUTATEUR SPDT 1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:1A; Courant de contact max.:1A; Force, fonctionnemen MICRO COMMUTATEUR SURCOURSE SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR LEVIER DROIT SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.7N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; For MICRO COMMUTATEUR LEVIER DROIT SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.28N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Fo MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 15.1A; Configuration des contacts:SPDT; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:14oz force; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15.1A; Force, fonctionnement:3.89N; Série:V3; Tension, contact MICRO COMMUT PIN PLONGEUR SPST-NO 25A; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.21N; Tension AC nominale du contact:277V; Courant de contact max..:25A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact c.a. max.:25A; Courant de contact max.:25A; Force, fonctionnement:2.21N; Série:V7; Tensi MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.73N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Coura MICRO COMMUT LEVIER CHARNIERE SPDT 0.1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.16N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:100mA; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:0.16N; Série:V MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.89N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Coura MICROSWITCH PIN PLUNGER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.1N; Tension DC nominale du contact:24V; Courant de contact max..:15mA; Terminaisons commutateur:Connecteur; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Contacts:OFF; Courant de contact c.c. max.:20mA; Courant de contact max.:15mA; Force, fonctionnement:0.1N; Série:VX; Tension, contact c.c.:24V; Tension, contact c.c. max..:28V; Type d'actionneur:Pin Plunge REF DE TENSION 1.2V MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION 2.5V MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:38mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION AJUSTABLE MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt, ajustable; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RELAIS STAT MICROOPTO 12-28VDC 100KHZ; Control Voltage Range:12V DC 28V DC; Courant, charge:50mA; Relay Terminals:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension de contrôle:DC; Type de borne:Screw RECPTL, 0.4MM, MICRO-COAX, 30WAY; Série:FI-JH; Genre:Embase; Pas:0.4mm; Nombre de contacts:30; Nombre de rangées:1; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre PLUG, 0.4MM, MICRO-COAX, 40WAY; Série:FI-JH; Genre:Connecteur mâle; Pas:0.4mm; Nombre de contacts:40; Nombre de rangées:1; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre SOURIS. OPTIQUE BLANC. MICROSOFT; Méthode de connexion:Câblé; Connecteur PC:USB; Type de souris:Optical; Taille de souris:Standard; Couleur Souris:Blanc; Connector Type:USB; Couleur:White MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, f MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:1.39N; Série:SM; T MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:1A; Courant de contact max.:1A; Force, f MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.97N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Forc MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 10A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.5N; Tension AC nominale du contact:480V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max.:10A; Force, fonctionnement:2.5N; Série:BZ; Tension, contact c.a.:480V; Tension, contact MICRO COMMUTATEUR GALET DPDT 10A; Configuration des contacts:DPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:4.17N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:DPDT; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact c.c. max.:300mA; Courant de contact max.:10A; Force, fo MICRO COMMU PLONGEUR POUSSOIR SPDT 15.1A; Configuration des contacts:SPDT; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:14oz force; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15.1A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15.1A; Force, fonctionnement:3.89N; Série:V3; Tension, contact c.a.: MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Coura MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.57N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Coura MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact max.:1A; Force, fonctionnement:1.47N; Série:V7; Tension, conta BRUCELLES. MICRO. 40W. SANS PANNE; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance de sortie:40W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BRUCELLES MICRO. AVEC SUPPORT; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance de sortie:40W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) FER A SOUDER. MICRO. 40W; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance de sortie:40W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) FER A SOUDER. MICRO. 40W. AVEC SUPPORT; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance de sortie:40W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONNECTEUR MICRO HDMI. KAPTON. HYBRIDE; Type de connecteur:HDMI; Genre:Embase; Nombre de contacts:19; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; Courant, max. par contact:0.8A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:4mm; Normes:HDMI 1.4; Orientation du connecteur:Carte PC; Profondeur:8mm; Tension, supportée:30V; Type de montage:SMT, montage hybride, avec ruban Kapton CROSS TABLE FOR MICROSCOPE; A utiliser avec:Digital Microscope; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):150mm; Longueur:180mm; Type d'accessoire:Cross Table KIT, MICRO-FIT 3.0, PANEL, 351PCS; Type d'accessoire:Industrial Connector Kit CONVERTISSEUR DC/DC STEP DOWN 1A 6MICRO; Tension d'entrée primaire:3.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:750mV; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾CMS; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.7A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:4MHz; Précision:1%; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-30°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, al OP AMP, MICRO POWER, 1V, 9UA, 6SOT23; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:17kHz; Vitesse de balayage:0.006V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Bande passante, gain:17kHz; Courant, Iqc max.:40è¾A; Racine de la référence:4289; Temps de conversion:75è¾s; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation mi CABLE ASSEMBLY USB A TO MICRO USB B 2M; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:USB; Connecteur type A:USB, Type A; Connecteur type B:Micro USB, Type B; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Matière, contact, connecteur A:Copper Alloy; Matière, contact, connecteur B:Copper Alloy; Plaquage contact connecteur A:Or sur nickel; Plaquage contact conne MICROCONTROLEUR 8 BIT 8K FLASH 8FX 16SOP; contrôleur Famille / Série:MB95220H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:UART, 1 MICROCONTROLEUR 8BITS 20K FLASH 8FX 8SOP; contrôleur Famille / Série:MB95270H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:5; Taille mémoire de programme:20KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-20 MICROBOX DRILL SET 20-PC 61-80; Contenu du kit:61 to 80mm Drill Bits MICROSCOPE, DIGITAL, USB, W. RACK AMITA; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:350mm; Largeur (externe):185mm; Poids:1.8kg; Profondeur:120mm MICROSCOPE NUMERIQUE MONITEUR PRISE EU; Magnification:10x 70x; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):240mm; Longueur:270mm; Longueur (entièrement allongée):270mm CABLE, MICROPHONE, 6MM, BLACK, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Noir; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC; Nombre de conducteur CABLE, MICROPHONE, 6MM, GREY, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Gris; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Gris; Couleur, isolation secondaire:Gris; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC; Nombre de conducteurs CABLE, MICROPHONE, 6MM, BLUE, 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.12mm; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.12mm; Couleur de la gaine:Bleu; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Diamètre extérieur:6mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la gaine:PVC KIT, MICRO-FIT 3.0, THT, 251PCS; Type d'accessoire:Industrial Connector Kit IC, V. DETECTOR, MICRO. SUPERV; Tension de seuil:2.63V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.2V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS IC, VOLTAGE DET, MICROPRO SUPERV; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, alimentation:80è¾A; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence, horloge:10kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 10V; Tension, alimentation max..:12V; Tension, alimentation min.:1.5V; Type de boîtier:SOIC; Type de boîtier CI numérique:S M&W 890 DEPTH GAUGE MICROMETER 0-1'' MICRO 32 BITS CMS COEUR ARM7 32K FLASH; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, RTT, PIT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nom MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE25 16F627; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE42 16F627; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC: MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE57 16F684; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE27 16F873; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SV MICRO 8 BITS FLASH CMS TUBE27 16F876; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTRO 8 BITS FLASH TUBE10 18F4550; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICRO 16 BITS 16LX 64K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16LX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 16 BITS 16FX 288K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:288 KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:20; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICRO 16 BITS 16FX 416K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:82; Taille mémoire de programme:416 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de b MICRO 16 BITS 16FX 544K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:F2MC-16FX; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:82; Taille mémoire de programme:544 KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:56MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, USART; Nombre de voies PWM:16; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de b MICROCONTRO 32 BITS FR 512K FLASH 144QFP; contrôleur Famille / Série:FR60; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:113; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, UART; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC (19-Dec- MICROCONTRO 8 BITS 8051 FLASH CMS TUBE27; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fo MICROMETRE EXTERIEUR 0-25MM A CLIQUET; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.001mm; Précision:è… 2è¾m; Précision mm / pouces:2è¾m SUPPORT POUR MICROMETRE JUSQU'A 2''/50MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Micrometer; Hauteur:63mm; Largeur (externe):100mm; Longueur:97mm; Poids:0.67kg; Profondeur:85mm MICROCOMMUTATEUR 0.1A HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:0.59N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'actionnement:Levie MICROCOMMUTATEUR 0.1A HINGE ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:0.59N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'a MICROCOMMUTATEUR 0.1A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.77N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:1.77N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'actionne MICROCOMMUTATEUR 7A HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.29N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:7A; Force, fonctionnement:0.29N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Type d'actionnement:Levier; Typ MICROCOMMUTATEUR 0.1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:1.47N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'actionnement:Poussoi MICROCONTROLEUR 8BITS 16K FLASH 8FX 8SOP; contrôleur Famille / Série:MB95210H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:5; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:UART, 1- MICROCONTROL 8 BITS 20K FLASH 8FX 20SOP; contrôleur Famille / Série:MB95260H; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:20KB; Taille mémoire, RAM:496Byte; Vitesse de processeur:16.25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:UART, 1- CONNECTEUR. MICRO SD; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface vertical; Pas, rang:1.1mm; Genre:Embase; Nombre de rangées:1 MINI SUPP POST MICRO; Diamètre, câble:4.6mm; Longueur, hors tout:9.5mm; Matériau d'entretoise:Nylon; Largeur (externe):100mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:9.5mm; Fermeture des matériaux:Nylon 6.6; Hauteur entretoise:14.3mm; Matière:Nylon 6.6 MICROSWITCH, 16A, HINGE ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:16A; Course min:1.6mm; Déplacement, différentiel:1.5mm; Force de retour, min.:0.14N; Force, fonctionnement: MICROSCOPE NUMERIQUE AVEC RACK AM35B; Magnification:10x 20x, 20x 92x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; Hauteur de travail:144mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Poids:1.8kg MICROCONTROLEUR 32BITS 128K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 8 BITS 64K FLASH QFN28; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 Kwords; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:3.84KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonction MICRO 8 BITS 8051 2K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Inter MICROSCOPE NUMERIQUE USB; Magnification:10x 20x, 20x 92x; A utiliser avec:Technical Teleconferences, Research & Science; Hauteur de travail:144mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RF/MICROWAVE CAPACITOR 47PF; Capacité:47pF; Tolérance de capacité:è… 5%; Tension:1kV; Type de boîtier de condensateur:1210; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Type de boîtier:1210; Type de terminaison:CMS MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:SCI, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:1V; Tension, seuil de mise en marche:2.93V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de sorti DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.25V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:20è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, seuil de mise en marche:2.25V; Type de boîtier:3-SOT MICROPHONE AMP, FIXED GAIN, 6SC70; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; THD + N:0.04% @ 10kohm, VCC=3.3V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:9812; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Type de boîtier:SC70; Type de terminaison:CMS MICRO 8 BITS 8051 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:Comparateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:24MHz; Interface:UART; Interface: MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (20-Jun-20 MICROHMMETER, DIGITAL, DO5000; Resistance Measuring Range:30kohm, 3kohm, 300ohm, 30ohm, 3ohm, 200mohm, 30mohm, 3mohm; Résolution:1ohm; Courant, test:100è¾A; Hauteur, dimension externe:324mm; Largeur (externe):339mm; Profondeur:131mm; Poids:12kg; Longueur/hauteur:324mm; Résolution, gamme de mesure de résistance:1R, 100mR, 10mR, 1mR, 100uR, 10uR, 1uR, 100nR; Type de testeur de résistance:Micro-ohmmètre numérique MICROHMMETER, HAND HELD, DO4002; Resistance Measuring Range:4mohm / 40mohm / 400mohm / 4ohm / 40ohm / 400ohm; Résolution:100ohm; Courant, test:1mA; Hauteur, dimension externe:130mm; Largeur (externe):215mm; Profondeur:55mm; Poids:800g; Longueur/hauteur:130mm; Résolution, gamme de mesure de résistance:100R, 10mR, 1mR, 100uR, 10uR, 1uR; Type de testeur de résistance:Micro-ohmmètre numérique MICROCOMMUTATEUR 0.1A SLIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.78N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Course min:0.5mm; Déplacement, différentiel:0.05mm; Force de relache:0.05N; Force, fonctionnement:0.78N; Tension, contact c.c.:30V; MICROCOMMUTATEUR 0.1A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.77N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:1.77N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'actionnement:Pou MICROCOMMUTATEUR 7A LONG HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.2N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:7A; Force, fonctionnement:0.2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Type d'actionnement:Lev MICROCOMMUTATEUR 0.1A HINGE ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:100mA; Force, fonctionnement:1.47N; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Type d'actionnem MICROSWITCH, 16A, HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:16A; Course min:1.6mm; Déplacement, différentiel:1.5mm; Force de retour, min.:0.14N; Force, fonctionnement:1.96N; Pr MICROSWITCH, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet court; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:16A; Course min:0.8mm; Déplacement, différentiel:0.6mm; Force de retour, min.:0.49N; Force, fonctionn RELAIS STAT MICROOPTO 24V/12-300VDC 1A; Control Voltage Range:19.2V DC 28.8V DC; Courant, charge:1A; Relay Terminals:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension de contrôle:DC; Type de borne:Screw MICROCONTROLEUR 32BITS 128K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEU 32BITS 128K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, Contrôleur LCD, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS 32K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonct SOURIS. OPTIQUE NOIR. MICROSOFT; Méthode de connexion:Câblé; Connecteur PC:USB; Type de souris:Optical; Taille de souris:Standard; Couleur Souris:Noir; Connector Type:USB; Couleur:Black MICROCONTROLEUR 32 BITS FLASH 128K CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:RTC; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, RTC; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horlo MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, RTC; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19 MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC21xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, RTC; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19 MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:LPC22xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, RTC; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC MICRO ATMEGA328 W/ UNO BOOTLOADER; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Interface:I2C, Serial, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB EMBASE MICRO D. NAPPE 50 VOIES; Type de connecteur:Micro câble plat D; Genre:Embase; Nombre de contacts:50; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Câble; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RELAIS STAT MICROOPTO 24VDC/8-30VDC 2A; Control Voltage Range:19.2V DC 28.8V DC; Courant, charge:2A; Relay Terminals:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension de contrôle:DC; Type de borne:Screw RELAIS STAT MICROOPTO 24V/5-48VDC 0.5A; Control Voltage Range:19.2V DC 28.8V DC; Courant, charge:500mA; Relay Terminals:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension de contrôle:DC; Type de borne:Screw CHARGEUR. MICRO USB CAR. TRUST; Type d'accessoire:Car Charger; A utiliser avec:Portable devices charged by micro-USB connection; Type de chargeur de batterie:Embarqué CLAVIER. ARC SANS FIL. MICROSOFT; Méthode de connexion:Sans fil - RF; Connecteur PC:USB; Taille de clavier:Mini; Couleur Clavier:Noir; Connector Type:USB; Couleur:Black MICROSCOPE NUMERIQUE USB AVEC RACK; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Industrial Inspection, Quality Control, Lab Research EMBASE MICRO D. NAPPE 14 VOIES; Type de connecteur:Micro câble plat D; Genre:Embase; Nombre de contacts:14; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) ADAPTATEUR. USB FEMELLE - MICRO USB MALE; Nombre de contacts:1 MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 16 BITS 24K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:24KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 16K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:16KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 96K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:96KB MICRO 16 BITS 128K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC: MICROCONTROLEUR 16 BITS 128K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:128KB MICRO 16 BITS 128K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROPHONE MEMS DIGITAL SML; Fonction CI:Microphone silicium numérique; Brief Features:SNR élevé de 58 dB, opération stéréo / réseau et soudage vague automatique; Gamme de tension d'alimentation:1.64V 3.7V; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier CI numérique:SMD; Nombre de broches:5; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPDT, 5A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:45gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Solder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c MICROSWITCH, SPDT, 5A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:60gf; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.a. contact-contact min.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact ma MICROSWITCH, SPDT, 1A, BUTTON; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir broche; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:110gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:5V; Courant de contact max..:1A; Terminaisons commutateur:A souder; Boîtier de commutateur:PBT; Contact Configuration:SPDT; Contacts:Off-On; Courant de contact c.a. max.:1A; Courant de contact c.c. max.:30mA; Courant IC, MICROPHONE AMP, 24TSSOP; Classe d'amplificateur audio:AB; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:è… 4.75V è… 5.25V; Impédance de charge:600ohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:SSOP; Nombre de broches:24; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Impédance charge min:600ohm; Puissance de sortie:-000mW; Racine de la référence:2505; Tension, alimentation max..:5.25V; Tension, alimentation min.:4.75V; Type de boîtier:TSSOP; Type de MICROPHONE, OMNI, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Profondeur:6mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:2.7mm; Sensibilité:-41è…3 dB MICROPHONE, SOLDER PAD; Transducer Function:Microphone; Directivity:Antibruit; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-46dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Profondeur:4mm; Connector Type:Plots de soudure; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Sensibilité:-46è…3 dB MOUSE, WIRELESS MOBILE 1000, MICROSOFT; Méthode de connexion:Sans fil - RF; Connecteur PC:USB; Type de souris:Optical; Taille de souris:Compact; Couleur Souris:Noir; Connector Type:USB; Couleur:Black CABLE MICROPHONE GRIS PAR M; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Gris; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Jaune; Matière, isolant secondaire:PVC/Néoprène; Matéri DIODE, RECTIF, 30V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50°C +150°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 60V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50°C +150°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 24K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:24KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 0.5K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:500B; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, program MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC: MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH USB 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2.5KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH USB 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2.5KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No CASQUE STEREO. MICRO ET VOLUME; Impédance:32ohm; Connector Type:2 x connecteurs mâles stéréo 3,5 mm; Longueur cordon:2.1m MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 40UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numér MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40° MICRO 32 BITS 32K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 32 BITS 256K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 32 BIT 384K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:384 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement: MICRO 32 BITS 512K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 3 - 1 MICROCONTROLEUR 32 BITS 1M FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:1 MB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:12; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:20KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL MICROCONTROLEUR 32 BITS 1M FLASH 144BGA; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:1 MB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 3 UC/OS-II MICROCHIP PIC32XX PROD; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC33 SGL; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC33; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-III MICROCHIP PIC32XX SGL; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III UC/OS-III MICROCHIP PIC32XX PROD; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III DIN VALVE MICRO PG7 4-6MM; A utiliser avec:Hydraulic, Pneumatic and Solenoid Valves; Type d'accessoire:Sensor Connector SOURIS. ARC SANS FIL. MICROSOFT; Méthode de connexion:Sans fil - RF; Type de souris:Laser; Taille de souris:Compact; Couleur Souris:Noir; Connector Type:USB; Couleur:Black CORDON USB3.0. A-MICRO B. M-M. 1.0M; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:USB Micro B Plug; Couleur de la gaine:Bleu; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câble de données USB 3.0; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:Micro USB Type B Plug; Longueur câble:1m DIODE, RECTIF, 40V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50°C +150°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONNECTEUR MICRO MATCH FEMELLE 16 VOIES; Type de connecteur:Carte- -carte CONNECTEUR MICRO MATCH FEMELLE 8 VOIES; Type de connecteur:Fil- -carte; Terminaison du contact:Traversant vertical; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de rangées:2; Pas:1.27mm; Plaquage du contact:Etain; Matériau du contact:Bronze phosphoreux MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No JEU DE MACHOIRES MICRO TIMER MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 24K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 16K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:16KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 96K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:96KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 96K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:96KB MICRO 16 BITS 0.5K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:500B; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:500Byte MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB EMBASE MICRO SD. PUSH. D-SW. 1.45MM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:10; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or MICROCONTROLEUR 8BITS 3.5K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No S CABLE MICROPHONE NOIR 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:Rouge, Bleu; Couleur, isolatio CABLE MICROPHONE BLEU 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:Rouge, Bleu; Couleur, isolatio CABLE MICROPHONE NOIR PAR M; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Noir; Matière, isolant secondaire:PVC/Néoprène; Matéria CABLE MICROPHONE ROUGE PAR M; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Rouge; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Rouge; Matière, isolant secondaire:PVC/Néoprène; Maté GAINE THERMO BOOT MICRO ST 6.9/3MM; A utiliser avec:Cable; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Élastomère; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Straight Boot; Body Material:Elastomer; Couleur:Black MICROCONTROLEUR 8 BITS 16K FLASH 16TSSOP; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:1Kbit; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PMW, ACMP, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL EMBASE. MICRO USB 3.0. AB; Type de connecteur:USB 3.0 Micro A/B; Genre:Embase; Nombre de contacts:10; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE. MICRO TCA. SMT. 2X20; Type de connecteur:Bord de carte; Pas:0.75mm; Nombre de contacts:40; Genre:Embase; Terminaison du contact:A souder; Nombre de rangées:2; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Laiton; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE. MICRO TCA. THT. 2X85; Type de connecteur:Bord de carte; Pas, rang:1.3mm; Pas:0.75mm; Nombre de contacts:170; Genre:Embase; Terminaison du contact:A souder; Nombre de rangées:2; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Laiton; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICRO 32 BITS 32K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 20DIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40° MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40° MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 44UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICRO 32 BITS 256K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 3 - 1 MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 64BGA; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 32 BITS 128K FLASH 64BGA; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32 BIT 768K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:768 KB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:12; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement: MICRO 32 BITS 128K FLASH 36VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:20KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:36; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 768K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:768 KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 16 UC/OS-II MICROCHIP PIC24XX PROD; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC30 PROD; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC30; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II CABLE MICROPHONE ROUGE 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Rouge; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:Rouge, Bleu; Couleur, isolat CABLE MICROPHONE GRIS 100M; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Gris; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:Rouge, Bleu; Couleur, isolatio GAINE THERMO BOOT MICRO ST5.8/2.2MM; A utiliser avec:Cable; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Élastomère; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):29mm; Longueur totale - Impérial:1.14''; Type d'accessoire:Molded Boot; Body Material:Elastomer; Couleur:Black GAINE THERMO BOOT MICRO ST5.8/2.2MM; A utiliser avec:Cable; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Élastomère; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):19mm; Longueur totale - Impérial:0.75''; Type d'accessoire:Straight Boot; Body Material:Elastomer; Couleur:Black GAINE THERMO BOOT MICRO 90 6.3/2MM; A utiliser avec:Cable; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Élastomère; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):12.5mm; Longueur totale - Impérial:0.49''; Type d'accessoire:Molded Boot; Body Material:Elastomer; Couleur:Black DIN VALVE MICRO PG7 4-6MM; A utiliser avec:Hydraulic, Pneumatic and Solenoid Valves; Type d'accessoire:Sensor Connector KIT ACCESSOIRE MICROGRABBER POUR 10070; Type d'accessoire:IC Probing Kit; A utiliser avec:10070C, 10073D & 10074D Passive Probes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 40TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nom MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1.5KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICRO 32 BITS 16K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40° MICRO 32 BITS 32K FLASH 36VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICROCONTROLEUR 32 BITS 1M FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:1 MB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL EMBASE MICRO SD / SIM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:18; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6 MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:4 MICROCONTROLEUR 8 BITS 3.5K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No S UC/OS-II MICROCHIP PIC24XX PLAT; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP PIC32XX SGL; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC33 PROD; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC33; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC33 PLAT; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC33; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC30 SGL; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC30; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP DSPIC30 PLAT; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC30; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-III MICROCHIP PIC32XX PLAT; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III DIN VALVE MICRO 9.4MM 2POLE + GASKET; A utiliser avec:Hydraulic, Pneumatic and Solenoid Valves; Type d'accessoire:Sensor Connector UC/TCP-IP MICROCHIP PIC32XX PROD; Logiciels d'application:Piles - TCP/IP; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:Adjustable memory footprint, supports multi-NIC interfaces, zero copy buffer mgnr; Série:è¾C/TCP-IP MICROCONTROL 8 BITS 3.5K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 7K FLASH XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTRO 8 BITS 14K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, MICROCONTROL 8 BITS 28K FLASH XLP 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:16 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SP MICROCONTROL 8 BITS 3.5K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSAR MICROCONTROL 8 BITS 14K FLASH XLP 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface:AUSAR MICROCONTROL 8 BITS 8K FLASH XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctio MICROCONTROL 8 BITS 8K FLASH XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BIT 8K FLASH XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de f MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonct MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; MICROCONTROL 8 BITS 32K FLASH XLP 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTRO 8 BITS 32K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTRO 8 BITS 64K FLASH XLP 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH XLP 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROL 8 BITS 64K FLASH XLP 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre MICROCONT 8 BITS 3.5K FLASH 6 I/O 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:20MHz; Interface Type:Serial; Nombre d MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 16 I/O 18PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Nombre de timers:3; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SPI; MICROCONT 8 BITS 7K FLASH 16 I/O 18PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, SP MICROCONT 8 BITS 7K FLASH 16 I/O 18SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:32MHz; Interface:EUSART, I2C, S MICROCONT 8 BITS 8K FLASH 16MIPS 20DIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonction MICROCONT 8 BITS 8K FLASH 16MIPS 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONT 8 BITS 16K FLASH 16MIPS 20DIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de foncti MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH USB 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROL 8 BITS 16K FLASH USB 28DIP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnemen MICROCONT 8 BITS 32K FLASH USB 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:3.7KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.15V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONT 16 BITS 64K FLASH 16MIPS 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, USART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, h MICROCONT 16 BITS 64K FLASH USB-OTG28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, LIN, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICROCONT 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICROCONT 32 BITS 256K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréq MICRO 32 BITS 256K FLASH DMA 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge MICRO 32 BITS 128K FLASH USB-OTG 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:- MICRO 32 BITS 512K FLASH USB-OTG 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquenc MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, hor MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, h MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 121BGA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:121; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, h MICRO 32 BITS 256K FLASH USB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:256 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréque MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence MICRO 32 BITS 24KFLASH CORTEX-M0 33HVQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 32KFLASH CORTEX-M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 40UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MEMORY, MICRO SD, 2GB MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.95N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Fo MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 7A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:28V; Courant de contact max..:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:7A; Courant de contact c.c. max.:7A; Courant de contact max.:7A; Force, f MICRO COMMUTATEUR SIM GALET SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5 MICRO COMMUTATEUR SURCOURSE SPDT 20A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:6.12N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:20A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:20A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:20A; Force, fonc MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 20A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.67N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:20A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:20A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:20A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 20A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.97N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:20A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:20A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:20A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR SURCOURSE SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fo MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:600V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fonction MICRO COMMUTATEUR SURCOURSE SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.61N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Force, fonc MICRO COMMUTATEUR SURCOURSE SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:7.23N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:7.23N; Série:BZ; Tension, contact c.a.:480V; Tension, contact c.a. MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Standard; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.78N; Tension AC nominale du contact:480V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:15A; Forc MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:4oz force; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:11A; Force, fonctionnement:1.11N; Série:V3; Tension, contact c.a.:277V; Ten MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 11A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.8N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:11A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.72N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Cou MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.57N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max.:500m MICRO COMMUTATEUR SIM GALET SPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.89N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:15.1A; Courant de contact c.c. max. MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 15A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; Coura MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 15.1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.84N; Tension AC nominale du contact:277V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:15.1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:11A; Courant de contact c.c. max.:500mA; C MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 21A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:2.21N; Tension AC nominale du contact:277V; Courant de contact max..:21A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:21A; Courant de contact max.:21A; Force, fonctionnement:2.21N; Série:V7; Tension, c MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 21A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.98N; Tension AC nominale du contact:277V; Courant de contact max..:21A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:21A; Courant de contact max.:21A; Force, fonctionnement:0.98N; Série:V7; Tension, c MICRO COMMUTATEUR PIN PLONGEURSPDT 3A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.15N; Tension AC nominale du contact:277V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:PCT Polyester Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact max.:3A; Force, fonctionnement:0.15N; Série:V7; Tension, conta MICRO COMMUTATEUR SIDE GALET SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.35N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:0.35N; Série MICRO COMMUTATEUR GALET SPDT 10.1A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:10.1A; Courant de contact max.:10.1A; Force, fonctionnement:0.59N; Sér MICRO COMMUTATEUR SIM GALET SPDT 3A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.54N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:48V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact max.:3A; Force, fonctionnement:0.54N; Série: REF DE TENSION AJUSTABLE MICROPWR 3TO46; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:38mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-46; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROPROCES POWERQUICC II PRO 473MAPBGA; Série:PowerQUICC II PRO; Nombre de bits:32bit; Vitesse de processeur:400MHz; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Nombre de broches:473; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONVERT N/A 12 BITS 3V MICROPWR 6SC70; Résolution (Bits):12bit; Taux d'échantillonnage:1.7Méch/s; Type de canal d'entrée:Série; Interface de données:Série, 2 fils; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:2.7V 5.5V; Courant, alimentation:100è¾A; Type de boîtier CI numérique:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence d'échantillonnage:1.7Méch/s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Input Type:Série; Racine de la réfé MICROSCOPE NUMERIQUE USB PRISE EU; Magnification:20x 120x; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):240mm; Longueur (entièrement allongée):270mm LINGETTES MICROFIBRE 150X180MM (X50); Type d'accessoire:Wipe; A utiliser avec:Grease; Matériau de la lingette:Microfibre; Largeur lingette:150mm; Longueur lingette:180mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matière:Polyamide / Polyester DIODE SCHOTTKY 1A 20V MICROSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 1A 30V MICROSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) M&W 1966M/150 MICROMETER 125-150MM; Gamme de mesure max..:150mm; Gamme, mesure min.:125mm; Graduation:0.01mm MICROCOMMUTATEUR 21A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:21A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Contact Type:Poussoir broche; Courant de contact max.:21A; Force, fonctionnement:1.96N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact MICROCOMMUTATEUR 7A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier court; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:7A; Force, fonctionnement:0.49N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Type d'actionnement:Levie MICROCOMMUTATEUR 7A HINGE ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.324N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:7A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:7A; Force, fonctionnement:0.324N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Type d'actionnement: MICROCONTROLEUR 32 BITS FLASH 128K CMS; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROSWITCH, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact max.:16A; Course min:1.0mm; Déplacement, différentiel:0.4mm; Force de retour, min.:0.49N; Force, fonctionnement:1.96N; LEAD, XLR, MICROPHONE, 9M; Connecteur type A:XLR Socket; Connecteur type B:XLR Plug; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:29.53ft; Longueur de câble - Métrique:9m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Audio / Vidéo; Connecteur type A:XLR Female; Connecteur type B:XLR Male; Longueur câble:9m; Nombre de contacts:2 MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32 BITS 64K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 32BITS 64K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40 MICROPHONE,TRANSDUCER,1.41MM; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Sensitivity (dB):-66dB; Impédance, sortie:3.5kohm; Hauteur, dimension externe:2.21mm; Profondeur:3.99mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Device Type:Microphone; Fréquence, fonctionnement max..:4.8MHz; Longueur/hauteur:2.21mm; Sensibilité:3dB MICROCOMMUTATEUR SPNC 16A 400VAC; Configuration des contacts:SPNC; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:3.5N; Tension AC nominale du contact:400V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPNC; Courant de contact max.:16A; Force, fonctionnement:3.5N; Tension, contact c.a.:400V; Type d'actionnement:Poussoir; Type d'actionneur:Plunger; Type de borne:Quick Co OP AMP, MICROPOWER, WIDE, 16TSSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:1.3MHz; Vitesse de balayage:0.5V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6295 OP AMP, MICROPOWER, WIDE, 16TSSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:1.3MHz; Vitesse de balayage:0.5V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6295 RELAIS STAT MICROOPTO 24V/5-33VDC 10A; Control Voltage Range:19.2V DC 28.8V DC; Courant, charge:10A; Relay Terminals:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension de contrôle:DC; Type de borne:Screw PLUG, 0.4MM, MICRO-COAX, 30WAY; Série:FI-JH; Genre:Connecteur mâle; Pas:0.4mm; Nombre de contacts:30; Nombre de rangées:1; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre MICROSAFETY COMMUT SPDB-NO/NC SCREW; Configuration des contacts:SPDT-NO; Force, fonctionnement max..:7.35N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V MICROSAFETY COMMUT SPDB-NO+NO/NC PANEL; Configuration des contacts:SPDT-2NO / 1NC; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V MICROCOMMUT PIN 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 3A RH PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 1A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 1A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 3A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER LH PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NC; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V SOURIS. SANS FIL 5000. MICROSOFT. UK; Méthode de connexion:Sans fil - RF; Connecteur PC:USB; Type de souris:Optical; Taille de souris:Standard; Couleur Souris:Noir; Connector Type:USB; Couleur:Black MICRO 32 BITS 50MHZ 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.25V 2.75V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de FICHE MICRO D. NAPPE 24 VOIES; Type de connecteur:Micro câble plat D; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:24; Terminaison du contact:A souder; Montage connecteur:Suspendu; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 16 BITS 16K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-D MICRO 32 BITS 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19 MICRO 32 BITS 128K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC ( MICRO 32 BITS 128K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 64K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:123; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:81; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C + MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR USB; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:48; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICRO 32 BITS ARM7 64K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO 32 BITS ARM9 128K FLASH 208PQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM9xxxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:96; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:DMA, PIT, POR, PMC, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:208; MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C + MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 128K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:79; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d MICRO 32 BITS 256K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:79; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 8SOEIAJ; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 8SOEIAJ; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:MLF; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20MLF; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:MLF; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC MICROSAFETY COMMUT SPDB-NO/NC PANEL; Configuration des contacts:SPDT-NO; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V MICROSAFETY COMMUT SPDB-NC PANEL; Configuration des contacts:SPDT-NC; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V MICROSAFETY COMMUT DPDB-NOPANEL; Configuration des contacts:DPDT-NO; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:16A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V MICROCOMMUT PIN 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 0.1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 3A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1A LH PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 3A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 3A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 3A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SEALED PIN PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NC; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NC; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NO; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED SIM ROLLER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICRO 32 BITS 16K FLASH 33QFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 24K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:24KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 512K FLASH 208LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4032Byte; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonction MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:67; Taille mémoire de programme:384KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICRO ARM CORTEX-M3 108NFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:65; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:NFBGA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:108; MSL:MSL 3 MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:72; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICROCOMMUT SPDT 5A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.99N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V MICROCOMMUT SPDT 5A LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.99N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V MICROCOMMUT SPDT 5A PIN PLUNGER IP67; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.99N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V MICROCOMMUT SPDT 5A PIN PLUNGER IP67; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.99N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V MICRO 32 BITS 50MHZ 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.25V 2.75V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures MICROCOMMUT PIN 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SIM ROLLER 3A SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SEALED PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED SIM ROLLER PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED SIM ROLLER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SPDT 3A PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.27N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SPDT 3A LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.27N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SPDT 5A ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.99N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 16 BITS 16K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-D MICRO 32 BITS 512K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:81; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 256K FLASH 48TQFP; contrôleur Famille / Série:AT32UC3L; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:36; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; N MICRO 8 BITS 8051 20K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AT89; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:20KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM7 128K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICRO 32 BITS ARM7 512K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICRO 32 BITS ARM9 247BGA; contrôleur Famille / Série:AT91SAM9xxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:96; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:400MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 3.6V, 3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:247; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM9 256K FLASH 208PQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM9xxxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:96; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:DMA, PIT, POR, PMC, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:208; MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2.5KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 32 BITS 64K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICRO 32 BITS 128K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICRO 32 BITS 128K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20VQFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICRO 16 BITS 16KB FLASH 24TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:11; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Comparateur, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:24; SVHC:No SVHC (1 MICRO 16 BITS 8KB FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, ACMP, DMA, POR; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 512K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:109; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4032Byte; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonction MICRO 32 BITS 512K FLASH 208BGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4032Byte; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonction MICRO ARM CORTEX-M3 108NFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:NFBGA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:108; MSL:MSL 3 MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:65; Taille mémoire de programme:384KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - FICHE FEMELLE. MICRO HDMI-D 1.4; Type de connecteur:HDMI; Genre:Embase; Montage connecteur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) FICHE FEMELLE. MICRO HDMI-D 1.4. INVERSE; Type de connecteur:HDMI; Genre:Embase; Montage connecteur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) FICHE USB3.0. MICRO B. CMS; Type de connecteur:USB 3.0 Micro B; Genre:Embase; Nombre de contacts:10; Terminaison du contact:Montage en surface vertical; Montage connecteur:CI; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Ports E/S tactiles capacitifs; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - MICRO 8 BITS 3.5K FLASH XLP 28UQFN; contrôleur Famille / Série:XLP, PIC16F18xx; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:N MICROCONTROLEUR 16 BITS 16K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:16KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 24K FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:24 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:24KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 16K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:16KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 64K FLASH 80BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:64KB MICRO 16 BITS 128K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:128KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 32K FLASH 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:63; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:32KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 96K FLASH 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C, SPI, UART; Taille mémoire, programme:96KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 1K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:1KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 2K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:2KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 4K FLASH 20TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:4KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB MICROCONTROLEUR 16 BITS 8K FLASH 16QFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre d'E/S:10; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:SPI, I2C; Taille mémoire, programme:8KB CONNECTEUR. MICRO SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Terminaison du contact:Montage en surface vertical; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10000 MICRO 8 BITS 7K FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 7K FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 7K FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 14K FLASH 18PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 14K FLASH 18SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 128K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC ( MICRO 32 BITS 128K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:85; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC ( MICRO 32 BITS 512K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:123; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:45; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 32 BITS ARM7 256K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM7xxxxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:55MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICRO 32 BITS ARM9 208PQFP; contrôleur Famille / Série:AT91SAM9xxx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:96; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, PIT, PMC, POR, RTT; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:208; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnem MICRO 8 BITS AVR 256K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 8 BITS AVR 256K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C + MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 28PDIP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85 MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; N MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 32 BITS 64K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:79; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICRO 32 BITS 256K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICRO 32 BITS 256K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:24KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICRO 8 BITS AVR 1K FLASH 20MLF; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MLF; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; S MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 8MLF; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICRO 8/16 BITS XMEGA 256K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR XMEGA; Nombre de bits:8bit / 16bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:264KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:7; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, POR; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICRO 32 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - MICRO 32 BITS 16K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 32K FLASH 48BGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:65; Taille mémoire de programme:384KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - CABLE MICROPHONE BLEU PAR M; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Matière, isolant secondaire:PVC/Néoprène; Matéria GAINE THERMO BOOT MICRO ST7.9/2.2MM; A utiliser avec:Cable; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Élastomère; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):25mm; Longueur totale - Impérial:0.98''; Type d'accessoire:Straight Boot; Body Material:Elastomer; Couleur:Black MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numér MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 48QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 20DIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40° MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, CRC, CNA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 32 BIT 512K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement: MICRO 32 BITS 512K FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 16 MICROCONTROLEUR 32 BITS 32K FLASH 64BGA; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS 64K FLASH 48VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 32 BITS 128K FLASH 36VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICRO 32 BITS 16K FLASH 36VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICROCONTROLEUR 32 BITS 16K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 MICRO 32 BITS 64K FLASH 36VFQFPN; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:64 KB; Taille mémoire, RAM:20KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:VFQFPN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:36; MSL:MSL 3 - 16 MICRO 32 BITS 768K FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:768 KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 32 BITS 1M FLASH 144LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:1 MB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, RTC, Minuterie; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL UC/OS-II MICROCHIP PIC24XX SGL; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-II MICROCHIP PIC32XX PLAT; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:Easy to use, manages up to 250 tasks, many supported architectures, scalable; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-II UC/OS-III MICROCHIP PIC24XX SGL; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III UC/OS-III MICROCHIP PIC24XX PROD; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Ligne de produits; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III UC/OS-III MICROCHIP PIC24XX PLAT; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC24; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:ANSI C Source Code, Preemptive Multitasking, Unlimited Tasks, Round-Robin Scheduling; Certifications:Certifiable; Fonction outil:Logiciel de programmation et d'exploitation; Série:è¾C/OS-III UC/TCP-IP MICROCHIP PIC32XX SGL; Logiciels d'application:Piles - TCP/IP; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Produit unique; Caractéristiques:Adjustable memory footprint, supports multi-NIC interfaces, zero copy buffer mgnr; Série:è¾C/TCP-IP UC/TCP-IP MICROCHIP PIC32XX PLAT; Logiciels d'application:Piles - TCP/IP; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Modèle de licence:Plates-forme de processeur; Caractéristiques:Adjustable memory footprint, supports multi-NIC interfaces, zero copy buffer mgnr; Série:è¾C/TCP-IP JEU DE MACHOIRES MICRO TIMER EMBASE MICRO SD. PUSH. D-SW. 1.25MM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:10; Pas:1.1mm; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS 14K FLASH 40UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:14 KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; MICROCONTROLEUR 8 BITS 28K FLASH 40PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; S MICROCONTROLEUR 8 BITS 3.5K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5 KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS 7K FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7 KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Comparateur, Driver de LCD; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVH CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.1PF; Capacité:0.1pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.3PF; Capacité:0.3pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.7PF; Capacité:0.7pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.3PF; Capacité:1.3pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.7PF; Capacité:1.7pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.3PF; Capacité:2.3pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 5V, BI, MICROPHONE, SC89; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5V MICROCHIP PIC18F26 FLOWCODE DEV KIT; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC18; Nombre de noyau de silicium:PIC18F; Contenu du kit:PIC18F26J50-EVK Board, USB Cable, CD-ROM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MSL:MSL 3 - 168 heures EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT 32MX4; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Nombre de noyau de silicium:PIC32MX; Contenu du kit:Cerebot 32MX4 Board, USB Cable, CD; Caractéristiques:9 Pmod Connectors, USB2.0 Device, Host and OTG Support, 4 LEDs, ESD & Short Circuit Protection; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) THERMOMETRE IR CSMICRO 2WLTH KIT; Gamme de mesure de température:-40°C +1030°C; Type de testeur de température:Thermomètre - Infrarouge; Précision %:1%; Longueur d'onde max..:14è¾m; Température de fonctionnement:-20°C +180°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:112; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; AMP, RF, GAIN BLOCK, 8GHZ, 4MICRO-X; Gain:16.7dB; Bruit:4.3dB; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:47mA; Gamme de tension d'alimentation:3.6V 4.2V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) ELECTRET MICROPHONE, OMNI, PCB PINS; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:6mm; Hauteur, dimension externe:2.7mm; Profondeur:6mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Broches PCB; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:6mm; Fréquence OP AMP, RRIO, MICROPOWER, 8MSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:2.4MHz; Vitesse de balayage:1.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, LONG LEVER,; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A TERMINAL COVER, FOR D2SW MICROSWITCH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, LEADS; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM LEVER, LEADS; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, PIN, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.6N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 16 BITS 256KB FLASH 113BGA; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:113; MSL:MSL 3 - 168 he MICRO 8 BITS VALEUR LINE 48LQFP; contrôleur Famille / Série:STM8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.95V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 MICRO 8 BITS VALEUR LINE 48LQFP; contrôleur Famille / Série:STM8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.95V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 MICRO 32 BITS CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:114; Taille mémoire de programme:1MB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:14; Peripherals:CAN, CNA, CRC, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 1 - Illimi MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C + MICROCONTROLEUR ARM7 BLEUSTREAK 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:76; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:84MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, Contrôleur LCD, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.98V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MS MICROCONTROLEUR ARM9 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM9; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:108; Taille mémoire de programme:768KB; Taille EEPROM:16KB; Taille mémoire, RAM:88KB; Vitesse de processeur:125MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICROCONTROLEUR ARM9 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM9; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:104; Taille mémoire de programme:768KB; Taille EEPROM:16KB; Taille mémoire, RAM:120KB; Vitesse de processeur:125MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 32 BIT PIC32 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, ACMP, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-De MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 6SOT; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DIP; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 8DIP; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 512KB 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT,; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 10.1A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 10.1A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPST-NC; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:51gf; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet, charnière courte; Force, fonctionnement max..:2.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 5A, SIM ROLL, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 5A, SIM ROLL, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, PIN, 0.05A,; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, HINGE LEVER, 0.05A, RH; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier lame avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Ultra subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.95N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 14TSSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16kB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:1024; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 32 BITS QORIVVA 64LQFP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:45; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC MICROCONTROLEUR 32 BITS QORIVVA 100LQFP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:20KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.3V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No MICROCONTROLEUR 16BITS MSP430F6X 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:72; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB 100TQFP; Série:DSPIC; Fréquence du coeur:70MHz; Alimentation du noyau:1.8V; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, FLASH:280KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 16 BITS 64KB 80TQFP; Fréquence du coeur:120MHz; Alimentation du noyau:2.5V; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire, FLASH:64KB; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS 1.75KB FLASH 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nomb MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C + MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C CAPTEUR TEMPERATURE NV ALARM 8MICROSO; Type de sortie CI:Drain ouvert; Gamme de précision de détection:è… 0.5°C; Gamme de température de détection:-55°C +125°C; Courant, alimentation:650è¾A; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de capteur CI:è¾SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 16 BITS MSP430 FRAM 24VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:DMA, Comparateur, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:24; MSL:MSL 2 - 1 a MICRO 16 BITS MSP430 FRAM 40VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:DMA, Comparateur, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 16 MICRO 16 BITS MSP430 FRAM 40VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 168 heures; S CARTE D'EVAL MEMS MICROPHONE ADMP521; Silicon Fabricant:Analog Devices; Kit Application Type:Audio / Vidéo; Application Sous Type:Microphone MEMS; Caractéristiques:Ultra Low Noise, Bottom Port, Digital Output, Omnidirectional Microphone; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 16WLCSP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:11; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:WLCSP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 100LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC11D00; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-20 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 208LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:200KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, USB, UART, ETHERNET; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC4000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:200KB; Vitesse de processeur:204MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC4000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:264KB; Vitesse de processeur:204MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, USB, UART, ETHERNET; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14 MICROCOMMUTATEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:2.94N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCOMMUTATEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:100000; Durée de vie, électrique:100000; Résistance, contact:1ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, résistance d'isol MICROCOMMUTATEUR HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:300000; Résistance, contact:200mohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, résistance d'isolation:250V MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 28SDIP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX2xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICROCONT 32 BITS 64KB FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX1xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 8BITS 3.5KB FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de f SWITCH, DETECT/MICRO, SPDT, NO LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Supérieur; Force, fonctionnement max..:2N; Terminaisons commutateur:Traversant; Courant de contact max.:100mA CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.8PF; Capacité:0.8pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.9PF; Capacité:0.9pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.1PF; Capacité:1.1pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.2PF; Capacité:1.2pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.4PF; Capacité:2.4pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRORUPTEUR 10A GALET PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Force, fonctionnement max..:2.2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:10.1A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:(ON); Courant , Tension c.a. contact-contact ma EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT 32MX7; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:MIP (Plans d'incitation management); Core Sub-Architecture:PIC32; Nombre de noyau de silicium:PIC32MX; Contenu du kit:Cerebot 32MX7 Board, USB Cable; Caractéristiques:USB 2.0 Device, Host and OTG Support, Two CAN Network Interfaces, Six Pmod Connectors; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT NANO; Silicon Fabricant:Atmel; Core Architecture:AVR; Nombre de noyau de silicium:ATmega128; Nom de famille Silicon:ATmega; Caractéristiques:Upto 8 ADC Input Channels, 4 LEDs, ESD Protection for all I/O Pins, In-system Programming Support; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) THERMOMETRE IR CSMICRO 2WLT KIT; Gamme de mesure de température:-40°C +1030°C; Type de testeur de température:Thermomètre - Infrarouge; Précision %:1%; Longueur d'onde max..:14è¾m; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EMBASE. MICROSD. PUSH-PUSH. 1.45MM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EMBASE. MICROSD. PUSH-PUSH. 1.28MM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EMBASE. MICROSD. PUSH-PUSH. 1.8MM; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EMBASE. COMBO. MICROSD / SIM (8 VOIES); Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:18; Matériau du contact:Phosphor Bronze / Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) SWITCH, MICRO-USB 2.0, SPDT, 16UQFN; Type d'USB:Commutateur USB; Version USB:2.0; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Nombre de broches:16; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO DE TABLE MK2; Impédance, sortie:600ohm; Réponse en fréquence, limite basse:100Hz; Réponse en fréquence, limite haute:12kHz; Sensibilité:-72; Connector Type:Câble 3 m; Longueur cordon:2m; Couleur, base:Noir; Device Type:Microphone de radiomessagerie; Fréquence, fonctionnement max..:12kHz; Fréquence, mesure de capacité:100Hz; Impédance:600ohm; Largeur (externe):120mm; Longueur/hauteur:360mm; Transducer Function:Microphone MICROCONTROLEUR 16/32 BITS ARM7 CMS; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de AMP, RF, GAIN BLOCK, 10GHZ, 4MICRO-X; Gain:12.7dB; Bruit:5dB; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:50mA; Gamme de tension d'alimentation:4.4V 4.8V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) OP AMP, RRIO, MICROPOWER, 8SOIC; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:2.4MHz; Vitesse de balayage:1.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM LEVER, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPST-NO, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 3A, PIN, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, LONG LEVER; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPST-NC, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.6N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.6N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.6N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLL LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 32 BIT KINETIS K10 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 he MICRO 32 BIT KINETIS K40 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 1 MICRO 32 BIT KINETIS K60 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 1 MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M3 64BGA; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:BGA; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 3.6V; Température de fonc MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:24KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, POR; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 h MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430 24VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:24; MSL:MSL 2 - MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 32VQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; MSL:MSL 3 - 16 MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 32VQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:24KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; MSL:MSL 1 - I MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 32VQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; MSL:MSL 1 - I MICROCONTROLEUR ARM7 BLEUSTREAK 176LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:77.41MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Peripherals:DMA, RTC, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 1.98V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:176; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR ARM7 BLEUSTREAK 176LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:86; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:76.205MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, Contrôleur LCD, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.9V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:176; MS MICROCONTROLEUR ARM7 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 32 BIT PIC32 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, ACMP, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 32 BIT PIC32 44QFN; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, ACMP, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-De PLIER, MICRO LONG NOSE, 100MM; Type de pince:Bec long; Longueur, hors tout:100mm; Longueur:100mm; Matière:acier inoxidable; Type de machoire:Long Nose MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 10.1A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 10.1A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 5A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:51gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, PIN, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 5A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 5A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier charnière courte; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT,MX7CK MICROPHONE OMNI DIRECTIONAL CORDONED; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16kHz; Tension, alimentation min.:2V; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):44dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:3mm; Hauteur, dimension externe:6mm; Largeur (externe):1.5mm; Profondeur:3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Fil; Consommation de courant:0.5mA; Diamètre:3mm MICROCONTROLEUR 32 BITS QORIVVA 64LQFP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:20KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.3V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No S TRANS. MOSFET DOUBLE NP LOGIQUE MICRO-8; Polarité transistor:N and P Channel; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):135mohm; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont, canal P:1.7A; Courant, Id imp, canal P:14A; Courant, Idm cont., canal N 1:2.4A; Courant, Idm impul.:14A; Courant, Idm impuls. canal N 1:19A; Dissipation de puissance:1.25W; Marquage, CMS:7507; Nombre de trans MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430F6X 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430F5X 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:67; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Capteur de température, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; COFFRET 5 TOURNEVIS MICRO TECH; Contenu du kit:2, 2.5, 3mm, PH0, PH1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:AEF.2x75 - 2,5x75 - 3x75 / AEFD.0x75 - 1x75 COFFRET 8 TOURNEVIS MICRO TECH; Contenu du kit:1, 1.2, 1.5, 1.8, 2, 2.5mm, PH000, PH00; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Jeu de tournevis 1x35, 1.2x35, 1.5x35, 1.8x35, 2x35, 2.5x35, 000x35, 00x35 MICROCONTROLEUR 8 BITS 1024B FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, CNA; Type d'interface embarquée:USB; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:125gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:1A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:1A; Courant de contact c.a.:1A; Cou MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:300gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, SEMKO; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:2A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact MICRORUPTEUR A GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:300gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, SEMKO; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:2A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 8 BITS 1.75KB FLASH 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C + MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 16 BITS HCS12 112LQFP; contrôleur Famille / Série:HCS12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +10 MICRO-OHMMFTRE; Resistance Measuring Range:1è¾ohm 20kohm; Résolution:1è¾ohm; Courant, test:250mA; Hauteur, dimension externe:82mm; Largeur (externe):220mm; Profondeur:230mm; Poids:1.3kg; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température:30ppm/°C; Longueur/hauteur:98mm; Précision:0.1%; Safety Category:EN64010-1/EN61326; Type de testeur de résistance:Micro-ohmmètre numérique MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement m MICRO SUB-D MALE METAL 15 VOIES; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Nickel; Connecteur type A:15 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type 2; Cou MICRO SUB-D FEMELLE METAL 25 VOIES; Connecteur type A:25 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:25; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Nickel; Connecteur type A:25 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type CORDONS DE MESURE A MICRO-CROCHETS; Type d'accessoire:Lead; A utiliser avec:Fluke 87V/E2, 87V, 73-III, 189, 287, 289, 187, 715, 725, 726, 787, 789 DMMs; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:3A; Tension c.a.:30V CABLE MICROPHONE 2 CONDUC. NOIR; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:7 x 0.2mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:3mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:7 / 0.2mm; Couleur de la gaine:Rouge, Jaune; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre extérieur:3mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de l CABLE MICROPHONE 2 CONDUC. NOIR; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.16mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6.3mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.1mm; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre extérieur:6.3mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la ga CABLE MICROPHONE 2 CONDUC. ROUGE; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.16mmË›; Couleur de la gaine:Rouge; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6.3mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.1mm; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Rouge; Diamètre extérieur:6.3mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la KIT DE VERROUILLAGE MICRO SLOT; Matière:Acier MICROPHONE W/SHIELD 12-14MM MICROPHONE W/SHIELD 11-15MM MICROPHONE W/SHIELD 21-26MM MICROPHONE BLINDE 40-50MM; Diamètre:50mm MI-PRO LAPEL MICROPHONE MICRO 16 BITS MSP430 FRAM 40VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 168 heures; SV CARTE PROTOTYPE EVAL FLEX MICRO ADMP521; Silicon Fabricant:Analog Devices; Kit Application Type:Audio / Vidéo; Application Sous Type:Microphone MEMS; Caractéristiques:Ultra Low Noise, Bottom Port, Digital Output, Omnidirectional Microphone; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-201 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:56KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-201 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC11C00; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC11C00; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:109; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:40KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCOMMUTATEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Course min:0.4mm; Déplacement, différentiel:0.1mm; Force de relache:0.2N; Pré-course:0.6mm MICROMETRE COFFRET 0-150MM; Gamme de mesure max..:150mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX2xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX1xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 8 BITS 3.5KB FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de MICROCONTROLEUR 8BITS 3.5KB FLASH 28UQFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:UQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température d MICROCONTROLEUR 8BIT 3.5KB FLASH 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température MICROCONTROLEUR 8BITS 3.5KB FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fon MICROSCOPE, USB, 640 X 480, TV OUTPUT; Magnification:10x 50x, 200x; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, 1280 X 1024, 30FPS; Magnification:10x to 92x; A utiliser avec:Windows 2000/XP, Vista, Windows 7 and MAC X Computers; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, VGA, 800 X 600, 60FPS; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:VGA Monitor; Hauteur de travail:3.8mm; Type de caméra:Numérique DRIVER MICROPAS COMPACT; Gamme de tension d'alimentation:21V DC 37V DC; Gamme de fréquence:0Hz 50kHz; Courant, sortie:1A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.0A; Fréquence, fonctionnement:50kHz; Longueur/hauteur:50.7mm; Poids:130g; Profondeur:74.5mm; Température de fonctionnement max..:40°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:37VDC; Tension, alimentation min.:21VDC; Tension, entrée max..:37V; Tension, entrée min.:21V; Type de montage:Rail DIN COMMUTATEUR MICRO FSM103SM; Configuration des contacts:SPST; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Supérieur; Terminaisons commutateur:Traversant; Contact Configuration:SPST; Contacts:SPST; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Hauteur, hors tout:7.3mm; Hauteur, max..:7.3mm; Largeur (externe):12mm; Longueur, levier:2.7mm; Profondeur:12mm; Série:FSM103; Tension, contact c.c.:12V; Tension, contact c.c. max..:12V; Type de b LIVRE-GUIDE TO MICROCHIP PIC; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Auteur:N. Gardner; Date d'émission:Troisième édition - 1998; Editeur:Microchip PANNE 0.25MM MICRO FINE; Largeur de l'inclinaison:0.25mm; Type de panne:Micro; A utiliser avec:MX-500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:13.2mm; Longueur, fiche:13.2; Taille de panne:0.25mm; Température de fonctionnement max..:357°C PANNE 0.25MM MICRO FINE; Largeur de l'inclinaison:0.25mm; Type de panne:Micro; A utiliser avec:MX-RM3E Handpiece or MX-H1-AV Handpiece; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:13.2mm; Longueur, fiche:13.2; Taille de panne:0.25mm; Température de fonctionnement max..:412°C MICROPHONE VOCAL CORDON XLR MICROPHONE; Connecteur type A:XLR Plug; Connecteur type B:XLR Socket; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.81ft; Longueur de câble - Métrique:10m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Audio / Vidéo; Connecteur type A:3 Way XLR Plug; Connecteur type B:3 Way XLR Socket; Couleur:Noir; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de pâles:3 MICRORUPTEUR LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:3A; Du MICRORUPTEUR LEVIER LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de con IC-CMS-MICROPOWER SENSOR; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:35mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:8212; Numéro générique:8212; Racine de la référence:8212; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, sortie:18V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:3A; Durée MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1mm; Durée de vie, mécanique:5000000 MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence, horloge:25MHz; Fréquence, typique:25MHz; Interface:Serial; Interface:UART; Interface Type:UART; Nombre d'en MICRO ELECTRET SUR CI; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Tension, alimentation min.:1.5V; Tension, alimentation max..:10V; Impédance, sortie:2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:6.7mm; Profondeur:6.7mm; Connector Type:Broches PCB; Consommation de courant:5mA; Device Type:Microphone électret; Diamètre:9.7mm; Fréquence, fonctionnement max..:10kHz; Fréquence, fonctionnement min.:50Hz; Impédance:2kohm; Longueur/hauteur:6.7mm; Ratio S/B:34dB; Sensi COFFRET 8 TOURNEVIS MICRO TECH; Contenu du kit:T5, T6, T7, T8, T9, T10, T15, T20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Jeu de tournevis 5x35, 6x35, 7x35, 8x75, 9x75, 10x75, 15x75, 20x75 MICROCOMMUT PIN 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE LEVER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 0.1; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 3A LH PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1A RH PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT PIN 1A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.74N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT HINGE ROLLER 3A PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:3mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED SIM ROLLER PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LEAF LEVER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NO; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPST; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:39nC; Charge, porte, canal N:6.4nC; Courant, Idm impul.:18A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipatio MICROPHONE SHURE; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:150ohm; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:15000Hz; Sensibilité:-54.5dBV/Pa; Connector Type:3 broches XLR; Device Type:Microphone dynamique; Diamètre:51mm; Fréquence, fonctionnement max..:15kHz; Impédance:150ohm; Longueur/hauteur:162mm; Transducer Function:Microphone MICRO-COMMUTATEUR; Configuration des contacts:DPNC; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.25N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT-1NC / 1NO; Contact Material:Or; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:100mA; Courant de contact c.a.:500mA; Courant de contact c.c. max.:100mA; Courant de contact max.:100mA; Course min:0.4mm; Durée de vie, mécanique:300000; Durée de vie, électrique:20 MICRO-COMMUTATEUR; Configuration des contacts:SPDT-1NC / 1NO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.29N; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT-1NC/1NO; Contacts:; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:100mA; Courant de contact c.a.:500mA; Courant de contact c.c. max.:100mA; Course min:0.3mm; Durée de vie, méc MICROCOMMUT SPDT 3A SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.27N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SPDT 0.1A LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.54N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:250V MICRO 32 BITS 50MHZ 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:56; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.25V 2.75V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO SUB-D MALE METAL 9 VOIES; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Nickel; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type 2; Courant MICRO SUB-D FEMELLE 9 VOIES; Type de connecteur:Sub-D; Série:MCK; Nombre de contacts:9; Taille de capot Sub D:D9; Matériau du corps du connecteur:Aluminium; Genre:Embase; Terminaison du contact:Traversant angle droit; Nombre de cycles d'accouplements:500; Body Plating:Nickel; Connector Type:Sub-D, Miniature; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre; Courant:3A; Courant dc max:3A; Matière:Aluminium Alloy; Matière, boîtier:Alliage aluminium; Nombre de pâles:9; Nombre de MICROSWITCH, PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:7.2N; Tension, contact c.a.:125V; Courant de contact max.:10A; Terminaisons commutateur:Vis; Approuvé:UL, CSA 22.2 No. 55; Boîtier de commutateur:Phénolique; Configuration contact:SPST-CO; Contacts:; Courant:15A; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:10 MICRORUPTEUR A GALET PLONGEUR V3; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:3.2N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:26A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approuvé:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Configuration contact:SPST-CO; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:26A; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contac MICRORUPTEUR A LEVIER V3; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:1.4N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:26A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approuvé:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Configuration contact:SPST-CO; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:26A; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max MICRORUPTEUR A GALET PLONGEUR V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:1.7N; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:6A; Co MICRORUPTEUR A LEVIER V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:6A; Courant de c MICRORUPTEUR A GALET PLONGEUR V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:3N; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Cou MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH Z8 CMS; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max.. MICRO 8 BITS 7K FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 14K FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS 3.5K FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:Série; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 128K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, POR, PWRT; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19 MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 16K FLASH 28TSOP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 9V; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; No MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 64K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, ACMP, Driver de LCD, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 32QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICRO 32 BITS 64K FLASH 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:1.62V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 8EIAJ SOIC; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:Série, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICRO 8 BITS AVR 2K FLASH 20MLF; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:ACMP, POR; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MLF; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS AVR 4K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broche MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRO 8 BITS AVR 8K FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, WDT, PWM; Type d'interface embarquée:SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch DEBOGUEUR JTAG POUR AVR MICROS; Core Architecture:AVR; Core Sub-Architecture:AVR UC3; Type de produit IC:Débogueur; Contenu du kit:In-Circuit Debugger / Programmer Unit, Cables and Software; Caractéristiques:Supports JTAG, aWire, SPI and PDI Interfaces, USB Powered; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS 32K FLASH 48LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:37; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:36MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS 512K FLASH 208LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4032Byte; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonction MICRO 32 BITS 512K FLASH 180BGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:141; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4032Byte; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:12; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonction MICRO ARM CORTEX-M3 64LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 2 - 1 MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - MICRO ARM CORTEX-M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:ACMP, CAN, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - PEN, UNI EYE, MICRO, ROLLERBALL; Couleur, encre:Black PEN, UNI EYE, MICRO, ROLLERBALL; Couleur, encre:Red KIT DE CORDONS ET MICRO-EMBOUTS CMS; Tension:1000V; Contenu du kit:1 Pair of Black & Red Test Probe Set with Two Replaceable Tips; Connecteur type A:R/A DMM Plugs; Connecteur type B:Gold Plated Pogo Tipped Probes; Couleur:Red / Black; Longueur cordon:1.2m; Longueur câble:1.2m; Nombre de voies:2; Type de câble assemblé:Test MOUSSE POUR MICRO DE DIA. 21-26MM MOTOR DRIVER, MICROSTEPPING, 24TSSOP; Type de moteur:Pas pas; Nombre de canaux de sortie:2; Courant, sortie:2A; Tension, sortie:35V; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:TSSOP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.4PF; Capacité:0.4pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.5PF; Capacité:1.5pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.6PF; Capacité:1.6pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.9PF; Capacité:1.9pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.2PF; Capacité:2.2pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.5PF; Capacité:2.5pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) OP 73MICRO/TP 177MICRO MANUEL (E) MICROMETRE D'EXTERIEUR; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Résolution:0.01mm TERMINAISON. 26-30AWG. MICRO-FIT 3.0; A utiliser avec:Micro-Fit 3.0 Series Connectors; Genre du contact:Broche; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:A sertir; Type de connecteur:Contact, A sertir CONNECTEUR CARTE MEMOIRE MICROSD 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Série:microSD Card; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit MICROMETRE MECANIQUE 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Précision:è… 2 è¾m; Précision mm / pouces:è… 2è¾m; Résolution:0.01mm MICROMETRE DIGITAL 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.001mm; IP / NEMA Rating:IP65; Précision mm / pouces:è… 0.001mm; Résolution:0.001mm COMMUTATEUR MICRO FSM2J L=4.3MM; Configuration des contacts:SPST; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Supérieur; Terminaisons commutateur:Traversant; Contact Configuration:SPST; Contacts:SPST; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Hauteur, hors tout:4.3mm; Hauteur, max..:4.3mm; Largeur (externe):6mm; Longueur, levier:1.9mm; Profondeur:6mm; Série:FSM; Tension, contact c.c.:12V; Tension, contact c.c. max..:12V; Type de b MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K + CAN; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.5KB FLASH; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROPHONE, MINI, SHOTGUN MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:32KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; SVHC MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; S MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 128K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2048Byte; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 128K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:58; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2048Byte; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre AMP, RF, GAIN BLOCK, 12GHZ, 4MICRO-X; Gain:13dB; Bruit:4.9dB; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:50mA; Gamme de tension d'alimentation:4.4V 4.9V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) ELECTRET MICROPHONE, OMNI, PCB PINS; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-42dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Profondeur:4mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Broches PCB; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence ELECTRET MICROPHONE, OMNI, LEADS; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16000Hz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):-44dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:4mm; Hauteur, dimension externe:1.5mm; Profondeur:4mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Fils; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:4mm; Fréquence:16kHz MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Entraxe de fixation, L x MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c. MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; JEU 6 TOURNEVIS MICRO; Contenu du kit:1.8, 2, 2.5, 3mm, PH00, PH0; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Jeu de tournevis 0.3x1.8, 0.4x2, 0.4x2.5, 0.5x3, PH00, PH0; Type de tournevis:Phillips, fente MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:2.25N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, él MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH SCELLE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:76gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:42V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:1 mA at 5V dc to 2 A at 12V dc; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:Levier; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:0.1A; Courant , Tens MICROSWITCH, SPDT, 16A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM LEVER; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPST-NC, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPST-NO, 3A, PIN, LEADS; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM LEVER, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPST-NO, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, PIN, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:CI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLL LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 16 BITS 128KB FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SV MICRO 16 BITS 256KB FLASH 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 MICRO 32 BIT KINETIS K20 100LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:1 MICRO 32 BIT KINETIS K30 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:102; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches: MICRO 32 BIT KINETIS K40 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL 3 - 1 MICROMETER, QUICKMIKE, 0-1.2''; Gamme de mesure max..:30mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Force, mesure max..:10N; Force, mesure min.:5N; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.001mm; Précision:è… 2è¾m; Précision mm / pouces:è… 0.00008in; Résolution:0.001mm / 0.00005in MICRO 8 BITS VALEUR LINE 32LQFP; contrôleur Famille / Série:STM8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.95V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 MICRO 32 BITS CORTEX M3 100LQFP; contrôleur Famille / Série:(ARM Cortex) STM32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:384KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, CNA, CRC, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, USART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430 64VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:47; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 1 - Il MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:109; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température d MICROCONTROLEUR ARM7 BLEUSTREAK 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:76; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:84MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, Contrôleur LCD, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.98V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; MSL:MSL MICROCONTROLEUR ARM7 208LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:160; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:98KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; N MICROCONTROLEUR 32 BIT PIC32 44VTLA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, ACMP, POR, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (19-D MICROCONTROLEUR 16 BITS 256KB 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire de programme:280KB; Taille mémoire, RAM:28KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, ACMP, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:ECAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPST-NC, SOLDER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, ROLLER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Températur MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, PIN, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier charnière longue; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier charnière longue; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet, charnière courte; Force, fonctionnement max..:2.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, LEAF LEVER, 0.05A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier lame; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, LEAF LEVER, 0.5A. RH; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier lame; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:500mA; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, SHORT, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Ultra subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière courte; Force, fonctionnement max..:1.15N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.c.:30V MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:28 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:20MHz; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire, FLASH:66KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:CAN, I2C, SPI, UART; Interface Type:CAN, I2C, SPI, UART; Numéro d EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT,MX4CK FER A SOUDER MICRO TOOL; Tension d'alimentation Vac:24V; Puissance de sortie:20W; Heat Temperature Range:+350°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Replacement Heating Element: 021100J; Poids:25g; Temps de fonctionnement:50s; Température, max..:350°C; Température, min.:50°C; Type de panne:Coating: ERSADUR; Vide:0.4 MICRORUPTEUR A LEVIER V3; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:3.2N; Terminaisons commutateur:Quick Connect; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent / Nickel argent; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:26A; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact max.:26A; Durée MICRORUPTEUR A LEVIER V3; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:1.55N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:26A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approuvé:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Configuration contact:SPST-CO; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:26A; Courant de contact c.a.:16A; Courant DEV TOOL MICROSTICK PIC24F KL/KA; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC18, PIC24; Nombre de noyau de silicium:PIC24F; Nom de famille Silicon:PIC18F8xxx, PIC24FJxxGAxxx; Contenu du kit:Microstick for PIC24F K Series Board, USB Cable, Header Pins, PIC24F16KL402 & PIC24F16KA102 Boards; Caractéristiques:Low Cost, USB Powered ? Ease of Use, No External Power Supply Required, MPLAB IDE Support; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH Z8; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH Z8 CMS; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 8 BITS Z8 CMS; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C MICROCONTROLEUR 8 BITS Z8 CMS; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:46; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DMA; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:Comparateur, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16kB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16kB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MICROCONTROLEUR 32 BITS QORIVVA 100LQFP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:79; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 - 168 heures; SV MICROCONTROLEUR 16 BITS S12HY 100LQFP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:80; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Driver de LCD, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICROCONTROLEUR 16 BITS S12XHZ 144LQFP; contrôleur Famille / Série:HCS12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:117; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Driver de LCD, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430F6X 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 MICROCONTROLEUR 16BITS MSP430F6X 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:72; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430F6X 80LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 EMBASE MEMOIRE CARTE SD. MICRO. 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black MOSFET CANAL P 20V 2.6A 6MICROFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET1.6x1.6; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL PP 20V 3A MICROFET2X2; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET2x2; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 1.75KB FLASH 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de bro MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de br MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement: MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 16 BITS HCS12 112LQFP; contrôleur Famille / Série:HCS12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +105 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températu MICROSCOPE MEASUREMENT, X50; Magnification:50x; Hauteur de travail:11.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur de grossissement:50; Hauteur:125mm; Largeur (externe):40mm; Mesure de profondeur:0.1mm; Profondeur:40mm; Sub-division d'échelle:0.02 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; S MICROPHONE, PLUG-IN, OMNI MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:59; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; S MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:90; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre PANNE POUR MICROMELF; Largeur de l'inclinaison:0.2mm; Type de panne:Pincette; A utiliser avec:Digital 2000 A, MICRO-CON 60 iA Soldering Stations; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:82.5mm; Taille de panne:0.2mm; Température de fonctionnement max..:450°C MICROSWITCH 16A MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet court; Force, fonctionnement max..:2.35N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:16 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:Levier court galet; Contacts:; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Couran MICROSWITCH SUBMINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.5N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité de commutation:3A @ 125V ac; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:3A; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; Force diélectrique, Vcc:1000V; Force, fonctionnem MICROSWITCH ‚ GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:55gf; Terminaisons commutateur:Solder; Boîtier de commutateur:PET; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c.:6A; Courant de contact max.:6A; Course min:2mm; Durée de vie, électrique:6000; Déplacement, différentiel:0.6mm; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; Force, fonctionne TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Configuration module:Double; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Courant, Id max..:2.4A; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.11mm; Nombre de transistors:2; Pas:0.65mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:5.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:87nC; Courant, Id max..:5.6A; Courant, Idm impul.:30A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:12 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC: MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:QFN; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro de MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro de l MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:25è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Numéro de la fonction logique:706; Numéro générique:706; Racine de la référence:706; Tem SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:35è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:WSOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Dissipation de puissance:900mW; Dissipation de puissance Pd:900mW; Numéro de la fonction logique:691; Numéro générique:691; Racine de la réf SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:35è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:500mW; Dissipation de puissance Pd:500mW; Numéro de la fonction logique:690; Numéro générique:690; Racine de la référence:690; MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Tension, référence:2.5V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-2.5; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.1%; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier diode:TO-92; Type de term MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385Z-2.5; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement ma MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-5.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 10V; Tension, référence:10V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-10.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1.0%; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant AMPLI. OP. QUAD MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:100kHz; Vitesse de balayage:0.02V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 15.5V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:CMOS; Courant, alimentation max.:10è¾A; Gain, bande-passante -3dB:0.1MHz; Numéro de la fonction logique:6044; Numéro générique:6044; Ra MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:48KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-201 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-201 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 208LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:40KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 208LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC4000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:168KB; Vitesse de processeur:204MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC MICROCOMMUTATEUR HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.69N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10A; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:10000000; Résistance, contact:20mohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisat MICROCOMMUTATEUR HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:300000; Résistance, contact:200mohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, résistance d'isolation:250V MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX2xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONT 32 BITS 64KB FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32MX1xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 28SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de f MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LT1004CZ25#PBF; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnemen MICRORUPTEUR V4 LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, EN61058-1; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:2A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Course min:1mm; AMPLI OP QUAD MICROPUISSANCE DIP14 490; Type d'AOP:Basse tension; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:20kHz; Vitesse de balayage:0.012V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 800mV è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Précision; Gain, bande-passante -3dB:20kHz; Marquage composant:OP490GPZ; Numéro de la fonction logique:490; Numéro généri MICRORUPTEUR V4 PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.77N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, EN61058-1; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:2A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Course min:0.5mm; Durée RELAIS CARTE PROTO DOUBLE MICRO K 20A; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:40A; Résistance, bobine:254ohm; Configuration des contacts:DPCO; Type de bobine:CC, Monostable; Puissance de fonctionnement nominale:570mW; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:9.9mm; Largeur (externe):23.6mm; Profondeur:12.9mm; Consommation de puissance:0.57W; Contact Configuration:DPCO; Contact Material:AgSnO2; Contact Type:Forme C; Courant de commutation:40A; AMPLI OP QUAD MICROPOWER CMS; Type d'AOP:Précision; Nombre d'amplificateurs:4; Bande passante:700kHz; Vitesse de balayage:0.2V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 30V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 5 - 48 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:0.7MHz; Numéro de la fonction logique:747; Numéro générique:747; Racine de la référence:747; Température de fonctionnement max..:85°C; Temp MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:80ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:80ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385BZ-1.2G; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tem AMPLI OP DOUBLE MICROPUISSANCE DIP8 290; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:20kHz; Vitesse de balayage:0.012V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 36V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:micro-puissance; Gain, bande-passante -3dB:20kHz; Marquage composant:OP290GP; Numéro de la fonction logique:290; Numéro géné CIRCUIT DE RESET POUR MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:4.27V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:32è¾A; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Dissipation de puissance:700mW; Dissipation de puissance Pd:700mW; Numéro de la fonction logique:33164; Numéro générique:33164; Racine de la référe MICROCONTROLEUR 8 BITS+CAN 12 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:62KB; Taille EEPROM:62KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, PSM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:52; SVHC: RELAIS CARTE PROTOTYPE MICRO K 20A; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:40A; Résistance, bobine:254ohm; Configuration des contacts:SPCO; Type de bobine:CC, Monostable; Puissance de fonctionnement nominale:550mW; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:9.9mm; Largeur (externe):12mm; Profondeur:12.9mm; Consommation de puissance:0.55W; Contact Configuration:SPCO; Contact Material:AgSnO2; Contact Type:Forme C; Courant de commutation:40A; Cour CAPTEUR DE SOUS-TENSION POUR MICRO CMS; Tension de seuil:4.59V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:34604; Numéro générique:34064; Racine de la référence:34064; Température de fonctionnement max CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.2PF; Capacité:0.2pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.5PF; Capacité:0.5pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 0.6PF; Capacité:0.6pF; Tolérance de capacité:è… 0.05pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.0PF; Capacité:1pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.4PF; Capacité:1.4pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 1.8PF; Capacité:1.8pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.0PF; Capacité:2pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CAPACITOR, MICROWAVE, 0603, 2.1PF; Capacité:2.1pF; Tolérance de capacité:è… 0.1pF; Tension:50V; Type de boîtier de condensateur:0603; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR FLASH 64KB ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; MICROCONTROLEUR FLASH 16K ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:29; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1280Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation m MICROCONTROLEUR FLASH 16K ISP USB CMS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:1280Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement max.. EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT MC7; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:dsPIC; Core Sub-Architecture:dsPIC33; Nombre de noyau de silicium:dsPIC33F; Nom de famille Silicon:dsPIC33FJxxMCxxx; Caractéristiques:5V / 4A Switching Power Supply, Integrated Programming / Debugging Circuit, 1 CAN Network Interface; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) PANNE. CONIQUE. MICRO. 0.2MM. PQT 10; Largeur de l'inclinaison:0.2mm; Type de panne:Conical; A utiliser avec:Model 21-10130 SMD Rework Station; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur, fiche:17 mm EMBASE. MICROSD. PUSH-PUSH. 2.95MM; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) BATTERIE INDUSTRIAL AAA MICRO; Tailles de batterie acceptées:AAA; Capacité:1100mAh; Tension, batterie:1.5V; Technologie de la batterie:Carbone-zinc; Cosses de batterie:Levé positif et plat négatif; Diamètre, extérieur:10.5mm; Hauteur, dimension externe:44.5mm; Poids:11g; Battery IEC Code:LR03; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre du corps:10.5mm; Longueur/hauteur:44.5mm; Tension, sortie:1.5V; Type de borne:Flat AMP, RF, GAIN BLOCK, 6GHZ, 4MICRO-X; Gamme de fréquence:0MHz 6GHz; Gain:17dB; Bruit:4.1dB; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:47mA; Gamme de tension d'alimentation:3.6V 4.2V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) CMOS MICRO-MONITOR 1232 DIP8; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:MAX1232CPA+; Numéro de la fonction logique:1232; Num OP AMP, RRIO, MICROPOWER, 10MSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:2.4MHz; Vitesse de balayage:1.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:MSOP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) OP AMP, RRIO, MICROPOWER, 10MSOP; Type d'AOP:Micro-puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:2.4MHz; Vitesse de balayage:1.1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:MSOP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NC, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.98N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 16A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SPST-NC, 3A, PIN, LEADS; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPST-NO, 3A, PIN, LEADS; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, PIN, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM LEVER, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPST-NO, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPST-NC, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 3A, SIM ROLLER, QC; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.59N; Courant de contact max..:3A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:3A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.6N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A SUPERVISEUR DE TENSION POUR MICRO CMS; Tension de seuil:4.579V; Nombre de superviseurs / moniteurs:5; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 11V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:137è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance:667mW; Dissipation de puissance Pd:667mW; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:8216; Numéro MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Type d'interface embarquée:UART; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; Fréquence, horloge:25MHz; Fréquence, typique:25MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Ser MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A SUPERVISEUR DE MICRO CMS; Tension de seuil:4.35V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif haut; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1812; Numéro générique:1812; Racine de la référence:1812; Température de fonctionnement max..:85°C; Te MICRO MONITOR 1813 TO-92-3; Tension de seuil:4.62V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Marquage composant:DS1813-10+; Numéro de la fonction logique:1813; Numéro générique:1813; Racine de la référence:1813; Température d MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLL LEAF, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:42V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LEAF LEVER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier lame; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 32 BIT KINETIS K10 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:104; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:144; MICRO 32 BIT KINETIS K20 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:100; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches: MICRO 32 BIT KINETIS K60 144LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M4; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:100; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:128KB; Vitesse de processeur:100MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:10; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, DMA, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches: DEV KIT MICROSTICK II; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC, dsPIC; Contenu du kit:Microstick II Board, 2 - 1 x 14 Header Pins For Proto Board Use, PIC24H & F, dsPIC33, PIC32MX; Caractéristiques:USB Powered, MPLAB Support, On Board User LED and Reset Switch; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS VALEUR LINE 32LQFP; contrôleur Famille / Série:STM8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.95V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; MSL:MSL 3 MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 32VQFN; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; MSL:MSL 1 - I MICROCONTROLEUR 32 BITS CORTEX M0 48LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M0; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:24KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 1 - Il MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:109; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, Contrôleur LCD, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Te MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, Contrôleur LCD, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Te MICROCONTROLEUR ARM9 208LQFP; contrôleur Famille / Série:ARM9; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:152; Taille mémoire de programme:768KB; Taille EEPROM:16KB; Taille mémoire, RAM:120KB; Vitesse de processeur:125MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:-40°C SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:2.88V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:8mA; Numéro de la fonction logique:1233; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de fonctionnement max..:85°C; SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:4.35V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif haut; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1812; Numéro générique:1812; Racine de la référence:1812; Température de fonctionnement max..:85° MICRO MONITOR CMS 1813 SOT-23-3; Tension de seuil:4.35V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Marquage composant:DS1813R-10+; Numéro de la fonction logique:1813; Numéro générique:1813; Racine de la référence:1813; Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 6SOT; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 6SOT; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 448B 8DIP; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:448Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 896B 8DIP; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:896Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 10.1A, ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPST-NO, PCB; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, ROLLER, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, LEVER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:51gf; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:153gf; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, 5A, PIN, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:51gf; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROSWITCH, SEALED, 0.1A, LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier charnière courte; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, SEALED, 5A, SHORT LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Levier charnière courte; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Å” fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, HINGE LEVER, 0.05A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier lame avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, HINGE LEVER, 0.05A, LH; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier lame avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Tension, contact c.c.:30V CUTTER, MICRO, 90MM; Longueur, hors tout:90mm; Type de cutter:Micro; Longueur:90mm; Matière:acier inoxidable PLIER, MICRO FLAT NOSE, 100MM; Type de pince:Bec plat; Longueur, hors tout:100mm; Longueur:100mm; Matière:acier inoxidable; Type de machoire:Flat Nose PLIER, MICRO ROUND NOSE 100MM; Type de pince:Bec rond; Longueur, hors tout:100mm; Longueur:100mm; Matière:Stainles Steel; Type de machoire:Round Nose PLIER/CUTTER SET, MICRO, 5PC; Contenu du kit:Cutter, Flat Nose Plier, Bent Nose Plier, Round Nose Plier, Long Nose Plier; Matière:acier inoxidable EVAL, MICROCONTROLLER, CEREBOT,MX3CK VOLT REG MICROPWR 3V SD TO92; Tension d'entrée primaire:30V; Tension de sortie fixe:3V; Tension, déclenchement:380mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1 MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:17; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 16 BITS PIC24F 28SPDIP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16kB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI; Type de boîtier CI numérique:SPDIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de MICROCONTROLEUR 16 BITS S12G 100LQFP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:86; Taille mémoire de programme:96KB; Taille EEPROM:3KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, CNA, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL MICROCONTROLEUR 16 BITS S12P 80QFP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 MICROMETER, 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Précision:è… 2è¾m/0.0001''; Résolution:0.001mm / 0.00005'' MICROCONTROLEUR 16BITS MSP430F6X 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:72; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Driver de LCD, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; MSL:MSL 3 MICROCONTROLEUR 32 BITS PICCOLO 38TSSOP; contrôleur Famille / Série:Piccolo - TMS320F280xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:12KB; Vitesse de processeur:60MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, PWM, Capteur de température, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.995V / 2.97V 3.63V; T MICROCONTROLEUR 16BITS MSP430F5X 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:18KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie, Capteur de température; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nom MOSFET CANAL N 30V 9A MICROFET2X2; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET2x2; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL PP 30V 2.9A MICROFET2X2; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:-2.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.071ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET2x2; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONTROLEUR 8 BITS 1.75KB FLASH 8DFN; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombr MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de bro MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8MSOP; contrôleur Famille / Série:PIC12F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICRO 8 BITS 1.75KB FLASH 8PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC12LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broc MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40 MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-4 MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 8 BITS 7KB FLASH 20SSOP; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement:- MICROCONTROLEUR 8 BITS 14KB FLASH 20SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Température de fonctionnement MICRO 8 BITS NANOWATT XLP 20PDIP; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:AUSART, EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCONTROLEUR 16 BITS HCS12X 144LQFP; contrôleur Famille / Série:HCS12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:119; Taille mémoire de programme:768KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:48KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.13V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C COMPARATEUR DOUBLE TTL/CMOS 8MICROMAX; Type de comparateur:Haute vitesse.; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:80ns; Type de sortie CI:CMOS, TTL; Compatibilité de sortie:Push Pull; Courant, alimentation:350è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:è¾Max; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) COFFRET 8 TOURNEVIS MICRO TECH; Contenu du kit:2, 2.5, 3, 3.5, 4mm, PH00, PZ0, PZ1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Jeu de tournevis 00x75, 0x75, 1x75, 2x75, 2.5x75, 3x75, 3.5x75, 4x75 CAPTEUR MICROSWITCH; Sensor Output1:NAMUR; Gamme de tension d'alimentation DC:8.2V; Courant max.:3mA; Courant min.:1mA; Distance de détection max..:2mm; Entrée capteur:Inductif; Gamme de détection:0mm to 2mm; Gamme de détection max.:2mm; Gamme de réponse en fréquence:1kHz; Réponse en fréquence, limite haute:1kHz; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation:8VDC; Tension, alimentation c.c. max..:8V; Type de sortie:NC; courant, charge max.. MICRORUPTEUR AVEC PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:125gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant:1A; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:1A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:1A; Courant de c MICRORUPTEUR A GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:40gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:125V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, SEMKO; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:2A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de c MICRORUPTEUR AVEC PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:300gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, SEMKO; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. ma MICRO 16 BITS MSP430 FRAM 40VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:DMA, Comparateur, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; MSL:MSL 3 - 1 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M0 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:28; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (19-Dec-201 MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 208LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, LCD, POR; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, USB, UART, ETHERNET; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fo MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 208LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC17xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:256KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de foncti MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:136KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC MICRO 32 BITS ARM CORTEX M3 144LQFP; contrôleur Famille / Série:LPC1000; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire, RAM:168KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, I2S, SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:144; SVHC:No SVHC MICROCOMMUTATEUR HINGE LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Ultra-miniature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.64N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCOMMUTATEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCOMMUTATEUR SIM ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.29N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:300000; Résistance, contact:200mohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, résistance d'isolation:250V MICROCOMMUTATEUR SIM ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.29N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Durée de vie, mécanique:300000; Résistance, contact:200mohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, résistance d'isolation:250V BUCK 0.5A 4MHZ 2.5V MICROSIP; Tension d'entrée primaire:4.35V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:2.5V; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾SIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK 0.6A 5.5MHZ 1.5V MICROSIP; Tension d'entrée primaire:4.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:1.5V; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾SIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK 0.6A 5.5MHZ 1.8V MICROSIP; Tension d'entrée primaire:4.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:1.2V; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾SIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROSCOPE, USB, 1280 X 1024, 30FPS; Magnification:20x to 200x; A utiliser avec:Windows 7 ,Vista, XP MAC OS; Hauteur de travail:9mm; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, VGA, 640 X 480, 30FPS; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Windows 2000/XP, Vista, Windows 7 and MAC X Computers; Hauteur de travail:3.8mm; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, 640 X 480, 60FPS; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Windows 2000/XP, Vista, Windows 7 and MAC X Computers; Hauteur de travail:3.8mm; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, 5MP, 30FPS, 200X; Magnification:10x 50x, 200x; A utiliser avec:Windows 7 ,Vista, XP MAC OS; Hauteur de travail:1.9mm; Type de caméra:Numérique MICROSCOPE, USB, 5MP, 30FPS, 400X; Magnification:400x to 460x; A utiliser avec:Windows 7 ,Vista, XP MAC OS; Hauteur de travail:7.9mm; Type de caméra:Numérique CABLE MICROPHONE BLEU AU METRE; Nbre de conducteurs:3; Taille du conducteur AWG:24AWG; Nombre de brins x Taille Strand:28 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle) / Néoprène; Diamètre, extérieur:6.35mm; Matière, conducteur:Cuivre; Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:100pF/m; Capacité, fil -blindage:165pF/m; Composition du conducteur:28 / 0.1mm; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Diamètre MICRO SUB-D FEMELLE METAL 9 VOIES; Connecteur type A:9 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Nickel; Connecteur type A:9 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type 2; MICRO SUB-D FEMELLE METAL 15 VOIES; Connecteur type A:15 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:15; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Body Plating:Nickel; Connecteur type A:15 Way Micro-D Socket; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type CABLE MICROPHONE 2 CONDUC. BLEU; Longueur de bobine (Impérial):328ft; Longueur, bobine:100m; Nbre de conducteurs:2; Nombre de brins x Taille Strand:20 x 0.1mm; Section, conducteur CSA:0.16mmË›; Couleur de la gaine:Bleu; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:6.3mm; Matière, conducteur:Cuivre; Composition du conducteur:20 / 0.1mm; Couleur de la gaine:-0; Couleur, isolation secondaire:Bleu; Diamètre extérieur:6.3mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Matériau de la ga MICROSCOPE STEREO-ZOOM 7-45X; Magnification:7x 45x; Hauteur de travail:105mm; Light Source:Lampe 12V MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températ MICROCONTACT FOR PROTISTOR; Style d'actionneur:Supérieur; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c. max.:10A; Entraxe de fixation, L x l:39mm x 42mm; Fréquence, fonctionnement max..:50Hz; Largeur (externe):39mm; Longueur/hauteur:42mm; Profondeur:34mm; Série:X3; Tension:3V; Tension, contact c.a. max..:1kV; Tension, contact c.c. max..:20V; Type d'actionneur:NO/NF MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 2K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/protégé en l MIXER, MICROPHONE, 4CH; Distorsion harmonique totale:0.5%; Impédance:1kohm; Largeur (externe):148mm; Longueur/hauteur:50mm; Profondeur:85mm; Ratio signal/bruit:55dB; Réponse en fréquence, limite basse:20Hz; Réponse en fréquence, limite haute:20000Hz; Sensibilité:5mV; Tension, sortie max..:100mV MICROPHONE W/SHIELD 7-9MM SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1810; Numéro générique:1810; Racine de la référence:1810; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation SUPERVISEUR DE MICRO CMS; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1810; Numéro générique:1810; Racine de la référence:1810; Température de fonctionnement max..:85°C; Tem MICRO 32 BITS 128K FLASH 44VTLA; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, RTC; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VTLA; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:44; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:N BOOK, MICROCONTROLLING APPLICATIONS; Auteur:David Benson; Date d'émission:2002; Editeur:Square 1 Electronics; Largeur (externe):216mm; Longueur/hauteur:280mm; Nombre de pages:437; Numéro de volume:2.0; Profondeur:29mm LEAD, BNC S TO MICROGRABBER CLIPS; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Longueur, hors tout:177.8mm; Wire Size (AWG):20AWG; Tension, fonctionnement max..:60V; Connecteur type A:BNC Female; Connecteur type B:Micro Grabber Test Clips; Couleur:Red / Black; Longueur cordon:180mm; Longueur câble:137mm; Nombre de voies:2; Type de câble assemblé:Test LEAD, BNC P TO MICROGRABBER CLIPS; Matériau du contact:Laiton; Longueur, hors tout:177.8mm; Wire Size (AWG):20AWG; Tension, fonctionnement max..:60V; Connecteur type A:BNC Male; Connecteur type B:Micro Grabber Test Clips; Couleur:Red / Black; Longueur cordon:180mm; Longueur câble:137mm; Nombre de voies:2; Type de câble assemblé:Test MICROMETRE MECANIQUE 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Précision:è… 2è¾m; Précision mm / pouces:è… 2è¾m; Résolution:0.01mm MICROSCOPE 30X; Magnification:30x; A utiliser avec:PCB Inspection & Miniature Parts; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur de grossissement:30; Hauteur:17mm; Largeur (externe):35mm; Longueur:130mm; Tension, entrée:3V PINCE OBLIQUE MICRO AFFLEURANTE; Longueur, hors tout:120mm; Type de cutter:Latéral; Cut Type:Micro encastré; Capacité de coupe:1.5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle de la lame:15°; Capacité de coupe, cuivre:1.5mm; Handle Type:Ergonomique; Joint de construction:A chevauchement; Longueur:120mm; Longueur, lame:9mm MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K CMS; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3.79KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températur MICROSWITCH, TRIP INDICATOR; Style d'actionneur:Levier; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:60V; Courant de contact max..:2A; Terminaisons commutateur:A souder; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:2A; Courant de contact max.:2A; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.a. max..:250V; Tension, contact c.c.:60V; Tension, contact c.c. max..:60V; Type d'actionneur:Lever; Type de borne:Solder CONTACT MICROFIT. PQT100; Série:MicroFit; Genre du contact:Broche; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Terminaison du contact:A sertir; Wire Size (AWG):30AWG 26AWG; Connector Type:Contact, A sertir; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Couleur:Etain; Courant:3A; Diamètre, câble max..:1.52mm; Diamètre, câble min.:1.52mm; Genre:Connecteur mâle; Méthode de terminaison:A sertir; Numéro AWG:26AWG; Numéro AWG max..:30AWG; Numéro AWG min.:26AWG; R MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:35gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:125V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, SEMKO; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:2A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 30MIPS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Alimentation du noyau:5.5V; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire, FLASH:144KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Nombre de broches:80; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence du coeur:30MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface Type:CAN, I2C, MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125°C; Températ MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:Oscillateu MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseu MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1Kb OTP PR MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Configuration mémo MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'ut MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement m MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:7 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonct MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement m MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Températ MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 15V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Carac MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4096 x 16; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:16384 x 16; Taille mémoire, RAM:902Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:24 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3840Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SV MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3841Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3840Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3843Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 CIRCUIT SUPERVISEUR DE MICROCONTR CMS; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:-12mA; Numéro de la fonction logique:1232; Numéro générique:1232; Racine de la référence:1232; Température de fonct MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 1K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/protégé en MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 2K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/protégé en MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5 Kb; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V, 3.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températ MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:200gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:600mA; Course MICRORUPTEUR A LEVIER 90‹; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Contact Type:SPDT; Courant de contact:500mA; Courant de contact c.a.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:30000; Durée MICRORUPTEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPST-NC; Tension, contact c.a. max..:250V; Courant de contact c.a. max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / UL / VDE; Contact Configuration:SPST-NC; Courant:16A; Courant de contact c.a.:16A; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Entraxe de fixation, L x l:22mm; Force, fonctionnement:2.94N; Force, fonctionnement max..:2.94N; Indice de contact:16A; L MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'ut MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:OSC/ISP; Confi MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70° MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC14000; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Config MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille mémoire, RAM:80Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PR MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP P MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:NDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Configuration mémoir MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:896B; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températ MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fo MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.35V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement TIP, MICRO POINT, STT, 0.65MM, PK3; Largeur de l'inclinaison:0.25mm; A utiliser avec:2012 Soldering Iron; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Taille de panne:0.25mm; Tip / Nozzle Size:Pointue micro 0,65 mm PEN, UNI EYE, MICRO, ROLLERBALL; Couleur, encre:Blue MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionne MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôle MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/con MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du micropro MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- TIP, MICROPOINT, EPH, 0.38MM; Largeur de l'inclinaison:0.4mm; Type de panne:Micro point; A utiliser avec:EC3001 Station; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.38mm; Longueur:11mm; Longueur, fiche:11.1mm; Taille de panne:0.4mm; Température de fonctionnement max..:450°C MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4096 x 16; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8912 x 16; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3840Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:66; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:23; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROPROCESSEUR ANALOGIQUE; Fonction CI:Modules frontaux de précision; Brief Features:Dissipation de puissance, détection de polarité de tension d'entrée automatique; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 7.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques A/N, N/A:Microprocesseur compatible; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Linéarité:0.003%; Nombre de bits:17; Nombre de voies:4; N REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIM3-5.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctio COL DE CYGNE POUR MICROPHONE; Impédance, sortie:500ohm; Réponse en fréquence, limite basse:200Hz; Réponse en fréquence, limite haute:12kHz; Sensibilité:2.2mV/Pa/1kHz; Connector Type:3 extrémités de fil nues; Device Type:Microphone directionnel; Diamètre:28mm; Fréquence, fonctionnement max..:12kHz; Impédance:500ohm; Longueur/hauteur:385mm; Transducer Function:Microphone MICROPHONE CRAVATE; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:1kohm; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:18kHz; Sensibilité:-65dB è… 3dB @ 1kHz; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:8mm; Fréquence, fonctionnement max..:18kHz; Impédance:1kohm; Transducer Function:Microphone MICROPHONE VOCAL; Impédance, sortie:600ohm; Réponse en fréquence, limite basse:80Hz; Réponse en fréquence, limite haute:12kHz; Sensibilité:-76dB; Connector Type:Connecteur mâle 6,35 mm; Device Type:Microphone dynamique; Diamètre:55mm; Fréquence, fonctionnement max..:12kHz; Impédance:600ohm; Longueur/hauteur:166mm; Transducer Function:Microphone MICROPHONE DE MESURE; Directivity:Omnidirectionel; Impédance, sortie:600ohm; Sensibilité:-60dB; Connector Type:Connecteur mâle / Connecteur femelle XLR; Device Type:Microphone condensateur électret; Fréquence, fonctionnement max..:20kHz; Transducer Function:Microphone MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:350gf; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:24V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Vis; Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c. max.:6A; Courant de contact max.:16A; Durée de vie, mécanique MICRORUPTEUR LEVIER LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:32gf; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:24V; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Vis; Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c. max.:6A; Courant de contact max.:16A; Durée de MICRORUPTEUR LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c. MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:On-(On); Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:ON-(ON); Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant MICRORUPTEUR LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de LIVRE 'EASY MICROCONTROLING'; Auteur:David Benson; Date d'émission:2002; Editeur:Square 1 Electronics; Largeur (externe):216mm; Longueur/hauteur:280mm; Nombre de pages:178; Numéro de volume:4; Profondeur:8mm MICROMETRE DIGITAL; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.001mm; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.001mm; Résolution:0.001mm MEMOIRE EEPROM 16K MICROWIRE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine de la MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93S46; Numéro générique:93S46; Racine de la ré MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c. MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 Words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, RTC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température MICRORUPTEUR A GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:125gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:600mA; C MICROSWITCH PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:3A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. m MICRORUPTEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPST-1NC / 1NO; Tension, contact c.a. max..:250V; Courant de contact c.a. max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / UL / VDE; Contact Configuration:SPST-1NO / 1NC; Courant:10A; Courant de contact c.a.:16A; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Entraxe de fixation, L x l:22mm; Force, fonctionnement:1.96N; Force, fonctionnement max..:1.96N; Largeur (e SHEAR, MICRO; Longueur, hors tout:130mm; Type de cutter:Micro; Cut Type:Encastré; Capacité de coupe:1mm; Dureté de découpe:56°; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité de coupe, cuivre:1mm; Longueur:130mm; Poids:45g DRIVER MICROPAS COMPACT; Gamme de tension d'alimentation:21V DC 37V DC; Gamme de fréquence:0Hz 50kHz; Courant, sortie:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2.0A; Fréquence, fonctionnement:50kHz; Longueur/hauteur:50.7mm; Poids:130g; Profondeur:74.5mm; Température de fonctionnement max..:40°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:37VDC; Tension, alimentation min.:21VDC; Tension, entrée max..:37V; Tension, entrée min.:21V; Type de montage:Rail DIN COMMUTATEUR MICRO FSM4J L=5.0MM; Configuration des contacts:SPST; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:50mA; Type d'actionnement:Supérieur; Terminaisons commutateur:Traversant; Contact Configuration:SPST; Contacts:SPST; Courant de contact c.c. max.:50mA; Courant de contact max.:50mA; Hauteur, hors tout:5.0mm; Hauteur, max..:5mm; Largeur (externe):6mm; Longueur, levier:2.6mm; Profondeur:6mm; Série:FSM; Tension, contact c.c.:12V; Tension, contact c.c. max..:12V; Type de bor MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:2.25N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, électrique:100 MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.29N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1.6mm; Durée de vie, mécanique MICRORUPTEUR ROTATIF; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action rotative; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Couple:10.2gcm; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:17mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:15mm; Entraxe de fixation, L x l:23. MICRORUPTEUR LEVIER LONG; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de con MICRORUPTEUR LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. MICROSWITCH, PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:7.2N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Vis; Approuvé:UL, CSA 22.2 No. 55; Boîtier de commutateur:Zinc; Configuration contact:SPST-CO; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:15A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:15A; Courant de cont MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.5N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.4mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Déplacement, différentiel:0.1mm MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Entraxe de fixation, L x l:9.5mm; MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.8mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Entraxe de fixation, L x MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. MICROSCOPE, STEREO; Magnification:10x RUBAN ADHESIF ALUMINIUM 30 MICRON; Type de bande:Feuille; Matériau Surface Ruban:Aluminium; Largeur Ruban - Métrique:50mm; Largeur Ruban - Impérial:1.97''; Longueur Ruban - Métrique:45m; Longueur Ruban - Impérial:147.64ft; Epaisseur, matériau:0.07mm; Largeur, bande:50mm; Longueur, bande:45m; Matière:Aluminium; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température d'application max..:40°C; Température d'application min.:0°C; Température de fonctionnement max..:110°C; Température d'utilisation min:-20°C MICROCONTROLEUR 16 BITS DSPIC 30MIPS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:30MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:30MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Nombre d MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.96N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL, CSA; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:1mm; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.4mm; Entraxe de fixation, L x l:22.2 MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:1.6mm; Durée de vie, électrique MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:3.2mm; Durée de vie, élect MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Course min:3.2mm; Durée de vie, mécanique:50000000; Duré MICROMETRE 0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.004mm; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm; Normes:BS870; Précision mm / pouces:0.001mm; Résolution:0.01mm MICRORUPTEUR 10A GALET PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:2.2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:5V; Courant de contact max.:10A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; C MICRORUPTEUR A LEVIER V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:0.6N; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:6A; Courant de c MICRORUPTEUR A GALET PLONGEUR V9N; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:5.5N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:10A; Terminaisons commutateur:Vis; Approuvé:UL 1054, CSA 22.2 No. 55; Boîtier de commutateur:Zinc; Configuration contact:SPST-CO; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:10 MICROSCOPE, LONG REACH; Longueur de bras:270mm; Magnification:20x; Facteur de grossissement:20; Hauteur:290mm; Hauteur de travail:115mm; Light Source:Lampe 12V; Longueur (entièrement allongée):290mm; Tension, entrée:220V MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1K; contrôleur Famille / Série:(8051) 8052; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:Internal Only; Nombre de timers:4; Périphériques:Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fon MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températu AMPLIFICATEUR POUR MICRO. CMS 25DB GAIN; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; THD + N:0.21% @ VDD=5V; Impédance de charge:2.2kohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:BGA; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Impédance charge min:2200ohm; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro générique:1012; Racine de la référence:1012; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation + PANNEAU CONTA TP 177MICRO AFFI. 144.78MM; Type d'afficheur:LCD; IP / NEMA Rating:IP65, IP20; A utiliser avec:SIMATIC S7-200; Approval Bodies:CE / CSA / C-tick / cULus; Longueur/hauteur:156mm; Tension, alimentation max..:28.8VDC; Tension, alimentation min.:20.4VDC; Type de montage:Montage sur panneau MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:4KB FLASH; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér TRANS. MOSFET CANAL P MICRO-3 30V 0.61A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:610mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:610mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Dissipation de puissance:540mW; Puissance Pd:540mW; Résistance thermique, jonction-carcasse:230°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 1 MICROPHONE, HEADWORN MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:31; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:32KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; SVHC MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 128K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:90; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:2048Byte; Taille mémoire, RAM:8192Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombr MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températur MICRORUPTEUR A LEVIER V3; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:26A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approuvé:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Configuration contact:SPST-CO; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:26A; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. ma MICRORUPTEUR A LEVIER V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:0.7N; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:10A; Terminaisons commutateur:A souder; Approuvé:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Configuration contact:SPST-CO; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de MICRORUPTEUR A LEVIER V4; Configuration des contacts:SPST-CO; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Fonctionnement de commutation:Off-On; Force, fonctionnement max..:1.05N; Terminaisons commutateur:Solder; Approval Bodies:UL, cUL, CSA, ENEC; Boîtier de commutateur:Plastique; Contact Configuration:SPST-CO; Contact Material:Argent; Contacts:Off-On; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:10A; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH Z8 CMS; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:11; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH Z8; contrôleur Famille / Série:Z8; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; T MICROSWITCH SCELLE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:50gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:12V; Courant de contact max.:2A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:1 mA at 5V dc to 2 A at 12V dc; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:Levier long; Contacts:; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:0.1A; Cour AMPLIFICATEUR POUR MICRO. CMS 20DB GAIN; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 5V; THD + N:0.18% @ VDD=5V; Impédance de charge:2.2kohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:BGA; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Impédance charge min:2200ohm; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro générique:1012; Racine de la référence:1012; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation + MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH 32K CMS; contrôleur Famille / Série:H8/300H; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:29; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:75°C; Températ SOFTWARE, STEP 7 MICRO/WIN, V4; Nombre de licences utilisateur:1; Hôtes pris en charge:Windows 95, 98, NT, 2000, XP; Fonction outil:Logiciel de programmation TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.25W; Largeur (externe):3.05mm; L TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:39nC; Charge, porte, canal N:6.4nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:18A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipa TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:650pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:69nC; Courant, Id max..:5.7A; Courant, Idm impul.:30A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissan TRANSISTOR MOSFET CANAL P MICRO-8; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:50nC; Courant, Id max..:-3.6A; Courant, Idm impul.:19A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissanc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:4KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 64K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:24; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:12 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:N MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 1.5K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.5KB FLASH; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 4K AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:14; Taille mémoire de programme:4KB FLASH; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Temp SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:40è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Numéro de la fonction logique:708; Numéro générique:708; Racine de la référ SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:40è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Numéro de la fonction logique:707; Numéro générique:707; Racine de la réfé TRANS. MOSFET CANAL P MICRO 3 -12V -4.3A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:34A; Dissipation de puissance:1.3W; Puissance Pd:1.3W; Résistance thermique, jonction-c MICROCONTROLEUR 16 BITS FLASH AVEC CAN; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:60; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:32KB; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 2.97V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC MICROCONTROLEUR CMS 16 BITS FLASH 64K; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:4096Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 4.5V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; MICROSOFT AUTOROUTE 2005 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3936Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; MICROSWITCH 16A MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier court; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:16 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:Levier court; Contacts:; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c MICROSWITCH 16A MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.96N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:16 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:Bouton; Contacts:; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c. max.:16A MICROSWITCH 16A MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.23N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:16 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:Levier; Contacts:; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact c.c. max.:16A; DIODE MICRO-MELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, Ifrm:450è¾A; Diamètre, extérieur:1.35mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.9mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tc:25°C; Température, Tj max..:175°C; Tension MICROCONTROLEUR FLASH 8K ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:8; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:MLP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:11; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-4 MICROCONTROLEUR FLASH 64KB ISP + CAN CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:2.55V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1834; Numéro générique:1834; Racine de la référence:1834; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation m CIRCUIT UART SPI MICROWIRE-COMPATIB.CMS; Nombre de voies:1; Taux de transfert:230Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:QSOP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, alimentation:0.27mA; Fonction CI:UART compatible avec SPI / Microwire; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface de contrôle:SPI; Nombre d'E/S:4; Numéro de la fonction logique:3100; Numéro AMPLI. OP. DOUBLE MICROPOWER; Type d'AOP:Basse puissance; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:500kHz; Vitesse de balayage:0.2V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 6V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Bande passante, gain:0.5MHz; Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Micro-puissance, alimentation simple, Rail-Rail; Gain, bande-passante -3dB:500kHz; Gamme de température, circ CMOS MICRO MONITOR 1232 SOIC8; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:MAX1232CSA+; Numéro de la fonction logique:1232; N CAPTEUR MICRO-PUISSANCE; Tension de seuil:1.11V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 16.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:5è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:35mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:8212; Numéro générique: SUPERVISEUR DE MICRO CMS; Tension de seuil:4.35V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:30è¾A; Temps de retard:150ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1811; Numéro générique:1811; Racine de la référence:1811; Température de fonctionnement max..:85°C; Tem SERVIETTES MICROCLENE PQ100; Type d'accessoire:Wipe; A utiliser avec:Keyboards, VDU Screens and Screen Filters; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Quantité par paquet:100 MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 1K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/protégé en l MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 1K; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:1 KB; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:LVD/RC/OSG/protégé en l MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 2K + EPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:9; Taille mémoire de programme:1.8 KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrô MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.5 Kb; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V, 3.3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'uti MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1.5KB; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/con MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configuration MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:1Kb OTP PROM; C MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:POR; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:125 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85° MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max. MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70° MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.35V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnem MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microproc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16HV; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:768B; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 15V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8912 x 16; Taille mémoire, RAM:454Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement ma MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Te MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3840Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3841Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire de programme:64 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3843Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4431M3-2.5; Numéro de la fonction logique:4431; Racine de la référence:4431; Température de fonctionne MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.39N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Contact Type:SPDT; Courant de contact:500mA; Courant de contact c.a.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:30000; Durée de vie, élec MICROSWITCH PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:150gf; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:3A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.c. max.:100mA; Course min:0.2 MICRORUPTEUR A LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:82gf; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:0.1A; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.c. max.:100mA; Courant de contact max.:100mA; Course min:1.4mm; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.7mm; Entraxe de fixation, L x l:5mm; Force de relach MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:100gf; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:des fils conducteurs; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Courant de contact:0.1A; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.c. max.:100mA; Course min:1.1mm; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.5mm; Entrax MICRORUPTEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT-1NO / 1NC; Tension, contact c.a. max..:250V; Courant de contact c.a. max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / UL / VDE; Contact Configuration:SPDT-1NO / 1 NC; Courant:10A; Courant de contact c.a.:16A; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Entraxe de fixation, L x l:22mm; Force, fonctionnement:1.96N; Force, fonctionnement max..:1.96N; Largeur ( TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:300pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:37nC; Charge, porte, canal N:4.7nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul. TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:1310pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:15nC; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:2W; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:16MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 16K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, RTC, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVH MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:134Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:POR, DR MICROCONTROLEUR FLASH 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util MICROPHONE CMS; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; THD + N:0.25% @ 100kohm, V=5V; Impédance de charge:75ohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:20MHz; Impédance charge min:100000ohm; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2166; Numéro générique:2166; Puissance de sortie:-000mW; Racine de la référence:2166; Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 8K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 2K CMS; contrôleur Famille / Série:AVR Tiny; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:18; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROCONTROLEUR 16 BITS DSP 20MHZ CMS; Série:dsPIC30F; Fréquence du coeur:40MHz; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire, FLASH:12KB; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:40MHz; Fréquence du coeur:20MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C, SPI, UART; Interface Type:I2C, SPI, UART; Numéro SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:25è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Numéro de la fonction logique:706; Numéro générique:706; Racine de la référence:706; Tem SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:25è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Numéro de la fonction logique:706; Numéro générique:706; Racine de la référence:706; Tem SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:4.65V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:35è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Dissipation de puissance:1.09W; Dissipation de puissance Pd:1.09W; Numéro de la fonction logique:691; Numéro générique:691; Racine de la référence:691; Température SUPERVISEUR DE MICROCONTROLEUR CMS; Tension de seuil:3.075V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:25è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:500mW; Dissipation de puissance Pd:500mW; Numéro de la fonction logique:690; Numéro générique:690; Racine de la référence:690; T MICROCONTROLEUR 8 BITS + CAN 12 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:11; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:16.78MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, PSM, RTC, Temp Sensor, Timer; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broc AMPLI. OP. DOUBLE MICROPOWER; Type d'AOP:CMOS; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:50kHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 15.5V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:CMOS; Gain, bande-passante -3dB:50kHz; Numéro de la fonction logique:6462; Numéro générique:6462; Racine de la référence:6462; Température de fonctionnement max..:85°C; Températ AMPLI. OP. DOUBLE MICROPOWER; Type d'AOP:CMOS; Nombre d'amplificateurs:2; Bande passante:50kHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 15.5V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:CMOS; Courant, alimentation max.:40è¾A; Gain, bande-passante -3dB:50kHz; Numéro de la fonction logique:6462; Numéro générique:6462; Racine de la référence:6462; Température de fo MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LT1004CZ1.2#PBF; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnem MICROPOWER THERMOCOUPLE 1025 DIP8; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:0.5°C; Gamme de température de détection:0°C +70°C; Courant, alimentation:80è¾A; Gamme de tension d'alimentation:4V 36V; Type de boîtier de capteur CI:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:1025; Numéro générique:1025; Racine de la référence:1025; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Température de fo MICRORUPTEUR V4 LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.59N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA, VDE, EN61058-1; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:2A; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Course min:1mm; Durée de vie REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 15V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:REF192GSZ; Numéro de la fonction logique:192; Racine de la référence:192; Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS+CAN 12 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:8KB; Taille EEPROM:8KB; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:12MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, DMA, PSM, Temp Sensor; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.3V, 4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; SVHC:N CIRCUIT DE RESET POUR MICROCONTROLEUR; Tension de seuil:2.8V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:24è¾A; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:30mA; Dissipation de puissance:700mW; Dissipation de puissance Pd:700mW; Numéro de la fonction logique:33164; Numéro générique:33164; Racine de la référen MICROCONTROLEUR FLASH 32KB ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2304Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; C MICROCONTROLEUR FLASH 64KB ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; C MICROCONTROLEUR FLASH 64KB ISP + CAN CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:4352Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utili MICROCONTROLEUR FLASH 16K ISP CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1280Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, RTC; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:MLP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation mi MICROCONTROLEUR FLASH 16K ISP USB CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:1280Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min: SUPERVISEUR DE MICRO CMS; Tension de seuil:2.55V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:35è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Numéro de la fonction logique:1832; Numéro générique:1832; Racine de la référence:1832; Température de fonctionnement max..: CMOS MICRO MONITOR 1232 SOIC8; Tension de seuil:4.37V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:200è¾A; Temps de retard:610ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:10mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:DS1232LPS-2+; Numéro de la fonction logique:1232; MICRO MONITOR 1233 TO-92-3; Tension de seuil:4.625V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:50è¾A; Temps de retard:350ms; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:8mA; Marquage composant:DS1233-5+; Numéro de la fonction logique:1233; Numéro générique:1233; Racine de la référence:1233; Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:ST7; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:8KB; Taille mémoire, RAM:384Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de foncti MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utili MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:512 Words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d' MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:16Byte; Taille mémoire, RAM:41Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement m MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:1024 Words; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempér MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC12; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:6; Taille mémoire de programme:2048 Words; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:Oscil MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configuration mémo MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configura MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PR MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:512 words; Taille mémoire, RAM:25Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:768 Byte; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:512b OTP PROM; Configuration m MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:3 KB; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Type de boîtier CI numérique:NDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb OTP PROM; Configuration mémoire MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:20; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:512Byte; Taille mémoire, RAM:72Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:73Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb EPROM; Con MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:73Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:2Kb EPROM; C MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Tempéra MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement m MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..: MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilis MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisat MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisa MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:24MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.35V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:7KB; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:14KB; Taille EEPROM:368Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:64Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températur MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:12; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:14; SVHC: MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec- MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:10MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:1; Peripherals:Programmateur; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesse MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:22; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tempé MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-D MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:8 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC ( MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:368Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No S MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16LC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1.75KB; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'util MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:224Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SSOP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonct MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:3.5KB; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC17; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:50; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:902Byte; Vitesse de processeur:33MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctio MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnemen MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:16; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:256Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:2 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-De MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); T MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-20 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:4 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (1 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH + CAN CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:16KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:6; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3842Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:80; SVHC:No SVHC (15-Dec-2 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:32 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3840Byte; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-201 REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIM3-2.5; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonc REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.225V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:306mW; Marquage composant:LM4041DIM3-1.2; Numéro de la fonction logique:4041; Racine MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine d EEPROM MICROFIL 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C46-WBN6P; Numéro de la fonction logique:93C46; Numéro gén EEPROM MICROFIL 4K 93C66 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C66-WMN6P; Numéro de la fonction logique:93C66; Num MICRORUPTEUR LONG V3; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:70gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:600mA; Cours MICRORUPTEUR COURT V4; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet court; Force, fonctionnement max..:240gf; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:15A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Boîtier de commutateur:Thermoplastique; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:6 MICROSWITCH LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:80gf; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:3A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:3A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:3 MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.18N; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:500mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Contact Type:SPDT; Courant de contact:500mA; Courant de contact c.a.:500mA; Courant de contact c.c. max.:500mA; Courant de contact max.:500mA; Durée de vie, mécanique:30000; Durée de vie, él MICROSWITCH LEVIER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:80gf; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:UL, CSA; Configuration contact:SPDT; Courant , Tension c.a. contact-contact max.:3A; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:2A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.c. max.:100mA; Course min:0.55mm; MICRORUPTEUR A GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:100gf; Tension, contact c.c.:30V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:0.1A; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.c. max.:100mA; Course min:1.1mm; Durée de vie, électrique:100000; Déplacement, différentiel:0.5mm; MICRORUPTEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT-1NO / 1NC; Tension, contact c.a. max..:250V; Courant de contact c.a. max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / UL / VDE; Contact Configuration:SPDT-1NO / 1 NC; Courant:16A; Courant de contact c.a.:16A; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Entraxe de fixation, L x l:22mm; Force, fonctionnement:2.94N; Force, fonctionnement max..:2.94N; Indice de MICRORUPTEUR MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT-1NO / 1NC; Tension, contact c.a. max..:250V; Courant de contact c.a. max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / UL / VDE; Contact Configuration:SPDT-1NO / 1 NC; Courant:16A; Courant de contact c.a.:16A; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:100000; Entraxe de fixation, L x l:22mm; Force, fonctionnement:2.94N; Force, fonctionnement max..:2.94N; Indice de MICROCONTROLEUR Z80 8MHZ; Taille EEPROM:0Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:5V; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8MHz; Fréquence, typique:8MHz; Nombre de bits:8; Numéro de la fonction logique:84C; Numéro générique:84C00; Racine de la référence:84; Série:Z80; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alime MICROCONTROLEUR Z80 10MHZ; Série:Z80; Nombre de bits:8bit; Vitesse de processeur:10MHz; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:40; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:10MHz; Fréquence, typique:10MHz; Nombre de bits:8; Numéro de la fonction logique:84C; Numéro générique:84C00; Racine de la référence:84; Taille de la RAM:256Byte; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentatio MICROCONTROLEUR 8 BITS 16KB USB CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:1.25KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:24; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:USB 2.0, UART; Fréquence, horloge:25MHz; Interface:UART; Interf MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH 32K; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:56; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionneme MICROCONTROLEUR 8 BITS 16KB USB CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:15; Taille mémoire de programme:16 KB; Taille mémoire, RAM:1.25KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du microprocesseur/contrôleur:USB 2.0, UART; Fréquence, horloge:25MHz; Interface:UART; Interf CABLE MICROPHONE MINI AU METRE; Nbre de conducteurs:2; Taille du conducteur AWG:24AWG; Tension:250V; Nombre de brins x Taille Strand:7 x 0.2mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:3.7mm; Matière, conducteur:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Cable Type:Non blindé; Capacité, fil - fil:90pF; Capacité, fil -blindage:160pF; Composition du conducteur:7 / 0.2mm; Couleur de la gaine:Incolore, bleu; Couleur, CABLE MICROPHONE MINI AU METRE; Nbre de conducteurs:1; Taille du conducteur AWG:24AWG; Tension:250V; Nombre de brins x Taille Strand:7 x 0.2mm; Section, conducteur CSA:0.22mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:2.6mm; Matière, conducteur:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Cable Type:Non blindé; Capacité, fil -blindage:180pF; Composition du conducteur:7 / 0.2mm; Couleur de la gaine:Clair; Couleur, isolation secondaire:Noir; Diamètre TORCHE MICRO LED ZONE 0; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:ATEX; Catégorie d'approbation:Category 1 (Zone 0); Diamètre, extérieur:21.5mm; IP / NEMA Rating:IP67; Intensité lumineuse, max..:18cd; Light Source:1 x LED; Longueur/hauteur:68mm; Matière, lentille:Polycarbonate; Poids:25g; Tailles de batterie acceptées:4 x LR44; Température de fonctionnement max..:+50°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, batterie:1.5V MICRORUPTEUR SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.39N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:CE, CSA; Boîtier de commutateur:Phénolique; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c MICROCONTROLEUR 32BITS 256K FLASH TQFP64; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC10; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:4; Taille mémoire de programme:256 Words; Taille mémoire, RAM:16Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:Internal; Nombre de timers:1; Périphériques:Comparator, Timer; Type de boîtier CI numérique:PDIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85°C; Températ MICROCONTROLEUR 32BITS 32K FLASH TQFP64; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:ADC, Comparator, DMA, PWM, RTCC, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; MSL:MSL 3 - 168 he MICROCONTROLEUR 32BITS 128K FLASH TQFP64; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:6; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUART, I2C, PSP, SPI; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:6 EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement MICROCONTROLEUR Z80 8MHZ; Nombre de bits:8bit; Taille EEPROM:0Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Nombre de timers:0; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge:8MHz; Fréquence, typique:8MHz; Nombre de bits:8; Numéro de la fonction logique:84C; Numéro générique:84C00; Racine de la référence:84; Série:Z80; Taille mémoire:64KB; Taille mémoire, program MICROPROCESSOR CRYSTAL, 12MHZ; Fréquence:12MHz; Tolérance en fréquence:è… 50ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 50ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:12MHz; Précision:è… 20ppm; Série:ABLS MICROPROCESSOR CRYSTAL, 12MHZ; Fréquence:12MHz; Tolérance en fréquence:è… 20ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 20ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:12MHz; Précision:è… 20ppm; Série:ABMM2 EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement EEPROM, MICROWIRE, 2K, 128X16, SOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnem MICROPROCESSOR CRYSTAL, 4MHZ; Fréquence:4MHz; Tolérance en fréquence:è… 50ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 50ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:Traversant; Crystal Case Type:Boîtier en métal; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:4MHz; Précision:è… 20ppm; Série:ABL MICROPROCESSOR CRYSTAL, 4MHZ; Fréquence:4MHz; Tolérance en fréquence:è… 50ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 50ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:4MHz; Précision:è… 20ppm; Série:ABLS EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP-J8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionne EEPROM, MICROWIRE, 4K, 256X16, SOP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnem MICROP. CRYSTAL, 12.288MHZ; Fréquence:12.288MHz; Tolérance en fréquence:è… 20ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 50ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:12.288MHz; Série:ABM3B ACS55 MICRO DRIVE 0.75 KW; Gamme de tension d'alimentation:200V AC 240V AC; Nombre de phases:Une; Puissance:750W; Courant:10.8A; Température de fonctionnement:-20°C +40°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / C-Tick / cUL / GOST-R / UL; Courant, entrée:10.8A; Courant, sortie max.:6.5A; IP / NEMA Rating:IP20; Largeur (externe):67.5mm; Longueur/hauteur:170mm; Normes:Built-in EMC filter; Profondeur:128mm; Temps de réponse:60ms; Température de fonctionnement max..:40°C; Température d MICRO COMMUTATEUR FIXE ARM LEVER SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.32N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Nylon; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Force, fonctionnement:0.32N; Série:ZM; Tensio MICROPROCESSOR CRYSTAL, 48MHZ; Fréquence:48MHz; Tolérance en fréquence:è… 50ppm; Capacité, charge:18pF; Stabilité en fréquence:è… 50ppm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de montage Quartz:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, sortie:48MHz; Précision:è… 20ppm; Série:ABLS CAPOT. MICROPOWER. 12 VOIES; Type d'accessoire:Cover; A utiliser avec:Micro-Power & Power Quadlok Connector Systems MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 44QFN; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C + CHARGER, CAR, MICRO USB; Type d'accessoire:Micro USB Car Charger; A utiliser avec:In Car; Type de chargeur de batterie:Embarqué; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 1A 200V MICROSMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:820mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité MICROSCOPE DE POCHE X50 MAG; Magnification:50x; Light Source:Mini Torch HEAD MICROMETER 0.01MM/0-13MM; Gamme de mesure max..:13mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.004mm; Gamme, mesure min.:0mm; Graduation:0.01mm MICROCONTROLEUR 8 BIT 128KB FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fon MICROCONTROLEUR 8 BIT 128KB FLASH 80TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:69; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fon MICROMETRE ELECTRONIQUE 0-25MM/0-1; Gamme de mesure max..:25mm; Précision:0.004mm MICRO SUB-D MALE PLASTIQUE 9 VOIES; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Extrémité libre; Nombre de contacts:9; Terminaison du contact:A sertir; Taille du conducteur AWG:24AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:17.99''; Longueur de câble - Métrique:457mm; Type de câble assemblé:Micro D; Connecteur type A:9 Way Micro-D Plug; Connecteur type B:Free; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or sur cuivre MIL-G-45204 Type 2; Courant:3A; Genre:Connec CAPSULE A MICROPHONE MOSFET CANAL NN 20V MICROFET 2X2; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET2x2; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HEAD MICROMETER 0.01MM/0-25MM; Gamme de mesure max..:25mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.003mm; Nbre d'enclumes:2; Gamme, mesure min.:0mm MICROCONTROLEUR 16 BITS MSP430 48VQFN; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:96KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:25MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:VQFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 2 MICROSCOPE DE POCHE X75 MAG; Magnification:75x; Light Source:Mini Torch MICROMETRE ANVIL 0-150MM / 6; Gamme de mesure max..:150mm; Précision:0.003mm HEAD MICROMETER 0.01MM/0-6.5MM; Gamme de mesure max..:6.5mm; Graduations:0.01mm; Précision:0.005mm; Nbre d'enclumes:2; Gamme, mesure min.:0mm MICROCONTROLEUR 8 BITS 128KB FLASH 64QFN; contrôleur Famille / Série:PIC18F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:11; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, RTCC, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:10; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonc REFLECTEUR MICROPRISME 38MM X 4; Type d'accessoire:Reflector; Reflector Type:Prismatique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Laser Sensors; Hauteur:40mm; Largeur (externe):38mm MICROCONTROLEUR 8BITS CAN 16/24 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:62KB; Taille EEPROM:62KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:12.58MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, DAC, PSM; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:52; MICROCONTROLEUR 16 BITS CMS 512K FLASH; contrôleur Famille / Série:HCS12/S12X; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4096Byte; Taille mémoire, RAM:32768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.35V 2.75V, 3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:1 MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:540gf; Terminaisons commutateur:Quick Connect; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a.:15A; Courant de contact c.a. max.:15A; Courant de contact c.c. max.:15A; Courant de contact max.:15A; Course min:3.5mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:700000; Déplacement, différentiel:0.06mm; DIP ROTATIF MICROMINIATURE HEXADECIMAL; Nombre de pâles:1; Nbre de positions de commutation:16; Angle de projection:22.5°; Courant de contact c.c. max.:100mA; Tension, contact c.c. max..:50V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle:22.5°; Angle, indexation:22.5°; Contacts:Hexadecimal; Courant de contact:100mA; Diamètre, axe:3.4mm; Nombre de positions:16; Répétabilité:20000; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:200mohm; Série:SMR14016; Température de fonctionnement max..:75°C; Températu MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:16 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:1536Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; S MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:48 kWords; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:3328Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; S IC, MICROCONTROLLER, 62K 3V, MQFP52; contrôleur Famille / Série:(8052) ADUC; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:62 KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:16.78MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CNA, CAN, PSM, TIC; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:MQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V, 4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:52; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC COMPARATEUR MICROPUISSANCE DOUBLE; Type de comparateur:Basse consommation; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:3è¾s; Type de sortie CI:CMOS, TTL; Courant, alimentation:2.8è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de comparateurs:2; Nombre de voies:2; Racine de la référence:9022; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max.. MICRORUPTEUR SPDT LEVIER GALET; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:60gf; Tension, contact c.a.:250V; Courant de contact max.:100mA; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:KEMA-KEUR, ENEC; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact c.a.:100mA; Courant de contact c.a. max.:100mA; Cours MICRORUPTEUR SPDT LONG ROLLER LEVER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:4A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; Approval Bodies:KEMA KEUR; Boîtier de commutateur:PET; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Contact Configuration:SPDT; Contact Material:Oxyde de cadmium argent; Courant de contact c.a.:10A; Courant de contact c.a. max.:10A; Courant de contact max MICROCONTROL 8 BITS FLASH TUBE10 16F74; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:33; Taille mémoire de programme:4 Kwords; Taille mémoire, RAM:192Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:40; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de f MODULE, ECIO, 28PIN PICMICRO, 4PK; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Usable with Labview and VB, C++, USB Powered; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MICRO 32 BITS 512K FLASH USB 64TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC32; Nombre de bits:32bit; Taille mémoire de programme:512 KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:80MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, horloge MICRO COMMUTATEUR LEVIER LONG SPDT 5A; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:250V; Tension DC nominale du contact:28V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boîtier de commutateur:Phénolique; Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Fo EEPROM 2K 128X16 MICROFIL SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16, 256 x 8; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16bit ou 256 x 8bit; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:CAT93C56VI-G; Numéro générique MICROPHONE, OMNI, PCB MOUNT; Transducer Function:Microphone; Directivity:Omnidirectionel; Réponse en fréquence, limite basse:50Hz; Réponse en fréquence, limite haute:16kHz; Tension, alimentation max..:10V; Sensitivity (dB):41dB; Impédance, sortie:2.2kohm; Diamètre, extérieur:9.7mm; Hauteur, dimension externe:4.5mm; Connector Type:Broches PCB; Consommation de courant:0.5mA; Device Type:Microphone condensateur électret; Diamètre:9.7mm; Fréquence, fonctionnement max..:16000Hz; Longueur/hauteur:4. MICROCOMMUT SEALED PIN SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICRO 8 BITS AVR 128K FLASH 44TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C MICROCOMMUT SEALED PIN SPST-NO; Configuration des contacts:SPDT-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED SIM ROLLER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.65N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICRO 16 BITS 256K FLASH 100TQFP; contrôleur Famille / Série:PIC24; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:83; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:28KB; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:9; Peripherals:CAN, DMA, WDT, POR, Brown Out; Type d'interface embarquée:SPI; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICRO 8 BITS AVR 32K FLASH 32TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR MEGA; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:23; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:ACMP, CAN, POR, PWM, RTC; Type d'interface embarquée:Série, SPI, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +8 MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, LONG LEVER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, SIM ROLLER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.65N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEAL, SIM ROLL LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:1.8N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:42; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 1 - Illimité; SV MICROSWITCH, 10.1A, PIN, LH, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:1.47N; Tension AC nominale du contact:250V; Courant de contact max..:10.1A; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:10.1A; Tension, contact c.a.:250V MICROSWITCH, 5A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Courant de contact max..:5A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:5A; Tension, contact c.a.:125V MICROCONTROLEUR 16 BITS HCS12 48QFNEP; contrôleur Famille / Série:HCS12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; N MICROCONTROLEUR 8 BITS S08 48QFNEP; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:38; Taille mémoire de programme:32KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, KBI, TPM; Type d'interface embarquée:I2C, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 48VQFN; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:7; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MICROCONTROLEUR 32 BITS 64KB FLASH 48QFN; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:35; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:7; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85° MICROCONT 32 BITS 128KB FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC32MX2xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:19; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:CAN, Comparateur, DMA, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro SET MICROMETER MECH 0-150MM; Gamme de mesure max..:150mm; Graduations:0.01mm; Nbre d'enclumes:2 MICRO 32 BITS QORIVVA 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MPC560xP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:68; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:40KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.3V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MICROCONTROLEUR 8BIT 7KB FLASH 28SOIC; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctio MICROSWITCH, SPDT, 16A, ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SEALED, PLUNGER, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.75N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:70; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:64KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C + MICROCONTROLEUR ARM9 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM9; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:157; Taille mémoire, RAM:192KB; Vitesse de processeur:180MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, DMA, Contrôleur LCD, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:1.1V 1.3V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:208; MSL:MSL 1 - MICROCONTROLEUR 16BITS MSP430F5X 100LQFP; contrôleur Famille / Série:MSP430; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:74; Taille mémoire de programme:256KB; Taille mémoire, RAM:18KB; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, PWM, Capteur de température, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b MICRO 32 BITS QORIVVA 176LQFP; contrôleur Famille / Série:MPC564xA; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:84; Taille mémoire de programme:4MB; Taille mémoire, RAM:192KB; Vitesse de processeur:150MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, CRC, DMA; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.14V 1.32V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:176; MSL:MSL 3 - 168 heures; SV MICRO 16 BITS S12G 80QFP; contrôleur Famille / Série:S12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:8; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broch MICRORUPTEUR PLONGEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Fonctionnement de commutation:On-(On); Force, fonctionnement max..:2N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:ON-(ON); Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant MICROCOMMUT SEALED HINGE LEVER SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:0.75N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V MICROCOMMUT SEALED LONG HINGE SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier long; Force, fonctionnement max..:0.5N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:12V; Courant de contact max..:2mA; Terminaisons commutateur:Fils; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2mA; Tension, contact c.c.:12V AMP, RF, GAIN BLOCK, 10GHZ, 4MICRO-X; Gain:13dB; Bruit:4.9dB; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:50mA; Gamme de tension d'alimentation:3.6V 4.2V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MICROSWITCH, SPDT, 16A, SHORT ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPST-NO, 16A, PIN PLUNGER; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Miniature; Force, fonctionnement max..:1.96N; Courant de contact max..:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:16A MICROSWITCH, SPDT, 0.1A, SIM ROLLER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Force, fonctionnement max..:0.6N; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA MICROCONTROLEUR ARM9 BLEUSTREAK 324LFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM9; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire, RAM:80KB; Vitesse de processeur:200MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, Contrôleur LCD, PWM, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:4; Type de boîtier CI numérique:LFBGA; Gamme de tension d'alimentation:1.71V 1.89V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:324; MSL:MS MICROSWITCH, 0.1A, PIN, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Poussoir broche; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, SIM ROLLER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet simulé; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, ROLLER, SPDT, PCB; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier galet avec charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.25N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROSWITCH, 0.1A, LEVER, SPDT, SOLDER; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Subminiature; Style d'actionneur:Levier charnière; Force, fonctionnement max..:0.49N; Tension AC nominale du contact:125V; Tension DC nominale du contact:30V; Courant de contact max..:100mA; Terminaisons commutateur:Contact souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:100mA; Tension, contact c.a.:125V; Tension, contact c.c.:30V MICROCONTROLEUR 16 BITS S12P 48QFNEP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:32KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 1 SET MICROMETER MECH 0-6; Gamme de mesure max..:6''; Graduations:0.0001''; Nbre d'enclumes:2 MICRO 32 BITS QORIVVA 144LQFP; contrôleur Famille / Série:MPC560xP; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:108; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:64KB; Taille mémoire, RAM:40KB; Vitesse de processeur:64MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MICRO 16 BITS S12XE 144LQFP; contrôleur Famille / Série:S12XE; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:119; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:32KB; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, CRG, PWM, TIM; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:3.13V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nom MICRO 32 BITS ARM CORTEX-M3 32HVQFN; contrôleur Famille / Série:LPC13xx; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:26; Taille mémoire de programme:64KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:10KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Type de boîtier CI numérique:HVQFN; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:33; MSL:MSL 1 MICROCONTROLEUR 8BIT 7KB FLASH 28QFN; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:7KB; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:512Byte; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, Comparateur, PMW, Minuterie; Type d'interface embarquée:EUSART, I2C, SPI; Nombre de voies PWM:2; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Température de fonctionn CABLE USB A M - MICRO B M 1.8M; Connecteur type A:USB Type A Plug; Connecteur type B:Micro USB B; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:5.9ft; Longueur de câble - Métrique:1.8m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques AMP, RF, GAIN BLOCK, 12GHZ, 4MICRO-X; Gain:13dB; Bruit:5.1dB; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type RF:Cellulaire, DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN; Courant, alimentation:50mA; Gamme de tension d'alimentation:3.6V 4.2V; Type de boîtier CI RF:Micro-X; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MICROSWITCH, SEALED, LONG LEV, SPST; Configuration des contacts:SPST-NC; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.5N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICROSWITCH, SEALED, LONG LEAF, SPST; Configuration des contacts:SPST-NO; Type de Microswitch:Subminiature; Fonctionnement de commutation:A déclic; Force, fonctionnement max..:0.9N; Courant de contact max..:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:2A MICRO 32 BITS CORTEX M3 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM Cortex-M3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:165; Taille mémoire de programme:512KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:96KB; Vitesse de processeur:120MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, Contrôleur LCD, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; T MICROCONTROLEUR ARM7 208TFBGA; contrôleur Famille / Série:ARM7; Nombre de bits:16bit / 32bit; Nombre d'E/S:160; Taille mémoire de programme:512KB; Taille mémoire, RAM:98KB; Vitesse de processeur:72MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:4; Peripherals:CAN, CNA, DMA, POR, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SPI, SSP, USB, UART; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TFBGA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; CONNECTOR, MICRO POKE IN, 1WAY; Type de connecteur:Fil- -carte; Série:Micro Poke In; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Genre:Embase; Nombre de contacts:1; Plaquage du contact:Etain; Matériau du contact:Cuivre MICROCONTROLEUR 16 BITS S12P 48QFNEP; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:96KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 1 MULTIPLEXEUR 4X1 4OHM RON 10MICROMAX; Nombre de circuits:1; Courant, alimentation:1nA; Résistance, Ron, max..:4ohm; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:è¾MAX; Nombre de broches:10; Configuration multiplexeur:4:1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MICROCONT 32 BITS 64KB FLASH 64TQFP; contrôleur Famille / Série:AVR UC3; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:51; Taille mémoire de programme:64KB; Taille mémoire, RAM:16KB; Vitesse de processeur:48MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:3; Peripherals:CAN, DMA, PMW, RTC, Minuterie; Type d'interface embarquée:I2C, SPI, UART, USB; Nombre de voies PWM:7; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; N MICRO 16 BITS S12P 48QFNEP; contrôleur Famille / Série:S12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:34; Taille mémoire de programme:128KB; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:32MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:8; Peripherals:CAN, PWM, Minuterie; Type d'interface embarquée:CAN, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFN; Gamme de tension d'alimentation:3.15V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro MICROCONTROLEUR 32 BITS 66MHZ 196 LBGA; contrôleur Famille / Série:ColdFire; Nombre de bits:32bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:16KB; Taille mémoire, RAM:4KB; Vitesse de processeur:66MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:5; Peripherals:Minuterie, PWM; Type d'interface embarquée:SPI, UART; Nombre de voies PWM:3; Type de boîtier CI numérique:MAPBGA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:196; SVHC MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:24Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation MICROCONTROLEUR 8 BITS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:22; Taille mémoire de programme:2 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:SDIP; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15 MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier; Force, fonctionnement max..:1.5N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:28V; Courant de contact max.:5A; Terminaisons commutateur:A souder; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Approuvé:VDE, BEAB; Boîtier de commutateur:Nylon 4.6; Configuration contact:SPDT; Contacts:; Courant de contact:5A; Courant de contact c.a.:5A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.: MICRORUPTEUR; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Poussoir; Force, fonctionnement max..:1.5N; Terminaisons commutateur:Solder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact:3A; Courant de contact c.a.:3A; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant de contact c.c. max.:5A; Courant de contact max.:5A; Course min:0.4mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:200000; Déplacement, différentiel:0.1mm MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH CMS; contrôleur Famille / Série:PIC18; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:36; Taille mémoire de programme:8 kWords; Taille EEPROM:256Byte; Taille mémoire, RAM:768Byte; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:4; Périphériques:ADC, Comparator, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:5; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:44; SVH MICROSWITCH 16A MINIATURE; Configuration des contacts:SPDT; Type de Microswitch:Action instantanée; Style d'actionneur:Levier galet; Force, fonctionnement max..:1.23N; Tension, contact c.a.:250V; Tension, contact c.c.:250V; Courant de contact max.:16A; Terminaisons commutateur:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité de commutation:16 (3)A @ 250 V ac; Configuration contact:Levier galet; Contacts:; Courant de contact c.a.:16A; Courant de contact c.a. max.:16A; Courant de contact MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS; contrôleur Famille / Série:PIC16C; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:25; Taille mémoire de programme:14KB; Taille mémoire, RAM:336Byte; Vitesse de processeur:20MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, Comparator; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:PLCC; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:68; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc MICROCONTROLEUR 8 BITS FLASH; contrôleur Famille / Série:PIC16LF; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:1 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:68Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:85 IC, EEPROM 16K, SMD, 25LC160, SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc EEPROM SERIE 4K 24LC04 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC04B; Numé MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant: EEPROM SERIE 2K CMS 24C02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02C; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24 IC-2K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu IC, EEPROM SERIAL 1K, 93LC46, SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; N MEMOIRE EEPROM I2C 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence:24; Taille EEPROM I2C 4K 24C04 DIP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C04; Racine de la référence:24; Ta MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3.79KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températ MEMOIRE EEPROM I2C 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24; Taille mémoire IC-8K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; N IC-32K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro g IC-CMS-4K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:24LC040; Numéro génér IC-CMS-32K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro génér IC-8 BIT EEPROM MCU; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Températ MEMOIRE EEPROM PARALLELE CMS 64K(8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15JU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15PU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la ré EEPROM SPI 8K CMS 95080 SO-8-8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95080-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95080; Numéro générique:95080; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM CMS 512K I2C; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24512; Numéro générique:24512; Racine de la référence:24512; Taille mémoire:512Kb EEPROM SPI 256K CMS 95256 SO-8-8; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95256-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95256; Numéro générique:95256; Racine de la MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C256-15PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de MEMOIRE EEPROM CMS 1K SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95010; Numéro générique:95010; Racine de la référence:95010; Taille mémoire:1Kbit; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93LC46; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SPI CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95640; Numéro générique:95640; Racine de la référence:95640; Taille mémoire:64Kbit; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 128 BITS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SPI 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95320; Numéro générique:95320; Racine de la référence:95320; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille m MCU 8 BITS 64K FLASH EEPROM CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02B; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24L MEMEOIRE EEPROM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro générique:93LC8 MEMEOIRE EEPROM SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC0 MEMOIRE EEPROM I2C 32K; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro générique:24C32; Racine de la référence:24; Taille mémoire:32Kbit; Températu MEMOIE EEPROM 4KB 1 FIL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS24B33+; Numéro de la fonction logique:2433; Racine de la référence:2433; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonc MEMEOIRE EEPROM SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la référen MEMOIRE EEPROM SERIE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro généri MEMOIRE EEPROM 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille mémoi MEMOIRE EEPROM SERIE 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; N MEMOIRE EEPROM SERIE 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8bit ou 64x16bit; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro d MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tail EEPROM SERIE 2K CMS 8582 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:PCF8582C; Numéro de la fonction logique:8582; Numéro générique:8582; Racine MEMOIRE EEPROM CMS SPI 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95020; Numéro générique:95020; Racine de la référence:95020; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Temps d'accès:8è¾s; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2000kHz; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la référence:93; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, Vcc:5 EEPROM SERIE 32K CMS SO-8-8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C32; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro géné MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire: MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24 MEMOIRE EEPROM 256K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24256; Racine de la référence:24256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement m EEPROM SPI 16K CMS 95160 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95160-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95160; Numéro générique:95160; R EEPROM SPI 4K CMS 95040 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95040-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95040; Numéro générique:95040; R MEMOIRE EEPROM 128K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24128; Numéro générique:24128; R EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SO88; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C46-WMN6P; Numéro de la foncti MEMOIRE EEPROM SMART SERIE 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro générique:24LC65; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro MEMOIRE EEPROM 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction log EEPROM, 1024K, 128K X 8, SER, DIP8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1025; Numéro générique:24LC1025; Racine de la référence:24; Taille mémoire:1M EEPROM, 128K, 16K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la IC, EEPROM, 64K, 8K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la r EEPROM, 2K, 256 X 8 SERIAL, DIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence SM EEPROM 1024K 128K X 8 SER; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24F1025; Numéro générique:24FC1025; Racine de la référe EEPROM 256K, 32K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la ré EEPROM 256K 32K X 8 SER SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC256-I/SN; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; Taille EEPROM 4K, 512 X 8/256 X 16, SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro EEPROM 128K 16K X 8 SER SOIC8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128T; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro génériqu EEPROM 16K 2K X 8 SERIE SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA128; Numéro générique:24AA128; Racine de la référence:24; Taille mémoire:128Kbi MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8b; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence:24; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA640; Numéro générique:25AA640; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro générique:93AA86; Rac MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:102kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC020; Numéro générique:25LC020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8bit ou 128 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C0 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Nu MEMOIRE EEPROM SERIE 1K (128 X 8); Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93C46 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF016B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; MEMOIRE EEPROM 256 BITS CMS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430AP+; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA32; Numéro générique:24AA32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA65; Numéro générique:24AA65; Racine de la référence:24; Taille mé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24LC02; Racine de la référence:24 EEPROM SERIE 1024KB CMS SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC-W; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC1025; Numéro de la fonction logique:24LC1025; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; Taille mémoire:64Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC256; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:Serial, I2C; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:24C1024; Racine de la référence:24 RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24HC02; Numéro générique:24HC02; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M 24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:AT24C1024BW; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 128K CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C128; Numéro de la fonction logique:128; Numéro générique: 1M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF010A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminais EEPROM, 1K, 128 X 8 SERIAL, SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référ IC, EEPROM 8K, 1K X 8 SERIAL, DIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de l EEPROM, 8K, 1K X 8 SERIAL, SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la EEPROM 256K, 32K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la ré EEPROM, 256K, 32K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de l EEPROM, 64K, 8K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référe EEPROM 16K, 1024 X 16/2048 X 8, DIP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA512; Numéro générique:24AA512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA160; Numéro générique:25AA160; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine EEPROM 1M 2-FIL SERIE 2.5V; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:AT24C1024BN; Numéro de la fonction logique:24C102; Numéro générique:24C10 EEPROM, 1M, PARALLEL, 5V, 28C010; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C010; Numéro générique:28C010; Racine de la référence:28; Ta EEPROM 1K 2FIL SERIE 1.8V CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:AT93C46DN; Numéro de la fonction logique IC, EEPROM SERIAL 1024K; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC1025; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM SERIAL 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM SERIAL 64K, SMD; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C65; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d IC, EEPROM SERIAL 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement ma MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro générique:24C08; R IC, EEPROM I2C 512K, SMD, SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24; Numéro générique:24FC512; Racine de la référence: EEPROM, 256K, PARALLEL, SMD, 28C256; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la référence:28; Taille mémoire:64Kbit; IC, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC080; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' IC, EEPROM, SERIAL, 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8 / 128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Température IC, SM, EEPROM, SERIAL, 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8 / 128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM 256K SERIE; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la référence:24 IC, SM, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC080; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températu IC, EEPROM, SERIAL, 128K; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC160; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température IC, SM, EEPROM, SERIAL, 512K, SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+ MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, SM, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC86; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonct IC CPU SUPERVISOR WITH 4K SPI EEPROM; Tension de seuil:4.25V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:2mA; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:5mA; Fréquence, horloge:3.3MHz; Racine de la référence:5043; Taille mémoire:512 x 8; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér EEPROM 256K I2C 2.5V SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Automotive; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé IC, EEPROM, 1K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA010; Tai IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Taille IC, EEPROM, 2K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA020; Tai IC, EEPROM, 8K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC080; Taill IC, EEPROM, 16K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA160; Taille EEPROM, 1MBIT, 400KHZ, 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA1025; Taille mé IC, SM, EEPROM, SERIAL, 1024K; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; EEPROM, SERIAL, 16K, 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC160; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempéra IC, EEPROM, SERIAL, 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC640; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température IC, EEPROM, SERIAL, 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Tempér IC, SM, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2 BLK(256 x 8); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionn IC, SM, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement m EEPROM, SERIAL, 1K, 6SOT-23; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionn IC, SM, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température d IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C320; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'ut EEPROM, 1M, SPI, 1.8V, 128KX8, DFN8; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+ 8BIT MCU, 60K FLASH, 2K EEPROM, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:60 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19 IC, EEPROM, 1K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8 / 64 x 16; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:UNI/O; Numéro générique:11LC010; Taill IC, EEPROM, 1K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA010; Taille IC, EEPROM, 16K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC160; Tai IC, EEPROM, 16K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC160; Taille IC, EEPROM, 16K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA160; Tai EEPROM, 8K, I2C, 1.8V, 1KX8, SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA08 EEPROM 256K I2C 1.8V SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24AA256T; Numéro IC, EEPROM, 256K, I2C, 2.5V, PDIP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC256; Taille EEPROM 512K I2C 2.5V SOIJ8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Automotive; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; Taille mémoire:25 EEPROM I2C 2K HALF PROTECT PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:5 EEPROM I2C 1K HALF PROTECT MSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM I2C 1K HALF PROTECT TSSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5. EEPROM 512K I2C 2.5V SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24512; Numéro générique:24512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM 8K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionneme EEPROM 2K 1.8V I2C MAC SOT23-5; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2 BLK(128 x 8); Fréquence:400Hz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Organisation mémoire:2 X 128 X 8bit; Taille mémoire:2Kbit; T IC, SM, EEPROM, SERIAL, 128K; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; T IC, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température de foncti IC, SM, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC86; Taille mémoire:16Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Marquage composant:25AA02E48-I/SN; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:512 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C76; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températ EEPROM, 32K, I2C, 1.8V, 4KX8, SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement ma 8BIT MCU, 96K, EEPROM, CAN, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, PDIP8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C1024; Température d'utilisation min:-40°C EEPROM I2C 2K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..: EEPROM I2C 2K HALF PROTECT TSSOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5. IC, EEPROM, 1KB, 1-WIRE, TO-923; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:256 x 4; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 5.25V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 4; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2431+; Numéro générique:DS2431; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températ IC, EEPROM, 1KB, 1-WIRE, TSOC6; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:256 x 4; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 5.25V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 4; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2431P+; Numéro générique:DS2431; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températu IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Tempé IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC65; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement ma EEPROM 4K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionne EEPROM 4K MICROFIL 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, 3-Wire; Numéro générique:93C66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionneme 8BIT MCU, 128K, EEPROM, CAN, LQFP64; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b EEPROM, 256K, 32KX8, SPI, TSSOP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; MÉMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial; Numéro générique:11AA02E48; Racine de la référence:02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mém MÉMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 3SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial; Numéro générique:11AA02E48T; Racine de la référence:02; Taille mémoire:2Kbit; Tensio EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C1024; Numéro générique:24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Températ EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, SOICW8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC-W; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max EEPROM I2C 1K HALF PROTECT PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V; EEPROM SERIE 256K TUBE100 24LC256; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réf EEPROM SERIE 512K TUBE60 24LC512; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ EEPROM 1MB I2C 1.8V SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:500ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24M01; Numéro générique:24M01; Racine de la référence:24; Taille EEPROM 32K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionn EEPROM 16K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C16; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionn EEPROM 2K 1.8V I2C MAC SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400Hz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation ma IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Tai IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Taille IC, EEPROM, 2K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA020; Taille IC, EEPROM, 4K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC040; Tai IC, EEPROM, 4K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA040; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 6SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation MÉMOIRE EEPROM SERIE 1KB 2.5V 5SC-70; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:01; Taille mémoire:1K IC, EEPROM, 256K, I2C, 2.5V, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC256; Taille EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; T EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8SOIC; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8TSSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbi EEPROM, SERIAL, 1K, 2.5V, 8TSSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Tension EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4 ARRAY, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taill IC, EEPROM, SERIAL, 2K, 5V, 8MSOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5V; Ten EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8SOI; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taill EEPROM, SER, 64K, 2. 5V, 1/4 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taille EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8MSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taill EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8MSO; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4 ARRAY, 8MSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:3.5è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taill EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4ARRAY, 8TSSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:3.5è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64KB; EEPROM, 64K, DUAL INTERFACE, 8TSSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8192 x 8, 2048 x 32; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C; Type de terminaison:CMS EEPROM, SERIAL, 2KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 4KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 32KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, 64K, DUAL INTERFACE, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8192 x 8, 2048 x 32; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C; Type de terminaison:CMS IC, EEPROM, SERIAL 32KB, 5WLCSP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:WLCSP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; T IC, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utili IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement ma MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C MCU, 16BIT, 1K RAM, 4K EEPROM, LQFP112; contrôleur Famille / Série:68HC12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec 8BIT MCU, 32K FLASH, EEPROM, CAN, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d 8BIT MCU, 32K FLASH, EEPROM, CAN, LQFP64; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d 8BIT MCU, 96K, EEPROM, CAN, LQFP100; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:88; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 6SOT; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C EEPROM I2C 2K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM 128K I2C 1.7V MLP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonc EEPROM 128K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95128; Taille mémoire:128KB; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température EEPROM 64K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95640; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' EEPROM 32K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95320; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' EEPROM 4K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' MEMOIRE EEPROM I2C 1K 1.5V SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:3.6V; EEPROM, SERIAL, 512KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 1KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 256KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 64KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8b; Interface:Serial, SPI IC, EEPROM, SERIAL, 2K, 5V, 8DIP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5V; Tensi EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taille EEPROM 1M (128KX8) 12C 8PDIP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC EIAJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 1M (128KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8PDIP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8TSSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 1M (128KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC EIAJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 IC, EEPROM, 12C, 512KB, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C MEMOIRE EEPROM 16K 1.8V UNE/S 3TO-92; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Interface:Serial EEPROM, SERIAL, 8KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 128KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 16KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8PDIP; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 128K (16KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C128 EEPROM SERIE 16K (2KX8) 8PDIP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM 4K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C04 EEPROM SERIE 1024K 8PDIP; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 32K (4KX8) 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C32 EEPROM 4K SERIE 12C 8TSSOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C04 EEPROM 64K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C64 EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM FPGA CONFIG 256K 20PLCC; Type de mémoire:EEPROM série; Taille mémoire:256Kbit; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 2K (256X8) 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C02 EEPROM SERIE 128K (16KX8) 8SOIC; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C128 EEPROM SERIE 256K (32KX8) 8SOIC; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C256 EEPROM SERIE 512K (64KX8) 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 64K DOUBLE INTERFACE 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Type d'interface:I2C, SPI; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 64KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 128KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 32KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1024KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 4KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512Word x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 32KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 16KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PIM SERIE EEPROM PICTAIL PACK; Type d'accessoire:Serial EEPROM PIM PICtail Pack; A utiliser avec:Serial Memory Products & PICkit 3; Caractéristiques:Plug & Play with PICtail Plus Connector, High Density, Wide Voltage Range Devices; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM FPGA CONFIG 512K 20PLCC; Type de mémoire:EEPROM série; Taille mémoire:512Kbit; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 16K (2KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM SERIE 512K (64KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM SERIE 64K (8KX8) 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C64 EEPROM SERIE 2K (256X8) 8TSSOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25020 EEPROM 2K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C02 EEPROM 8K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C08 EEPROM 16K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM 32K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C32 EEPROM 16KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 256KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1024KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 2KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 4KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 64KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 128KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DAC 8BIT NV EEPROM I2C 6DFN; Résolution (Bits):8bit; Type de canal d'entrée:Série; Interface de données:I2C; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:2.7V 5.5V; Courant, alimentation:210è¾A; Type de boîtier CI numérique:DFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM 128K SERIE CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC128; Numéro générique:24WC128; Racine de la référence:2 EEPROM SERIE 2K 8582 DIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:PCF8582C; Numéro de la fonction logique:8582; Numéro générique:8582; Racine de la EEPROM 1KBIT 3-FIL 8SOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64Word x 16bit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT 3-FIL 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:512Word x 16bit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 2KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256Word x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 512KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 256KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 512KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tai EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOT-23-5; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02BT; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro génériq EEPROM SERIE 128K 24LC128 SOIC8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro génériq EEPROM SERIE 16K 24LC16 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; N MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gé MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant EEPROM SERIE 64K 24C64 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C64; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM I2C 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM I2C 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de MEMOIRE EEPROM 8K I2C; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine de la référence:24; Taille mémoire:8 MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique: EEPROM SERIE 128K 24LC128 DIP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique EEPROM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la référence:24; Tail EEPROM SERIE 256K 24LC256 DIP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256-; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique: EEPROM SERIE 512K 24LC512 SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gén EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93C46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:93C46; MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM 16K MICROWIRE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine de la MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93S46; Numéro générique:93S46; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM 32K SERIE CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC32; Numéro générique:24WC32; Racine de la référence:24; Taille EEPROM 1 FIL 256 BITS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430A+; Numéro de la fonction logique:2430; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Taille mémoire:256bit; EEPROM SPI 128K CMS 95128 SOIC8; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95128-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95128; Numéro générique:95128; Racine de la r MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; N MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02B; Numéro de la EEPROM SERIE 256K 24LC256 SOIJ8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique: EEPROM SERIE 256K 24LC256 SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique EEPROM SERIE 32K 24LC32 SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC32A; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24L EEPROM SERIE 64K 24LC64 DIP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC64; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique: EEPROM SERIE 64K 25LC640 DIP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC640-I/P; Numéro de la fonction logique:25LC640; Numéro générique:25LC640; Ra MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; EEPROM SERIE 16K 24LC16 DIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro généri EEPROM SERIE 512K 24LC512 DIP8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM 512K SERIE PAGE 64 OCTETS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC515; Numéro générique:24LC515; Racine de la référence:24; Taille mémoir EEPROM SERIE 64K 24LC64 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC64; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC EEPROM SERIE 64K 25LC640 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC640-I/SN; Numéro de la fonction logique:25LC640; Numéro générique:25LC640; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composa MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93LC46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:9 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq EEPROM SERIE 2K CMS 93C56 SOIC8; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Interface:Serial, Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C56-WMN6P; Numéro de la fonction logique:93C56; Num MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine d EEPROM MICROFIL 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C46-WBN6P; Numéro de la fonction logique:93C46; Numéro gén EEPROM MICROFIL 4K 93C66 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C66-WMN6P; Numéro de la fonction logique:93C66; Num EEPROM I2C 16K 24C16 DIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Numéro générique:24C16; Racine de l EEPROM I2C 16K CMS 24C16 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Numéro générique:24C16; Racin MEMOIRE EEPROM 1K I2C; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; Taille EEPROM I2C 4K CMS 24C04 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C04; Racine de la référence: EEPROM I2C 8K CMS 24C08 SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C08; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine MCU 8 BITS 64KFLASH 2K EEPROM CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:8.4MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction IC, EEPROM SERIAL 256 X 8 SPD, SMD; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:34L02; Racine de la référence:34; Taille mémoire:2Kbit; Température IC, EEPROM SERIAL 256 X 8 SPD, SMD; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:34E02; Racine de la référence:34; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonc IC, EEPROM, I2C, 2K, 256X8, SSOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement IC, EEPROM, I2C, 4K, 512X8, SOP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SSOP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SOP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 64K, 8KX8, SOP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L64; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement EEPROM, MICROWIRE, 2K, 128X16, SOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnem IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SOP-J8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP-J8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionne EEPROM, MICROWIRE, 4K, 256X16, SOP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnem IC, EEPROM, 2MX16/4MX8, CMOS; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Fréquence:5MHz; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29AL032; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémo IC, EEPROM, I2C, 8K, 1KX8, SOP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé IC, EEPROM, I2C, 16K, 2KX8, SOP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L16; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SOP-J8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C EEPROM, 512K (64KX8), 1.8V, 8PDIP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25A512; Tension, alimentation max..:3V; Tension, alimentation min.:1.7V EEPROM, 512K (64KX8), 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25A512; Tension, alimentation max..:3V; Tension, alimentation min.:1.7V MEMOIRE EEPROM MAX 7000 CPLD 64 44PLCC; Type de CPLD:EEPROM; Nombre de macrocellules:64; Nombre d'E/S:36; Série:MAX 7000; Temps de propagation:15ns; Temps d'installation d'horloge global:11ns; Fréquence:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI logique:PLCC; Nombre de broches:44; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM 64KBIT I2C 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CARTOUCHE EEPROM ZELIO; Type d'accessoire:EEPROM Cartridge; A utiliser avec:Zelio Logic Smart Relays; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Taille mémoire:1 Kbit EEPROM SERIE 1024KB CMS SOIC8; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC1024-I/SM; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI WSON-8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-QAF; Type de boîtier:WSON; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH 2M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25LF020A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Sé 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminai MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf IC, EEPROM SERIAL 1024K; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA1025; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+85°C IC, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisa EEPROM I2C 1K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM 2K 128X16 MICROFIL SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16, 256 x 8; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16bit ou 256 x 8bit; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:CAT93C56VI-G; Numéro générique MEMOIRE SRAM 4MB 512K X 8 3V 10NS; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:10ns; Gamme de tension d'alimentation:3.135V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Interface Type:Asynchronous; Numéro de la fonction logique:5128; Numéro générique:61LV5128; Racine de la référence:61; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement max..:85°C MEMOIRE SRAM 1M CMS; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:12ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:128K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71024; Numéro générique:71024; Racine de la référence:71024; Taille mémoire:1Mbit; Température MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant: MEMOIRE EPROM 256K (32K X 8) 4.55.5V CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:27C256; Racine de la référence:27; Taille mémoire:256Kbit; Température de foncti MEMOIRE FIFO ASYNC CMS 4K X 10; Taille mémoire:36Kbit; Configuration mémoire:4096 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:50MHz; Temps d'accès:12ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:4K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:50MHz; Gamme de tempé MEMOIRE EEPROM I2C 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM I2C 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE PROM OTP 4MB CMS; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C4001; Numéro générique:27C4001; Racine de la référence:27; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EPROM CMOS 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' MEMOIRE PROM OTP CMOS 8MB; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C801; Numéro générique:27C801; Racine de la référence:27; Taille mémoire:8Mbit; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u MEMOIRE EEPROM PARALLELE CMS 64K(8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15JU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique MEMOIRE EPROM 2M (256K X 8) 4.55.5V CMS; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:020; Numéro générique:27C020; Racine de la référence:27; Taille mémoire:2Mbit; Température de fonctionn MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15PU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la ré MEMOIRE DATAFLASH SERIE CMS 64MB 20MHZ; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8192 Pages x 1056 Bytes; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:66MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K Pages x 1KB; Fréquence:66MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:16; MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8, 1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b / 1M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:160; Numéro MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro génér MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 8M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VFQFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:80; N MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 2M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 4M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:40; Numér MEMOIRE EEPROM CMS 512K I2C; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24512; Numéro générique:24512; Racine de la référence:24512; Taille mémoire:512Kb MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:32; MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:323; Numéro générique:29DW323; Racine de la ré MEMOIRE FLASH SERIE CMS 1M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:10; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 8M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VFQFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:80; Numéro g MEMOIRE EPROM 2M (256K X 8) 4.55.5V; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:020; Numéro générique:27C020; Racine de la référence:27; Taille mémoire:2Mbit; Température de fonction MEMOIRE EPROM 256K (32K X 8) 4.55.5V; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT27C256R-70PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:27C256; Racine de la référence:27; Taille mémoire:256Kbit; Températu MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C256-15PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 2M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20 MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:160; Numéro générique:28W160; MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro générique:28W320; MEMOIRE FLASH SERIE 2MB CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20; Numé MEMOIRE EEPROM CMS 1K SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95010; Numéro générique:95010; Racine de la référence:95010; Taille mémoire:1Kbit; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93LC46; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SPI CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95640; Numéro générique:95640; Racine de la référence:95640; Taille mémoire:64Kbit; Te MEMOIRE EPROM 8MB; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C801; Numéro générique:27C801; Racine de la référence:27; Taille mémoire:8Mbit; Température de fonc MEMOIRE EEPROM SERIE 128 BITS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SPI 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95320; Numéro générique:95320; Racine de la référence:95320; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille m MEMOIRE EEPROM I2C 32K; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro générique:24C32; Racine de la référence:24; Taille mémoire:32Kbit; Températu ADD MEMOIRE 1KB 2502 TO-92-3; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:1K x 1; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:128 x 8b; Interface Type:Serial, 1 Wire; Numéro de la fonction logique:2502; Numéro générique:2502; Racine de la référence:2502; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min MEMOIRE EEPROM SERIE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro généri MEMOIRE EEPROM 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille mémoi MEMOIRE EEPROM SERIE 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; N MEMOIRE EEPROM SERIE 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8bit ou 64x16bit; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro d MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tail MEMOIRE FIFO 1KX9; Taille mémoire:9Kbit; Configuration mémoire:1024 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:1 Kx9bit; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commerci MEMOIRE EEPROM CMS SPI 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95020; Numéro générique:95020; Racine de la référence:95020; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Temps d'accès:8è¾s; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2000kHz; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la référence:93; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, Vcc:5 MEMOIRE FLASH 64MX16 3V CMS; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8M x 8, 4M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8M x 8b / 4M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29W640; Numéro générique:29W640; Racine MEMOIRE SRAM TIMEKEEPER 16K; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:Chronométreur; Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:PCDIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques RTC:Timer watchdog; Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence, horloge:32.768kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nombre de canaux de sortie:8; MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire: CARTE MEMOIRE 128K SRAM; Racine de la référence:128; Taille mémoire:128Ko; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Température de fonctionnement max..:50°C; Température d'utilisation min:0°C MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24 MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (4M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Taille de page:256Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:16M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC16; Numéro générique: MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (8M x 8); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:32M x 8; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC32; Numéro générique:48 MEMOIRE SDRAM 64MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (1M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48LC4; Racine de la référen MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (1M x 32); Temps d'accès:5.5ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:86; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Fréquence:166MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC4; Numéro générique:48LC4; Racine de la référence:48LC4; Taille mémoire:128Mb MEMOIRE FIFO 512X9; Taille mémoire:4.5Kbit; Configuration mémoire:512 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:512 x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.2MHz; Gamme de température, MEMOIRE FIFO 4KX9; Taille mémoire:36Kbit; Configuration mémoire:4096 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:4K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.22MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commerci MEMOIRE SRAM DOUBLE PORT 2KX16; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:2K x 16; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:2K x 16; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Asynchronous; Numéro de la fonction logique:7133; Numéro générique:7133; Racine de la référence:7133; Taille mémoire:32Kbit; Tem MEMOIRE SRAM CMS CMOS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71256; Numéro générique:71256; Racine de la référence:71256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnem MEMOIRE SDRAM 64MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (512K x 32); Temps d'accès:5.5ns; Taille de page:64Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:86; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:64Mb; Fréquence:166MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC2; Numéro générique:48LC2; Racine de MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (2M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Configuration mémoire:8M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48 MEMOIRE EEPROM 256K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24256; Racine de la référence:24256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement m MEMOIRE FLASH 8MBIT SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25P80; Num MEMOIRE FLASH 8MX8X16 3V CMS; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8, 512K x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b / 512K x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:800; Numéro générique:29W800; Racin MEMOIRE SRAM CMS CMOS 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:64K x 16; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:64K x 16; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71016; Numéro générique:71016; Racine de la référence:71016; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement MEMOIRE PROM OTP 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Tempéra MEMOIRE SRAM 16K X 8 DOUBLE PORT; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Temps d'accès:15ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:16K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Asynchronous; Racine de la référence:7006; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'ut MEMOIRE NVRAM CMOS 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:1225; Numéro générique:1225; Raci MEMOIRE NVRAM 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:D'un octet; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:1644; Numéro générique MEMOIRE FLASH NAND 256MB CMS; Taille mémoire:256Mbit; Configuration mémoire:32k x 8; Temps d'accès:12è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V, 2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32M x 8b; Cycles lecture / écriture:3; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:256; Taille de page:528Byte; Taille du bloc:16896Byte; Taille mémoire:25 MEMOIRE EEPROM 128K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24128; Numéro générique:24128; R MEMOIRE EEPROM SMART SERIE 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro générique:24LC65; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro MEMOIRE EEPROM 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction log MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (4M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:16M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC16; Numéro générique:48LC16; Racine de la réf MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (2M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Taille de page:128Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Configuration mémoire:16M x 8; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48 MEMOIRE FIFO 1KX9 CMS; Taille mémoire:9Kbit; Configuration mémoire:1024 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Fonction FIFO:Synchrone; Fréquence, horloge:66.7MHz; Temps d'accès:15ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TQFP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:1 Kx9bit; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:66.7MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro MEMOIRE FIFO 8KX9 CMS; Taille mémoire:72Kbit; Configuration mémoire:8192 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:33.3MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:8K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:33.3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Comme MEMOIRE FLASH NAND 128MB CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:128Mbit; Configuration mémoire:16k x 8; Temps d'accès:12è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V, 2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:16M x 8b; Cycles lecture / écriture:4; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:128; Taille de page:528Byte; Taille du bloc:16896 MEMOIRE SRAM TIMEKEEPER 64K CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:Chronométreur; Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOH; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques RTC:Timer watchdog; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:32.768kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nom CARTE MEMOIRE M3; Type d'accessoire:Memory Cartridge; A utiliser avec:CD12, CD20 Controllers; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA128; Numéro générique:24AA128; Racine de la référence:24; Taille mémoire:128Kbi MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA640; Numéro générique:25AA640; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro générique:93AA86; Rac MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de MEMOIRE NVRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:D'un octet; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:1643; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnem MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine MEMOIRE EPROM CMOS 1MB; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:FDIPW; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C1001; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tensio MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:102kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC020; Numéro générique:25LC020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8bit ou 128 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C0 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Nu MEMOIRE EEPROM SERIE 1K (128 X 8); Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93C46 MEMOIRE FLASH 8M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 16b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF016B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; MEMOIRE EEPROM 256 BITS CMS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430AP+; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA32; Numéro générique:24AA32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA65; Numéro générique:24AA65; Racine de la référence:24; Taille mé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24LC02; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; Taille mémoire:64Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC256; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de PROGRAMMATEUR UNIVERSEL POUR MEMOIRE; Contenu du kit:Universal Memory Programmer, Switching Power Supply, USB Cable, ISP Cable, User Manual; Caractéristiques:40-Pin Universal Socket Accepts Both 300/600 Mil DIP Devices Up to 40 Pin; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MPU Supported Families:EPROM, EEPROM, NVRAM et plus encore; Nombre de circuits supportés:12000; Type de produit IC:Programmateur universel; Type de programmateur:Universal Memory Programmer; Type d'interface:USB MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:24C1024; Racine de la référence:24 MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 2M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 32M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Secteur de boot en haut; Type de terminaison:CMS MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24HC02; Numéro générique:24HC02; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 128K CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C128; Numéro de la fonction logique:128; Numéro générique: MEMOIRE FRAM CMS 1MB; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:85R1001; Numéro générique:85R1001; Racine de la référence:85; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+8 MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 2M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 16b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS 1M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF010A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminais MEMOIRE FLASH TOP BLOCK 64MB CMS; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8M x 8, 4M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8M x 8b / 4M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29W640; Taille mémoire:64Mbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA512; Numéro générique:24AA512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA160; Numéro générique:25AA160; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine AFFICHEUR BCD AVEC MEMOIRE; Hauteur de digit:9mm; Largeur, découpe panneau:31mm; Température de fonctionnement:0°C +35°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Epaisseur, panneau max..:3.5mm; Largeur (externe):8mm; Longueur, hors tout:18.5mm; Longueur/hauteur:33mm; Pas:2.54mm; Profondeur:28.5mm MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro générique:24C08; R CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 4 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AI04X; Pas:1.925mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Temp MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la référence:28; Taille mémoire:64Kbit; MEMOIRE EEPROM 256K SERIE; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 10 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AIOAX; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Flash or; Courant:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement m CONNECTEUR CARTE MEMOIRE MENI SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:MDAMF; Nombre de contacts:11; Pas:1.2mm; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:0.5A; Matière:Thermoplastic; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Nombre de voies:11; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Température de fonctionnement max..:90°C; Températ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 5 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AI05X; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Température de fonctionnement m MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; Taille mémoire:25 MEMOIRE SRAM SERIE 64K 1.7V SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation min MEMOIRE SRAM SERIE 256K 2.7V PDIP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:23K256-I/P; Numéro générique:23K256; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tensi MEMOIRE SRAM SERIE 256K 2.7V SOIC8; Taille mémoire:32KB; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:23K256-I/SN; Numéro générique:23K256; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3 MEMOIRE SRAM SERIE 64K 2.7V PDIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.7V; MEMOIRE EEPROM SERIE 64K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Marquage composant:25AA02E48-I/SN; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire MEMOIRE SRAM SERIE 256K 1.7V PDIP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 16M; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8, 1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b / 1M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:16Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE SRAM SERIE 64K 1.7V PDIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation min. MEMOIRE EEPROM SERIE 32K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 6SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 4M; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8, 256K x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b / 256K x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:4Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 4M; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8, 256K x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b / 256K x 16b; Taille mémoire:4Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2. MEMOIRE FLASH 8MX8X16 3V CMS; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8, 512K x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:Parallel; Interface Type:CFI; Taille mémoire:8Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Ten CONNECTEUR. MEMOIRE SD. REVERSE; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM1; Pas:2.5mm; Nombre de contacts:9; Genre:Embase; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Nombre de rangées:1; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique résistant la chaleur; Méthode de terminaison:A souder; MEMOIRE CONFIGURATION 128M 16SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:128Mbit; Organisation mémoire:16M x 8; Type d'interface:Série, JTAG; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Serial CONNECTEUR. MEMOIRE SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM1; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique résistant la chaleur; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de rangées:1; Nombre d MEMOIRE FLASH 16MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS SPI 8SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS B/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:x8 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 512KBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:33MHz; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:LPC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C CARTE D'EXTENSION MEMOIREFLASH SRAM; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; Nombre de noyau de silicium:LM3S; Nom de famille Silicon:Stellaris 9000; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:8MB Flash Memory, Memory Mapped LCD I/F, Power LED Indicator; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Connects Directly to the EPI Header, Power LED Indicator, Memory Mapped LCD I/F for LCD Performance; MCU Supported Families:LM3S9B96; Type:Mem MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 6SOT; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT SPI 8SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 32MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT SPI 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS SQI 8WSON; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:Serial Quad I/O; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS B/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE SRAM SERIE 256K 1.7V SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentatio MEMOIRE SRAM SERIE 64K 2.7V SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.7V MEMOIRE FLASH CMS 16MB SPI TOP BOOT; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE EEPROM I2C 1K 1.5V SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:3.6V; MEMOIRE FLASH 32MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS T/B 48TFBGA; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TFBGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Parallèle; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE CF. 16GB. 567X 100MB/S MEMOIRE SD. 1GB. 60X MEMOIRE FLASH 32M MPF 48TSOP; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:4M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Advanced MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M MPF 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:4M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Advanced MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 16M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 8M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 8M FWH 32PLCC; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Parallèle; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SD. 512MB. 60X MEMOIRE FLASH 64M SPI 16SOIC; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SPI 8SOIJ; Taille mémoire:8Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16M MPF 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH SPI 512K 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 512K 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 1M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 2M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:2M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L020; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 4M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:4M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L040; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 32M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-1; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SDRAM 16M 3V3 50TSOP; Configuration mémoire:1M x 16; Temps d'accès:6ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:50; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 16 x 2 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L0616; Taille mémoire:16 Mbit; Taille mémoire:16Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE SDRAM 16M 54TSOP; Configuration mémoire:4M x 16; Temps d'accès:6ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L2616; Taille mémoire:64 Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 512K 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 1M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 2M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:2M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L020; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 8M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:8M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L080; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH NOR 5V 1M 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-1; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29010; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH SPI 4M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:4M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L040; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 8M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:8M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L080; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 16M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 32M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25LQ032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32DIP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE EEPROM 16K 1.8V UNE/S 3TO-92; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Interface:Serial MEMOIRE FLASH 8MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS T/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 512KBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE DATAFLASH 1M 8SOIC-W; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:66MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:45DB011; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4M MPF 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI CARTE MEMOIRE SD. EXTREME PRO. 16GB MEMOIRE FLASH SPI 1M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 16M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 32M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 32M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NOR 5V 1M 32DIP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29010; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SDRAM 128M 54TSOP; Configuration mémoire:8M x 16; Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L3616; Taille mémoire:128 Mbit; Taille mémoire:128Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE SDRAM 256M 54TSOP; Configuration mémoire:16M x 16; Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L4616; Taille mémoire:256 Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NAND 512MB 48TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Configuration mémoire:64M x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Taille mémoire:512 Mbit; Type de mémoire:Flash ? NON; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FRAM 64K CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:12.6mm EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MEMOIRE FRAM CMS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE I2C 3V 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.65V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE 5V 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE SPI 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:SPI; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE SPI 3V 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.65V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:12.6mm EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MODULE MEMOIREE MC291; Type d'accessoire:Memory Module; A utiliser avec:SIMATIC S7-200 CONNECTEUR CARTE MEMOIRE MICROSD 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Série:microSD Card; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit CARTE MEMOIRE XD 512MO CARTE MEMOIRE. FTS SD. 128MB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:13.3mm; Résistance, contact:50mohm; Tension c.a.:50V EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE SD. MICRO. 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black MEMOIRE EEPROM 128K SERIE CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC128; Numéro générique:24WC128; Racine de la référence:2 MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:A623308A-70SF; Numéro de la fonction logique:623308; Numéro générique:623308; Racine de la référence:623308 CONNECT.CARTE MEMOIRE CAPOT METAL; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact CONNECT.CARTE MEMOIRE INSER/EXTRACTION; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.625mm; Résistance d'isolement:1000Mohm; R MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MODULE MEMOIRE GENIE NX; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TOUCH MEMOIRE PROBE 9092; Brief Features:Façonnage des métaux simple et économique; Fonction CI:Sonde iButton; Marquage composant:DS9092+; Nombre de broches:2; Numéro de la fonction logique:9092; Racine de la référence:9092; Type de CI:iButton Probe; Type de mémoire:Touch Memory Probe; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FRAM CMS SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MEMOIRE EPROM 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Température PILE E POUR MEMOIRE NVRAM; Capacité:120mAh; Tension, batterie:3V; Technologie de la batterie:Lithium-polymère; Hauteur, dimension externe:8.51mm; Largeur (externe):21.84mm; Profondeur:18.03mm; Poids:10g; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.56mm; Longueur cordon:2.29mm; Longueur/hauteur:8.51mm; Nombre de broches:2; Profondeur:18.03mm; Temps, rétention des données:10An; Tension, sortie:3V; Type de borne:SNAPHAT; Type de boîtier:SOIC MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 4MO; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48T512; Numéro générique:48T512 MEMOIRE NVRAM/RTCC 512BX8 IIC; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC; Configuration mémoire:64 x 8b; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:41T11; Numéro g MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z18; Numé MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tai MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gé MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant MEMOIRE NVRAM SNAPHAT 256K CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la MEMOIRE EEPROM I2C 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM I2C 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de MEMOIRE EEPROM 8K I2C; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine de la référence:24; Taille mémoire:8 MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage compos MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:M48Z08-100PC1; Numéro MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gén MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM 16K MICROWIRE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine de la MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93S46; Numéro générique:93S46; Racine de la ré MEMOIRE FLASH 512K SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25P05; N MEMOIRE EEPROM 32K SERIE CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC32; Numéro générique:24WC32; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE SRAM 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:M5M51008DFP-70H#BT; Numéro de la fonction logique:5M51008; Numéro générique:5M51008; Racine de la référen MEMOIRE SRAM 64K 5V CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:CY6264-70SNXC; Numéro de la fonction logique:6264; Numéro générique:6264; Racine de la référence:62 MEMOIRE FLASH 16MB SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Temps d'accès:1.4ms; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la foncti MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logi MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction l MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fon MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; N MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE NVRAM/RTCC IIC 64BITX8 CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M41T00M6E; Numéro de la fonction logique:41T00; Numéro générique:41T00; Racine de la MEMOIRE NVRAM/RTCC IIC 512BX8 CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Configuration mémoire:64 x 8b; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M41T56M6E; Numéro de CONNECT.POUR CARTE MEMOIRE SD SANS CAPOT; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:2.5mm; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, co CONNECT.POUR CARTE MEMOIRE CAPOT METAL; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:9; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:40moh MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MEMOIRE SRAM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:M48Z02-150PC1; Numéro MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z58; Numé MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z58; Numér MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM 512K SERIE PAGE 64 OCTETS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC515; Numéro générique:24LC515; Racine de la référence:24; Taille mémoir MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composa MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93LC46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:9 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE NVRAM SNAPHAT 256K CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z35; Numé MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine d MEMOIRE EEPROM 1K I2C; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE FLASH 128MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 128MB 3V 64BGA; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 64BGA; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 128MB 3V 64BGA; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 64MB 3V SPI 16SOIC; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL064P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 1GB 3V 64BGA; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 32MB 3V SPI 8SOIC; Taille mémoire:32Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL032P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M 3V 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL064J MEMOIRE FLASH 32M 3V 48TSOP; Taille mémoire:32Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL032J MEMOIRE FLASH 128MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 64BGA; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 64BGA; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 1GB 3V 56TSOP; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 1GB 3V 64BGA; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 512MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 64BGA; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 64MB 3V SPI 16SOIC; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL129P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M 3V 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:60ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL064J MEMOIRE EEPROM MAX 7000 CPLD 64 44PLCC; Type de CPLD:EEPROM; Nombre de macrocellules:64; Nombre d'E/S:36; Série:MAX 7000; Temps de propagation:15ns; Temps d'installation d'horloge global:11ns; Fréquence:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI logique:PLCC; Nombre de broches:44; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE SRAM 1MBIT 10NS TSOP-2-44; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:64K x 16bit; Temps d'accès:10ns; Gamme de tension d'alimentation:3.135V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-2; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FLASH NAND 1GBIT CMS; Taille mémoire:1Gbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:25è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MEMOIRE EEPROM 64KBIT I2C 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE SRAM 256KBIT 45NS TSOP-28; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Temps d'accès:45ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI WSON-8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-QAF; Type de boîtier:WSON; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH MEMOIRE EPROM CMOS 4MB; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:FDIPW; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C4001; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, 2M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25LF020A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Sé 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminai MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf OPTION. MEMOIRE SEGMENTEE SERIE 3000 X; Type d'accessoire:Segmented Memory Acquisition; A utiliser avec:Oscilloscopes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) OPTION. MEMOIRE 4MPTS POUR SERIE 3000X; Type d'accessoire:Memory Upgrade; A utiliser avec:Oscilloscopes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 100UH 5.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:5.4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:4.6MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 100kHz; Fréquence de résonance:4.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 220UH 3.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:3.5A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:2.8MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.8MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 100UH 7.8A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:7.8A; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.8A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 50kHz; Fréquence de résonance:3.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 220UH 5.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.2MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.5A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.2MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 1.0MH 1.6A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.419ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.2mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:1 INDUCTANCE 1.5MH; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.49ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:1.65MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:130 @ 100kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 15MH; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:49.5ohm; Courant nominal DC:54mA; Facteur Q:145; Fréquence de résonance:510kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:54mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:145 @ 150kHz; Fréquence de résonance:510kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 0.01MH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:1.62A; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.62A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1GHz; Fréquence de résonance:21.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 0.015MH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.35A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:19.4MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.35A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 500kHz; Fréquence de résonance:19.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 470UH 2.3A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.222ohm; Courant nominal DC:2.3A; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14. INDUCTANCE 330UH 4.5A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:4.5A; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.6MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.5A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 150UH 4.0A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.069ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.4MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 50kHz; Fréquence de résonance:3.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14 INDUCTANCE 0.1MH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:670mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:670mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 100kHz; Fréquence de résonance:8.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haute INDUCTANCE 0.47MH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:2.9MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 100kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 2.2MH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8.58ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:1.35MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:130 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hau INDUCTANCE 3.3MH; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:90; Fréquence de résonance:280kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:125 @ 150kHz; Fréquence de résonance:1.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haute INDUCTANCE 33MH; Inductance:33mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:110ohm; Courant nominal DC:36mA; Facteur Q:90; Fréquence de résonance:280kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:36mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:90 @ 50kHz; Fréquence de résonance:280kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11m INDUCTANCE 0.022MH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.08A; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.08A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 500kHz; Fréquence de résonance:17MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haut INDUCTANCE 0.033MH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 500kHz; Fréquence de résonance:11.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.047MH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:770mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:12.8MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 500kHz; Fréquence de résonance:10.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ INDUCTANCE 0.068MH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:770mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:6.8MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 100kHz; Fréquence de résonance:10.6MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 47UH 8.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:8.5A; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:6.7MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 100kHz; Fréquence de résonance:6.7MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 330UH 2.8A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 0.15MH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:520mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:4.4MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:520mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 100kHz; Fréquence de résonance:6.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.33MH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.21ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:125; Fréquence de résonance:1.2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:95 @ 100kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.68MH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.64ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:120; Fréquence de résonance:2.2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:105 @ 100kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hau INDUCTANCE 1.0MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.63ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:200; Fréquence de résonance:1.8MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:170mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:120 @ 100kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haut INDUCTANCE 10MH; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:37.4ohm; Courant nominal DC:63mA; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:620kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:63mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:140 @ 150kHz; Fréquence de résonance:620kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 22UH 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:11A; Facteur Q:64; Fréquence de résonance:9.3MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:64 @ 100kHz; Fréquence de résonance:9.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14 INDUCTANCE 68UH 6.2A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:6.2A; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:5.3MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.2A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 100kHz; Fréquence de résonance:5.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 470UH 4.0A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:20.5m INDUCTANCE 300H 3.0A; Inductance:300è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.6MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14.5m INDUCTANCE 0.22MH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:90 @ 100kHz; Fréquence de résonance:5.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 47MH; Inductance:47mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:154ohm; Courant nominal DC:27mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:250kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:27mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 50kHz; Fréquence de résonance:250kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11m INDUCTANCE 68MH; Inductance:68mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:242ohm; Courant nominal DC:18mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:200kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 50kHz; Fréquence de résonance:200kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11mm; INDUCTANCE DE MODE COMMUN; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Type de boîtier d'inductance:03025; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Impédance:120ohm; Impédance, typique 100MHz:120ohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:03025 INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:530mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:530mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.098ohm; Tolérance +:12.82%; T INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 7.5NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:20; Résistance:0.14ohm; Tolérance +:6.6%; Tolér INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.28ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -: INDUCTANCE SUPPRESSEUR EMI AC; Inductance:5.5è¾H; Résistance DC max.:0.53ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Résistance:530mohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Core Horizontal Type INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 11NH; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.28ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -: INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.476ohm; Tolérance +:5%; Tolérance INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.532ohm; Tolérance +:5%; Tolérance INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.056ohm; Type d'inductance:Ch ICM1 INDUCTANCE SEULE; Type de connecteur:RJ45; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de positions:8; Nombre de ports:1; Terminaison du contact:Traversant angle droit; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:RJ45; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Ports, number of:1 INDUCTANCE SUPPRESSEUR EMI AC; Inductance:3.7mH; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:360mohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Core Horizontal Type INDUCTANCE RF; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:115MHz; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:550mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:550mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE RF; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:55; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:180mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:46MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:195mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:50 INDUCTANCE RF; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:124mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:124mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:50; INDUCTANCE RF; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:9MHz; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:77mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:77mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE RF; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:410MHz; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:380MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE CMS; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:95; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:95 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.252MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:95; Résistance:5ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Tempéra INDUCTANCE; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.5ohm; Tem INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:545mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:145MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:545mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:145MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ INDUCTANCE CMS 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 10NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:1. INDUCTANCE CM30 0.15UH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:600MHz; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:38; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:38 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:430MHz; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 0.56UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:300MHz; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:590mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:590mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:260mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):18A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:15mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE BOBINEE 600Z; Impédance:960ohm; Ferrite Grade:61; Gamme de fréquence:50MHz 500MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:675ohm; Impédance, typique 25MHz:600ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de boîtier d'inductance INDUCTANCE BOBINEE 850Z; Impédance:690ohm; Ferrite Grade:44; Gamme de fréquence:1MHz 200MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:550ohm; Impédance, typique 25MHz:850ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier d'inductanc INDUCTANCE RF; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:75MHz; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:320mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:69MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:91mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:91mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE RF; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:37; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:470mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:37 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:92MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE CMS; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.66ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:26ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:110; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:110 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:110; Résistance:26ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; INDUCTANCE; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Temp INDUCTANCE; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:3ohm; Températ INDUCTANCE; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:7.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:8.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:355mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:355mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:26ohm; Courant nominal DC:62mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:62mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ Vr INDUCTANCE CMS 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance: INDUCTANCE CMS 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.5ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:3.6 INDUCTANCE CM30 0.18UH; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:550MHz; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:140MHz; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:895mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:895mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:80MHz; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.8MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 25MHz; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Quantité par bobine:1000; Résis INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:505mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:505mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Quantité par bobine:1000; Résist INDUCTANCE 8RBS 1.0MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:50mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueu INDUCTANCE 8RBS 5.6MH; Inductance:5.6mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:36ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:700kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:700kHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:910mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:910mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Rés INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:640mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Rés INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.96ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:290mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Rési INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.15ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.8ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0805 330NH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.16ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.16ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:0.85ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:5.8ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de termina INDUCTANCE 1008 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:7.1ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de ter INDUCTANCE 1008 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:475mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:475mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.45ohm; Série:PC; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Typ INDUCTANCE 1008 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:4ohm; Série:PC; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1210 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.8ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.8ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:15ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de terminais INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:7MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:21ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de terminais INDUCTANCE 1210 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:135mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:135mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9.5MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:2.25ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:121 INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1812 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:410mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:410mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.61ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type INDUCTANCE 1812 56.0UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.7ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:4.7ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de ter INDUCTANCE 1812 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:8.8ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:6.7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:6.7MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8.8ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 1812 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:13ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:53ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:53ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termin INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.044ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 18UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.17ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.87ohm; Courant nominal DC:350mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.87ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:250mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:1.8ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE RF; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:90MHz; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:83MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F: INDUCTANCE RF; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:18MHz; Résistance DC max.:5.7ohm; Courant nominal DC:148mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:148mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:45 INDUCTANCE RF; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:510MHz; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:470MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE RF; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:330MHz; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:590mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:590mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:310MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE RF; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 25MHz; Fréquence de résonance:230MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:2 INDUCTANCE RF; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:65MHz; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:260mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:5 INDUCTANCE RF; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:3.8MHz; Résistance DC max.:65ohm; Courant nominal DC:43mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:43mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE CMS; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.062ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.9A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.46ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.97ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:85; Fréquence de résonance:7.8MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1.8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.252MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:80; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..: INDUCTANCE; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:1ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:3ohm; Températ INDUCTANCE CMS 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:665mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:665mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2m INDUCTANCE CMS 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0.1o INDUCTANCE CMS 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistan INDUCTANCE CM30 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:275MHz; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:540mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 25MHz; Fréquence de résonance:275MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.9ohm; Courant nominal DC:216mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:216mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Quantité par bobine:1000; Résista INDUCTANCE CMS; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16.5ohm; Courant nominal DC:118mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:790kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:118mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 790kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:1000; Résistance:16.5 INDUCTANCE AXIAL 1.0UH 2.2A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:190MHz; Fréquence, facteur Q:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 15MHz; Fréquence de résonance:190MHz; Fréquence, mesure d'inductance:15MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur INDUCTANCE AXIAL 2.2UH 1.8A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.8A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 8MHz; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ INDUCTANCE AXIAL 4.7UH 1.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.3A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 8MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE AXIAL 22UH 0.43A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 47UH 0.27A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:270mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 100UH 0.22A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1.5MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, mesure d'inductance:1.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 470UH 0.12A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:20ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:800kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 800kHz; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.8MHz; Longueur cordon:35mm; Lo INDUCTANCE AXIAL 1000UH 0.1A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:30ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:85; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:800kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:85 @ 800kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur INDUCTANCE AXIAL 50UH 3A; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:3MHz; Longueur cordon:18mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Courant, Ic (sat):26A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:32.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:32.5A; Courant, Ic (sat):60A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:1.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 0.2UH; Inductance:200nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3000è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Courant, Ic (sat):41A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15.5A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:10mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):13.5A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:30mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE BOBINEE 650Z; Impédance:1.1kohm; Ferrite Grade:61; Gamme de fréquence:50MHz 500MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance:1kohm; Impédance, typique 100MHz:625ohm; Impédance, typique 25MHz:650ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de bo INDUCTANCE BOBINEE 250Z; Impédance:600ohm; Ferrite Grade:61; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:425ohm; Impédance, typique 25MHz:250ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.3g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Type de montage:Trav INDUCTANCE RF; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:230MHz; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:25; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:350mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:25; Ré INDUCTANCE RF; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance DC max.:28ohm; Courant nominal DC:66mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:66mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; R INDUCTANCE RF; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:3.4MHz; Résistance DC max.:72ohm; Courant nominal DC:41mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:41mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:2.9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.74ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:C INDUCTANCE 8RBS 0.22MH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:150mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lo INDUCTANCE 8RBS 4.7MH; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:32ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:40mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 22MH; Inductance:22mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Fréquence de résonance:300kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:11.2mm; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE 36MH; Inductance:36mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:11.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Série:8RBS; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.2ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 8RBS 12MH; Inductance:12mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:65ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:20mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 47MH; Inductance:47mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:52ohm; Courant nominal DC:13mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:120kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:13mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:120kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noya INDUCTANCE 120MH; Inductance:120mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:97ohm; Courant nominal DC:8mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:80kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:8mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:80kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.4A; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistan INDUCTANCE RF; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:680MHz; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE RF; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:210mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:45 INDUCTANCE CMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:20; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Te INDUCTANCE; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:1ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.95ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:2ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.75ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:2ohm; Tempé INDUCTANCE; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:5ohm; Température INDUCTANCE CMS 0.33UH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:605mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:605mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ V INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ V INDUCTANCE CMS 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CM30 0.39UH; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:365MHz; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:365MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance DC max.:6.7ohm; Courant nominal DC:148mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:148mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:930mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:930mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 25MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Quantité par bobine:1000; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:42MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:620mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:42MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Quantité par bobine:1000; Résista INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:259mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:259mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Iron; Q @ Vr F:55; Quantité par bobine:1000; Résistance INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.5ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.8MHz; Fréquence, facteur Q:790kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 790kHz; Fréquence de résonance:5.8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:1000; Résistan INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:3.55GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.55GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.2ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 10NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.32ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 22NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.5ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inducto INDUCTANCE 0603 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.2ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:395mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Courant dc max:395mA; Fréquence de résonance:2.05GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.39ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1550MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:360mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.51ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 680NH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.02ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:3.02ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 12UH; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.1ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:3.8ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de termi INDUCTANCE 1008 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:2.2ohm; Série:PC; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Typ INDUCTANCE 1210 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.69ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.69ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 1.2UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:215mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:215mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type INDUCTANCE 1210 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.3ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 18.0UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:27MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:27MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 27.0UH; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de ter INDUCTANCE 1210 39.0UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.4ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:6.4ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de ter INDUCTANCE 1210 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:7ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 68.0UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:9ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:240mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.5ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; T INDUCTANCE 1210 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.74ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1210 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:155mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:155mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.65ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6.5MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:5ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1812 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:235mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:235mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:1.8ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termina INDUCTANCE 1812 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:195mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:2.6ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de t INDUCTANCE 1812 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:3.1ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de t INDUCTANCE 1812 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, facteur Q:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1.5MHz; Fréquence de résonance:5.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:11ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 270UH; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.1MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:14ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:31ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.3MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:31ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:39ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:39ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.18ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.6ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:285mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:285mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.86ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 560NH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.69ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.69ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 0805 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.88ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:3.88ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 1008 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:195mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:0.65ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:155mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:155mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:1.05ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:285mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:285mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:43MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.2ohm; Série:PC; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Type INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.95ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 2.7UH; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:75MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.1ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.2ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.6ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termi INDUCTANCE 1210 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:36MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 12.0UH; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.7ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:185mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:185mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.15ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1812 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.88ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:0.88ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de te INDUCTANCE 1812 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:9.7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9.7MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:4.2ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 1812 820UH; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:45ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.4MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:45ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.019ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 2.7UH; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:1.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.8A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.039ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:850mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:850mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.15ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:600mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.38ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.062ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.2A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.087ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.22ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:400mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.77ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:1ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:200mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:2.3ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:1.02mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:420mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.38ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 2200UH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:420mA; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:420mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:F INDUCTANCE AXIAL 10UH 0.75A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 8MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11.4mm; Matériau du noy INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):14A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:20mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):10A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:40mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE BOBINEE 700Z; Impédance:850ohm; Ferrite Grade:44; Gamme de fréquence:1MHz 200MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:580ohm; Impédance, typique 25MHz:700ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier d'inductanc INDUCTANCE 8RBS 0.1MH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:6.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:200mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6.1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 8RBS 0.47MH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lo INDUCTANCE 8RBS 2.2MH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:1.5MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:50mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 8RBS 10MH; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:55ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:600kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:20mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:600kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 27MH; Inductance:27mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:300kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîti INDUCTANCE 56MH; Inductance:56mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:58ohm; Courant nominal DC:12mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:120kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:12mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:120kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noya INDUCTANCE 82MH; Inductance:82mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:71ohm; Courant nominal DC:10mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:90kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:10mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:90kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 100MH; Inductance:100mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:82ohm; Courant nominal DC:9mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:90kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:9mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:90kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.37ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:460mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:1.9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:1.1ohm INDUCTANCE 3.6MH; Inductance:3.6mH; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Courant efficace max.:1A; Diamètre du corps:1.2mm; Inductance, min.:3.6mH; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:17.5mm; Profondeur:16mm; Résistance:0.44ohm; Résistance d'isolement:100Mohm; Température de fonctionnement max..:120°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:300V; Type d'inductance:Common / Asymmetrica INDUCTANCE 0603 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.41ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.55ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Induc INDUCTANCE 0603 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:11 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:0.8ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0603 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:11 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:0.95ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.5ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 120NH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.99ohm; Courant nominal DC:275mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:275mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.99ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 390NH; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.37ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.37ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:135mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:135mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:1.3ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de t INDUCTANCE 1210 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.82ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:85MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:85MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.82ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:16ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1812 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:0.81ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de te INDUCTANCE 1812 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:215mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:215mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:2.1ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termina INDUCTANCE 1812 82.0UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:7.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:5.9ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.095ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.48ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0402 2N0 5%; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1040mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:11.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:1040mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:11.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.07ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 7N5 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:4.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.104ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:4.4GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:4.4GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.104ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 13N 5%; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.21ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 16N 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 30N 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.35GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 33N 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 43N 5%; Inductance:43nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.81ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:2.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.83ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 3N3 5%; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:6GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m INDUCTANCE 0603 7N5 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:31; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation mi INDUCTANCE 0603 33N 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:40; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:2.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0805 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.4GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0805 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 82N 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.42ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 1R0 5%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 50MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:20; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 1008 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 R22 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.84ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:700MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:700MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.84ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 1R0 5%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:370mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:290MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:370mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 50MHz; Fréquence de résonance:290MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:35; Résistance:1.75ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0402 1N0 10%; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:1360mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:1360mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.045ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0402 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.195ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:3.9GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:21; Résistance:0.195ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 20N 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:3GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m INDUCTANCE 0402 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0402 24N 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0402 27N 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.48GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.48GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 36N 5%; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.32GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.32GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.44ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 4N7 5%; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0603 30N 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0805 27N 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.29ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0805 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.65GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.65GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.55GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.34ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 R18 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:870MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:870MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.64ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1008 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:950MHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:650mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:950MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.63ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.91ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.91ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:570MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:570MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.05ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R47 5%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.19ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:470mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.19ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R56 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.33ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:415MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:415MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.33ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R68 5%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.47ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.47ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 153 5%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11.5ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:11.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0402 2N7 5%; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:42MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:10.4GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0402 4N7 5%; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0402 6N8 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.97ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 1N6 5%; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.04ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 3N6 5%; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.063ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 4N3 5%; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.063ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 5N1 5%; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0603 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2.2GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:40; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Ty INDUCTANCE 0603 51N 5%; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:1.9GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:1.7GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.34ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R11 5%; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:32; Fréquence de résonance:1.35GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:32; Résistance:0.61ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:3.8ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; T INDUCTANCE 0603 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.35ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:4.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0805 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 12N 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0805 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.45GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.45GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.38ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.46ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R11 5%; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.48ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 R15 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:920MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:920MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.56ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 0805 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.4ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:560MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:560MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R47 5%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:33; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R82 5%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.35ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:2.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 2R2 5%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 2R7 5%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.95ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.95ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1008 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.4GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 350MHz; Fréquence de résonance:2.4GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 82N 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1008 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:650mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.56ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1008 R18 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:750MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:620mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:750MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.77ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.12ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:470mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:B INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.04ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.51mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:C INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:950mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:950mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.24ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 10 UH 20% 15.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0168ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):15.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:15.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-5 INDUCTANCE 3.3 UH 20% 35A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6800è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):35A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:5.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 8.2 UH 20% 16A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0155ohm; Courant nominal DC:10.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:10.5A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:14.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20% INDUCTANCE 0.4 UH 20% 64A; Inductance:400nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:44A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:44A; Courant, Ic (sat):64A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.68 UH 20% 60A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:35A; Courant, Ic (sat):60A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:1.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 1 UH 20% 40A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:3.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'i INDUCTANCE 3.3 UH 20% 27A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):27A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:11mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.33 UH 20% 62A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:36.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:36.5A; Courant, Ic (sat):62A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; INDUCTANCE 1.2 UH 20% 48A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Courant, Ic (sat):48A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:2.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 6.8 UH 20% 16.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):16.5A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:13.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -: INDUCTANCE 0.33 UH 20% 65A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:46A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:46A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.83mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 0.82 UH 20% 50A; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1900è¾ohm; Courant nominal DC:33A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:33A; Courant, Ic (sat):50A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:1.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 5.6 UH 20% 26.5A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):26.5A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:9.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20 INDUCTANCE 0.22 UH 20% 112A; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:700è¾ohm; Courant nominal DC:53A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:53A; Courant, Ic (sat):112A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 10 UH 20% 14A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:30.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d' INDUCTANCE 1.8 UH 20% 30A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):30A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:6.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; INDUCTANCE 4.7 UH 20% 24A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):24A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:14.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 8.2 UH 20% 16A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:24.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 8.2NH 320MA 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.35ohm; Série:RF; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type de boîti INDUCTANCE 3.3 UH 1.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.3A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 6.8 UH 0.96A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:960mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:960mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 3.9NH 360MA 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.2GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:360mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.2GHz; Q @ Vr F:20; Résistance:0.15ohm; Série:RF; Tolérance +:7.69%; Tolérance -:7.69%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type INDUCTANCE 6.8NH 320MA 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Courant dc max:320mA; Fréquence de résonance:4GHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.3ohm; Série:RF; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 3.3UH 5.2A 0.016 OHMS; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:5.2A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 680UH 0.64A 0.780 OHMS; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.78ohm; Courant nominal DC:640mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:640mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.78ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; INDUCTANCE 4.7UH 4.6A 0.019 OHMS; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:4.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:4.6A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 100UH 1.7A 0.110 OHMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.7A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.11ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type d INDUCTANCE 820UH 0.62A 0.870 OHMS; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.87ohm; Courant nominal DC:620mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:620mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.87ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; INDUCTANCE 1500UH 0.43A 1.7 OHMS; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Typ INDUCTANCE 150UH 2.70A 0.072 OHMS; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:2.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.5mm; Courant dc max:2.7A; Diamètre de la broche:5mm; Diamètre du corps:18mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:1mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 10 UH 0.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:800mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 1.5 UH 1.8A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.079ohm; Courant nominal DC:1.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.8A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.09ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 33 UH 0.44A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:440mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:440mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 4.7 UH 1.1A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.14ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 0402 2N2 5%; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:960mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:10.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:960mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:10.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.07ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 3N3 5%; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.066ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0402 3N9 5%; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:5.8MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.066ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 6N2 5%; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 12N 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.6GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.172ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.28GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.28GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.172ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 0402 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0402 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.12ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.62GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:1.62GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:1.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 3.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 3.9NHè…0.3NH 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 4.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.21ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 5.6NHè…0.3NH 0402; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.26ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 6.8NHè…5% 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.29ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 7.5NHè…5% 0402; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 0603 1N8 5%; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12.5GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.045ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance + INDUCTANCE 0603 2N2 5%; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:6GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min INDUCTANCE 0603 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 8.2NHè…5% 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.33ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 27NHè…5% 0402; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.67ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 39NHè…5% 0402; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.06ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.06ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 68NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 82NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:245MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:245MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 150NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 220NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 330NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.85ohm; Température de fonctionne INDUCTANCE 0603 8N7 5%; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 16N 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:47MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0603 24N 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:36; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 36N 5%; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:38; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:1.9GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:34; Résistance:0.58ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.3GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:32; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:32; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0805 6N8 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 470NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.35ohm; Température de fonctionne INDUCTANCE 680NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 1500NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionnemen INDUCTANCE 1800NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.95ohm; Température de fonctionnem INDUCTANCE 0805 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0805 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.51ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R22 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:850MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R30 5%; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:620MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:620MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R56 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.9ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:340MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:340MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:1.9ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 R68 5%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:2.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 1R2 5%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 25MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:18; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 1R8 5%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1008 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 1R5 5%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:28; Résistance:2.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1008 8R2 5%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:6ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1008 103 5%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:9ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 1.0NHè…0.1NH 0201; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utili INDUCTANCE 1.2NHè…0.1NH 0201; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:8.33%; Tolérance -:8 INDUCTANCE 27NHè…3% 0201; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:2.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d'i INDUCTANCE 39NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:490mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:490mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité p INDUCTANCE 56NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité pa INDUCTANCE RF 1.5NH 0603; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Fréquence de résonance:10GHz; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1000A; Facteur Q:26; Fréquence, facteur Q:450MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000A; Fréquence de résonance:10GHz; Q @ Vr F:26; Résistance:0.06ohm; Série:Accu-L; Tolérance +:6.67%; Tolérance -:6.67%; Type d'inductance:Multi Layer Thin Film; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 4.7NHè…0.3NH 0402; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 220UH 1.1A 0.210 OHMS; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:1.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.1A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE 560UH 0.68A 0.560 OHMS; Inductance:560è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:680mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:680mA; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.56ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Typ INDUCTANCE 330UH 1.0A 0.350 OHMS; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.35ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type de INDUCTANCE 390UH 0.95A 0.400 OHMS; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:950mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:950mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.4ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Ty INDUCTANCE 100UH 3.20A 0.057 OHMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.5mm; Courant dc max:3.2A; Diamètre de la broche:5mm; Diamètre du corps:18mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:1mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.05ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 6.2NHè…0.3NH 0402; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.27ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 10NHè…5% 0402; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 18NHè…5% 0402; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.51ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 33NHè…5% 0402; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.67ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 47NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:260MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:260MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 270NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:136MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:136MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 390NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 1.2NHè…0.2NH 0201; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:16.67%; Tolérance -: INDUCTANCE 2.3NHè…0.1NH 0201; Inductance:2.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:4.35%; Tolérance -:4.3 INDUCTANCE 2.8NHè…0.1NH 0201; Inductance:2.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3.57%; Tolérance -:3.5 INDUCTANCE 5.1NHè…3% 0201; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d INDUCTANCE 18NHè…5% 0201; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'i INDUCTANCE 47NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité pa INDUCTANCE 100NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quanti INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.127ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Courant efficace max.:1.4A; Courant, Ic (sat):1.25A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.215ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.15A; Courant, Ic (sat):0.74A; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F: INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.027ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:3.2A; Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:8; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1A; Courant, Ic (sat):0.48A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:12; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.5A; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Courant efficace max.:3.5A; Courant, Ic (sat):2.7A; Facteur Q @ Fréquence:27 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.287ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Courant efficace max.:1A; Courant, Ic (sat):0.8A; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (extern INDUCTANCE 1.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 1.1NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 2.2NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 2.4NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 2.7NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 3.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 5.1NHè…0.3NH 0402; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.24ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 22NHè…5% 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.58ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 47NHè…5% 0402; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; INDUCTANCE 56NHè…5% 0402; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 82NHè…5% 0402; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 120NHè…5% 0402; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 1000NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 22NHè…3% 0201; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:2.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d INDUCTANCE 2.2 UH 20% 40A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:22A; Courant, Ic (sat):40A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:3.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 4.7 UH 20% 30A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0112ohm; Courant nominal DC:13.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):30A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:9.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0.1 UH 20% 120A; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:500è¾ohm; Courant nominal DC:60A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:60A; Courant, Ic (sat):120A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.47mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Ty INDUCTANCE 2.2 UH 20% 29A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):29A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:7.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 5.6 UH 20% 19A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):19A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:18.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 6.8 UH 20% 18A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:19.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.6 UH 20% 51A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2200è¾ohm; Courant nominal DC:29A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:29A; Courant, Ic (sat):51A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:1.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE KIT LAB; Contenu du kit:Shielded SMD Power Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:3 chacune - 18 valeurs de 1è¾H 220è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:20mm; Inductance, min.:0.8mH; Largeur (externe):210mm; Profondeur:100mm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.139ohm; Courant nominal DC:1.25A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.25A; Courant efficace max.:1.25A; Courant, Ic (sat):1.2A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Courant efficace max.:1.2A; Courant, Ic (sat):1A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (ext INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.055ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:3017; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.8A; Courant, Ic (sat):1.45A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Maté INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.4ohm; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.24A; Courant, Ic (sat):0.28A; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:20; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.25A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5018; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.25A; Courant efficace max.:1.25A; Courant, Ic (sat):1.05A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Larg INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5018; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.95A; Courant, Ic (sat):0.8A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):5.2mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Matéri INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Courant efficace max.:2.8A; Courant, Ic (sat):2.1A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeu INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.285ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Courant efficace max.:0.7A; Courant, Ic (sat):0.62A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.057ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:6025; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:2A; Courant, Ic (sat):1.05A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.13ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:6025; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.6A; Courant, Ic (sat):0.7A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matéri INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.42A; Courant, Ic (sat):0.24A; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:20 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:3.4A; Courant, Ic (sat):2.35A; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:29; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Courant efficace max.:4A; Courant, Ic (sat):3.70A; Facteur Q @ Fréquence:29 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (e INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Courant efficace max.:2.8A; Courant, Ic (sat):2.4A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3UH; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.135ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.5A; Courant, Ic (sat):0.87A; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:8; Ré INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.65ohm; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.31A; Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:15 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 6UH; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2016; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.9A; Courant, Ic (sat):0.63A; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0224ohm; Courant nominal DC:3.8A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Courant efficace max.:3.8A; Courant, Ic (sat):3.1A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.66ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1206; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Courant efficace max.:0.6A; Courant, Ic (sat):1.00A; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):12.7mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du INDUCTANCE 390UH 0.8A 0.400 OHMS; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:800mA; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.4ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type d INDUCTANCE 1000UH 0.57A 1.1 OHMS; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:570mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.1ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 100UF 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.163ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.163ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0172ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0656ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0656ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20% 1.9A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.9A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.044ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 10UH 20% BOITIER 1210; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.133ohm; Courant nominal DC:760mA; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Fréquence de résonance:23MHz; Résistance:0.1729ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210 INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0398ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0398ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UF 25%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.249ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.249ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 4.7 UH 20% 6.8A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.0155ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.8A; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB S INDUCTANCE 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1787ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1787ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0824ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0824ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1107ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1107ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.045ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE 1MH 4A; Inductance:1mH; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 200UH 25%; Inductance:200è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.963ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.963ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.3795ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UH 20% 3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UH 20% 3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:Power Inductor INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1177ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1177ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.199ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.199ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:20ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 99.23UH 20%; Inductance:99.23è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.302ohm; Courant nominal DC:920mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:920mA; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.302ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 1.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6000MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max. INDUCTANCE 1.5NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6000MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max. INDUCTANCE 1.6NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 1.8NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 2.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 12NHè…5% 0402; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.41ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 68NHè…5% 0402; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 100NHè…5% 0402; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 560NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.55ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.55ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 2200NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.15ohm; Température de fonctionnem INDUCTANCE 3.1NHè…0.1NH 0201; Inductance:3.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3.23%; Tolérance -:3.2 INDUCTANCE 4.7NHè…5% 0201; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d' INDUCTANCE 6.8NHè…5% 0201; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d' INDUCTANCE 17NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:17nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:650mA; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:2000; Résistance:0.037ohm; Température de fonc INDUCTANCE RF 6.8NH 0603; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:4.5GHz; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:300A; Facteur Q:23; Fréquence, facteur Q:450MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300A; Fréquence de résonance:4.5GHz; Q @ Vr F:23; Résistance:0.3ohm; Série:Accu-L; Tolérance +:2.94%; Tolérance -:2.94%; Type d'inductance:Multi Layer Thin Film; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE HAUTE FREQ 220NH 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:860MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:860MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:1ohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 10.6UH 20%; Inductance:10.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.527ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.527ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0189ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0189ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 25%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.02ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 120UH 10% 5.8A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:39mohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 150UH 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.591ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.591ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 19.6UH 20%; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.146ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.146ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 1UH 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0102ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0102ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0165ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 3.5UH 30% 5.5A; Inductance:3.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0115ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.5A; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:14; Résistance:11.5mohm; Type d'inductance:Power Ind INDUCTANCE 33UH 10% 1.1A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:10.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:2120 INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4600è¾ohm; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Résistance:0.0046ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 5UH 25%; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:4.34A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:4.34A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.021ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 6UH 15% 33.8A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2170è¾ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Résistance:0.00217ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE FORT COURANT 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Résistance:0.0072ohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE FORT COURANT 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:4.5A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.5A; Courant efficace max.:4.5A; Courant, Ic (sat):3.7A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:3017; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.98A; Courant, Ic (sat):1.7A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Ma INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.54ohm; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.21A; Courant, Ic (sat):0.36A; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:18 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.042ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:2.2A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2mm; Q @ Vr F:8; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:2.7A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Courant efficace max.:2.7A; Courant, Ic (sat):2A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (e INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.192ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Courant efficace max.:1.2A; Courant, Ic (sat):1A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (ext INDUCTANCE 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.383ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.383ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0489ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0489ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0247ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0247ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 19.6UH 20%; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.055ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 10UH 10% 100MA BOITIER 0805; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:120mA; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:120mA; Fréquence de résonance:32MHz; Résistance:0.65ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0126ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0126ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 2.2UH 30% 6.5A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:6.8A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.8A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:12; Résistance:7.7mohm; Type d'inductance:Power Induc INDUCTANCE 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.143ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.143ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0467ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0467ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 9.6UH 20% 5.4A; Inductance:9.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.4A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 0402 6.8NH +/- 0.1NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.9ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 10NH +/- 0.1NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.3ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1200MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.7ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:0.28ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:14MHz; Résistance:3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:340mA; Fréquence de résonance:31MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:340mA; Fréquence de résonance:31MHz; Résistance:0.65ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.12è¾H 20%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:970mA; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:970mA; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance:0.08ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 215NH 10%; Inductance:215nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:520mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:520mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:430MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.11ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 500NH 10%; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:270MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:270MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.44ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 12è¾H 10%; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 18è¾H 10%; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:3.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 39è¾H 10%; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.2ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:7.2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 56è¾H 10%; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8.9ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8.9ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 8.2è¾H 10%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.56è¾H 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.61ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1080mA; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1080mA; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:0.08ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 68è¾H 10%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:8.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:8.4MHz; Résistance:1.7ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 1.8è¾H 20%; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:4MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:6.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 100è¾H 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Résistance:0.86ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 150è¾H 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.9ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Résistance:1.9ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 2200è¾H 20%; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:21.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Résistance:21.5ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 2.2è¾H 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.029ohm; Courant nominal DC:3200mA; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3200mA; Fréquence de résonance:80MHz; Résistance:0.029ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 33è¾H 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:2700mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2700mA; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:0.041ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 220è¾H 20%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:350mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Fréquence de résonance:4MHz; Résistance:0.79ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 33è¾H 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:860mA; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 3.3è¾H 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:2600mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2600mA; Fréquence de résonance:40MHz; Résistance:0.022ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 22UH 2A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.241ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:7.23mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.0mm; Résistance:241ohm; Température de fonctionnement max..:+155°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 8.2UH. 3.7A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.7A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:18mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 4.7UH. 2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.042ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 22UH. 0.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 33UH. 0.7A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 220UH. 0.28A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:280mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.4ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 120UH. 0.35A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.75ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 18UH. 0.1A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:100mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 8.2UH. 1.4A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.061ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.37UH. 24A; Inductance:370nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4mm; Résistance:1.1mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:10 x 11; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.6UH. 30A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:14.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5mm; Résistance:1.1mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 14; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH. 1.6A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:4.8A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):8mm; Longueur/hauteur:8.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5.4mm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:8 x 8; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0.19UH 20% 90A; Inductance:190nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:950è¾ohm; Courant nominal DC:40A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:40A; Courant, Ic (sat):90A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:0.875mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.56UH 20% 49A; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1800è¾ohm; Courant nominal DC:27.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:27.5A; Courant, Ic (sat):49A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 4.7UH 20% 17A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):17A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:15mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.24UH 20% 44A; Inductance:240nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:950è¾ohm; Courant nominal DC:33A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:33A; Courant, Ic (sat):44A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:0.85mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 2UH 20% 14A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5800è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):14A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:5.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductanc INDUCTANCE 6.8UH 20% 7.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0193ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):7.5A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:17.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 100UH 20% 2.25A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:2.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):2.25A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:249mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 0402 15NH 2%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.8ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 2.9NH +/- 0.1NH; Inductance:2.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.05nH; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.4ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 95NH 10%; Inductance:95nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:790mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.047ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 750NH 10%; Inductance:750nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.79ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 15è¾H 10%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 1.0è¾H 10%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.49ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.49ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.1ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 27è¾H 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 5.6è¾H 10%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:115mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:115mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:28MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Fréquence de résonance:6.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6.8MHz; Résistance:2.2ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 150è¾H 10%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Résistance:3.5ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 330è¾H 10%; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:3.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:3.6MHz; Résistance:6.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 10000è¾H 20%; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:100ohm; Courant nominal DC:50mA; Fréquence de résonance:0.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Fréquence de résonance:500kHz; Résistance:100ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 470è¾H 20%; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.4ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:2.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Fréquence de résonance:2.4MHz; Résistance:5.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:1600mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1600mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.036ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 1.5è¾H 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:3800mA; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3800mA; Fréquence de résonance:110MHz; Résistance:0.016ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 22è¾H 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1100mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1100mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.087ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 330è¾H 20%; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 68è¾H 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:7.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:7.6MHz; Résistance:0.29ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 0806 5.6è¾H 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 10UH. 3.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:23mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 12UH. 2.3A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:25mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 3.3UH. 5.35A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:5.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.35A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 6.8UH. 1.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.5A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.052ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 12UH. 1.2A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.071ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 150UH. 0.365A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:365mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:365mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.86ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.06UH. 16A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2240è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):22A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:2.24mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 2.45UH. 12A; Inductance:2.45è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4920è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:4.92mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.3UH. 17.5A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1560è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Profondeur:9mm; Résistance:1.56mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17 INDUCTANCE 2.2UH 20% 25.6A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):25.6A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:8.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 10UH 20% 12A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0365ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.8A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:33.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1UH 20% 20A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:25A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:2.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductanc INDUCTANCE 10UH 20% 7.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0305ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7.1A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:27.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i KIT LAB. INDUCTANCE 3650 0603 KIT LAB. INDUCTANCE 3650 0805 INDUCTANCE 1.4UH 20A; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:20A; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Largeur (externe):10.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:6.50mm; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:+130°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE 0402 5.6NH +/- 0.1NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.7ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 7.5NH +/- 0.1NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 8.2NH +/- 0.1NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 68NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.8ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.85ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 10è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:1.3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.22è¾H 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance:0.1ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.47è¾H 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:180MHz; Résistance:0.15ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 290NH 10%; Inductance:290nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:360MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:360MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.17ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 10è¾H 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.5ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:7MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:12ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 2.2è¾H 10%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 33è¾H 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 6.8è¾H 10%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.82è¾H 10%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.73ohm; Courant nominal DC:185mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:185mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:120MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.73ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 220è¾H 10%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:110mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Résistance:4ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 2.7è¾H 20%; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9.7ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Fréquence de résonance:3.3MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:9.7ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 47è¾H 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 0806 33è¾H 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:28MHz; Résistance:2.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 100UH. 1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:18mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 5.1UH. 4.35A; Inductance:5.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.35A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 15UH. 1.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:1.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.096ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 47UH. 0.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 10UH. 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.3A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 1UH. 3.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 2.7UH. 2.4A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 68UH. 0.5A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.52ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 27UH. 0.8A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.26ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.5UH. 27A; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:800è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:27A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:14.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5mm; Résistance:0.8mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 14; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.71UH. 14A; Inductance:1.71è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):20A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:3.3mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.7UH. 22.6A; Inductance:700nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:22.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:22.6A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Profondeur:9mm; Résistance:1mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17 INDUCTANCE 0.36UH 20% 60A; Inductance:360nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1400è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:31.5A; Courant, Ic (sat):60A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 1.5UH 20% 27.5A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5800è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):27.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:5.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 6.8UH 20% 13.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0233ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):13.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:21.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.78UH 20% 22A; Inductance:780nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1900è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:27A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 1.8UH 20% 16A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 4.7UH 20% 7.6A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0142ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):7.6A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:12.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 15UH 20% 6A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:6.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.25A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:40.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 22UH 20% 4.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:60.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 0402 12NH 2%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.6ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:3.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 22NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.6ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.2ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:80mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:12ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 2.2è¾H 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:0.41ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 145NH 10%; Inductance:145nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.061ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 390NH 10%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.26ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 610NH 10%; Inductance:610nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:240MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:240MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.48ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 1.2è¾H 10%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.9ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 3.3è¾H 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 3.9è¾H 10%; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.5ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 4.7è¾H 10%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:31MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1210 10è¾H 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:650mA; Fréquence de résonance:23MHz; Résistance:0.24ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 15è¾H 10%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:570mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:570mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.6ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:1.1ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.093ohm; Courant nominal DC:1700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.093ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 15è¾H 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1400mA; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1400mA; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:4000mA; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4000mA; Fréquence de résonance:150MHz; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 22è¾H 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1200mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1200mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.19ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 6.8è¾H 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:2000mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2000mA; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance:0.074ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 47è¾H 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:760mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:2200mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2200mA; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:0.025ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 0806 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:225mA; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:225mA; Fréquence de résonance:48MHz; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:7.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:38.48è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.057ohm; Série:ECONO-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.2A; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.014ohm; Série:OCTA-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUIS. CMS 22UH 25MA; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 1MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:1400mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de b INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 1.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:10; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:De puissanc INDUCTANCE PUIS. CMS 470UH 0.22A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.9ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:30; Résistance:4.9ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 10A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Courant nominal DC:10A; Facteur Q:53; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2207; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Facteur Q @ Fréquence:53 @ 5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:53; Résistance:17.2mohm; Type d'inductance:De puissance; Typ INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.168ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6.2MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2207; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 2MHz; Fréquence de résonance:6.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:18; Résistance:168mohm; Type d'inductance:De puissance; Type INDUCTANCE PUIS. CMS 47UH 730MA; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:730mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:730mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:De pu INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 4.80A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0136ohm; Courant nominal DC:4.8A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:10; Résistance:13.6mohm; Type d'inductance:De INDUCTANCE DE LIGNE 1.0UH. 7.5A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.006ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 4.7UH. 4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.018ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 1000UH. 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.84ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.84ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 5 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.0117ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:14.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:5.9mm; Fréquence de résonance:60MHz; Longueur cordon:14.8mm; Longueur/hauteur:20.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11.7mohm; Série:WE-SD; Ty INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 15.0 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:24.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15A; Diamètre du corps:10mm; Diamètre, extérieur:12mm; Fréquence de résonance:45MHz; Longueur cordon:24.9mm; Longueur/hauteur:30mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.5mohm; Série:WE-SD; T INDUCTANCE CMS 1UH. 1.9A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.9A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.63A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.55ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 0.47UH. 2.8A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.029ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 10UH. 0.74A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Fréquence de résonance:45MHz; Résistance DC max.:0.205ohm; Courant nominal DC:740mA; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:740mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.185ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH. 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.106ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH. 0.23A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.89ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.6UH. 3A; Inductance:2.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.022ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 100UH. 0.45A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.36ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 47UH. 0.73A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:730mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:730mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.237ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH. 0.55A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:550mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.44ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.18UH. 8.5A; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.00351ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.135ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.11ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.255ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:10.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10.5A; Courant, Ic (sat):12.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.21A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.21A; Courant, Ic (sat):1.43A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.185ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.53ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:430mA; Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.43ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:9.3A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:9.3A; Courant, Ic (sat):13A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.007ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:5.3A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5.3A; Courant, Ic (sat):6.5A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):3.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:192MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.6A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.165ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:850mA; Courant, Ic (sat):0.74A; Fréquence de résonance:16.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.5ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1.06ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:650mA; Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.95ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):2.75A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.042ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:850mA; Courant, Ic (sat):1A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.315ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:740mA; Fréquence de résonance:10.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:740mA; Courant, Ic (sat):0.84A; Fréquence de résonance:10.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.427ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.18ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:300mA; Courant, Ic (sat):0.31A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.73ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:220mA; Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.5ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.41A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.41A; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:790mA; Courant, Ic (sat):0.75A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.29ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.45A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:118mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.235ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:204mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:26mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:78mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:860mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:260mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:720mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 0.12UH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.5mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:8.2A; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.2A; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.4mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:80mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:120mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:770mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:208mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:467mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.45A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:95mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.19A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:138mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:810mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:810mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:300mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.73ohm; Courant nominal DC:670mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:670mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:451mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.48ohm; Courant nominal DC:440mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:440mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:969mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Fréquence de résonance:38MHz; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.056ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.16ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:190mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.038ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.029ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:43MHz; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD3 INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:550mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.456ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.75ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.059ohm; Courant nominal DC:3.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.048ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.097ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.085ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.207ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.151ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:92mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:176mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:5580mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:142.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.59ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:447.6mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1315mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:210mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:326mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:633mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28.8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.268ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:4.87MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:223mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.388ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:3.97MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:323mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:1.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1506mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.62UH; Inductance:620nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3450è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:2.89mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.45UH; Inductance:1.45è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5600è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:48MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 3.5UH; Inductance:3.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3100è¾ohm; Courant nominal DC:22.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.1mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:18.5A; Fréquence de résonance:24MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18.5A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:4.1mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.4UH; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2600è¾ohm; Courant nominal DC:23A; Fréquence de résonance:45MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:23A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:2.6mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 3UH; Inductance:4.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0141ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:14mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 71.5NH; Inductance:72nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:155MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:155MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 1.0MH 2.0A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:45mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 4.0MH 1.5A; Inductance:4mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:140mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.7A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Résistance:350mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:35mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 1A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:360mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 0.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Résistance:540mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 2.2MH 6A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Résistance:20mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 6A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Résistance:25mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 1.3MH 20A; Inductance:1.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4700è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Résistance:4.7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 6.8MH 0.8A; Inductance:6.8mH; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.48ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.6A; Inductance:10mH; Résistance DC max.:0.72ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.72ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 6.8MH 0.7A; Inductance:6.8mH; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.47ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 22MH 0.4A; Inductance:22mH; Résistance DC max.:1.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.64ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT KIT CONCEPTION INDUCTANCE DE PUISSANCE; Contenu du kit:WE-PD, WE-PD2, WE-PD3 & WE-PD4 Series SMD Power Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1è¾H 470è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Inductance Tolerance:è… 4%; Type de boîtier:CMS KIT INDUCTANCE CMS; Contenu du kit:WE-TPC Type 4828, 5818, 5828 Series SMD Power Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1.2è¾H 22è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:De choc; Type de boîtier: INDUCTANCE; Inductance:500mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:736ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:53; Fréquence de résonance:52kHz; Fréquence, facteur Q:25kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:53 @ 25kHz; Fréquence de résonance:52kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:53; Résistance:736ohm; Type d'inductance:De choc; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:32.86è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:960mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:960mA; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.083ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.143ohm; Courant nominal DC:2.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.143ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.41ohm; Courant nominal DC:450mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:450mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.41ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE; Inductance:9.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.047ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE; Inductance:3mH; Inductance Tolerance:+50%, -30%; Résistance DC max.:0.205ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:0.205ohm; Type d'inductance:De choc INDUCTANCE MULTICOUCHE CMS; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:0.6ohm; Série:LF LK; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE BOBINEE HF; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Diamètre, extérieur:1mm; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.55mm; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:5ohm; Type INDUCTANCE MODE COM 90R 0.3A; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Impédance:90ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductance mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 450R 0.35A; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:150mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Impédance:450ohm; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2520 INDUCTANCE MODE COM 160R 0.35A; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:360mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:360mA; Impédance:160ohm; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2.5mm; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:3225 INDUCTANCE MODE COM 80R 0.4A; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:360mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:360mA; Impédance:80ohm; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2.5mm; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:3225 INDUCTANCE MODE COM 900R 2A; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4520; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2A; Impédance:900ohm; Largeur (externe):4.7mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.06ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Common Mode Choke; Type de boîtier:4520 INDUCTANCE 0.56UH 0603 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:230MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:230MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu INDUCTANCE 0.68UH 0603 10%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 0.12UH 0805 10%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 0.15UH 0805 10%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:410MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:410MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 0.33UH 0805 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:270MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:270MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 5.6UH 0805 10%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 4MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:75; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util INDUCTANCE HF 33NF 0201; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:17; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Mu INDUCTANCE HF 47NF 0201; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:12; Résistance:1.48ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 22NH 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.46ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 18NF 0603; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.16ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1NF 0603; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:20GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:20GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.03ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 3.9NF 0603; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 47NF 0603; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.35ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 4.7NF 0603; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:6.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.08ohm; Type d' INDUCTANCE HF 5.6NF 0603; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:6.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.08ohm; Type d' INDUCTANCE HF 100NH 0603; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.64ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 10NF 0402; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:5.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.23ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 12NF 0402; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 18NF 0402; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.38ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 22NF 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.46ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 47NF 0402; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.74ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.015UH 1210; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:19 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.16ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 220UH 1210; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:21ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 270UH 1210; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:28ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:28ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 39UH 1210; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.4ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:6.4ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 5.6UH 1210; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 82UH 1210; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:10ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.39UH 1210; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 5.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:12.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 7.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:7.5A; Type de boîtier d'inductance:12560; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7.5A; Résistance:12.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12560 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 5.4A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.5A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5.5A; Résistance:10mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 3.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:3.5A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:3.5A; Résistance:26mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.44A; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.44A; Résistance:0.052ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 27UH A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.496ohm; Courant nominal DC:480mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:480mA; Résistance:0.451ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.059ohm; Courant nominal DC:1.72A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.72A; Résistance:0.054ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.52A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.52A; Résistance:0.071ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH 0.9A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Résistance:0.292ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 33UH 0.62A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.717ohm; Courant nominal DC:620mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:620mA; Résistance:0.597ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 22UH 0.33A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:330mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:330mA; Résistance:1.3ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1A; Résistance:0.1ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 47UH. 1.53A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:1.53A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.53A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:94mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 6.8UH. 4A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:16mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 100UH. 0.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.68ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 1.5UH. 3.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.024ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 3.3UH. 2.2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.034ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 330UH. 0.24A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:240mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:240mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.7ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.6UH. 21A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1560è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4mm; Résistance:1.56mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:10 x 11; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 7.2UH. 12A; Inductance:7.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3310è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Matériau du noyau:Mn Core; Profondeur:9mm; Résistance:3.31mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 48UH. 1A; Inductance:48è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.156ohm; Courant nominal DC:2.9A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:7.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5.4mm; Résistance:156mohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:7 x 7; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 2.5UH. 5.6A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:18.1A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4.95mm; Résistance:7.73mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:10 x 10; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 1UH 20% 36A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Courant, Ic (sat):36A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:3.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 3.3UH 20% 18.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0118ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):18.6A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:13.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 5.6UH 20% 16A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0193ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:17.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.47UH 20% 30A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1680è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Courant, Ic (sat):30A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.53mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 47UH 20% 3A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:132mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inducta INDUCTANCE TOROIDALE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:8.64mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Résistance:0.12ohm; Série:2100; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:Radial Leaded INDUCTANCE CMS 12.6UH; Inductance:12.6è¾H; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:4.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:4.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0077ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 41.5UH; Inductance:41.5è¾H; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:1.89A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.89A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Série:SD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:1.84A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.84A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0741ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 12.2UH; Inductance:12.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.145ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 17.5A 470NH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Résistance:4.2mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:2525CZ INDUCTANCE 3A 1MH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Résistance:105mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE 4.5A 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Résistance:60mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0501ohm; Courant nominal DC:4.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.2A; Courant, Ic (sat):9.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:45.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de KIT INDUCTANCE; Contenu du kit:10 x 25 values; Gamme de valeurs d'inductance:10 chacune - 25 valeurs de 0,1è¾H 1mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:24è¾H; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.376ohm; Courant nominal DC:2.43A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.43A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:376mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0925ohm; Courant nominal DC:2.13A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.13A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:92.5mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.48A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.48A; Fréquence de résonance:64MHz; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3015 INDUCTANCE MULTI-COUCHE CMS; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 50MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12; Résistance:1.4ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard INDUCTANCE; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12; Résistance:0.13ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard; Type de boît INDUCTANCE BOBINEE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:16MHz; Résistance:4.81ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:23.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2451ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.2541ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0391ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE PUIS. CMS 47UH 80MA; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 0.48A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:40; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 68UH 1.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0906; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:20; Résistance:0.31ohm; Type d'inductance:De puissanc INDUCTANCE PUIS. CMS 68UH 680MA; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:15; Résistance:0.52ohm; Type d'inductance:De pu INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 2.2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:De choc; Type de INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1005; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:48; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE DE LIGNE. 22UH. 2.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.055ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 470UH. 0.43A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.89ohm; Courant nominal DC:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.89ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 10000UH. 0.14A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:24ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:24ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 2.5 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.033ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:13.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:4mm; Diamètre, extérieur:4.6mm; Fréquence de résonance:45MHz; Longueur cordon:13.5mm; Longueur/hauteur:18.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:33mohm; Série:WE-S INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 15.0 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:8mm; Fréquence de résonance:85MHz; Longueur cordon:17.5mm; Longueur/hauteur:25.7mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7mohm; Série:WE-SD; T INDUCTANCE CMS 4.7UH. 0.9A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.265ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.28A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.76ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.58ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 100UH. 0.25A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.4ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.93ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1.0UH. 2.7A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:177MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Fréquence de résonance:177MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 100UH. 0.3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.06ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 1.2UH. 3.1A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3.1A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.1A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.017ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 470UH. 0.24A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.31ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 1.2UH. 3A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH. 0.77A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:770mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.47ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH. 0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH. 0.82A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.22ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 220UH. 0.3A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.92ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 1UH. 4.8A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:+20%, -40%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.47UH. 7A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7800è¾ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7A; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0058ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 4.7UH. 3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.037ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 22UH 1.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.166ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.33ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.53ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 5UH; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:4.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0165ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.75A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.132ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.57ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.15ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.65ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):11A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:21.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Fréquence de résonance:21.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.018ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1.2UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):16.6A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:6.2A; Courant, Ic (sat):6.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:6.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.3A; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:6.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2.4A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.102ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 180UH; Inductance:180è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:4.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.4A; Courant, Ic (sat):1.6A; Fréquence de résonance:4.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.188ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.3A; Courant, Ic (sat):1.49A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.247ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.46ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:700mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.84ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.8A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.046ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:2.1A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.1A; Courant, Ic (sat):2.7A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.151ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 1500UH; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:0.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:900mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:900kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.8ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.9A; Courant, Ic (sat):1.6A; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.51A; Fréquence de résonance:20.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.51A; Courant, Ic (sat):1.75A; Fréquence de résonance:20.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:620mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:620mA; Courant, Ic (sat):0.76A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.585ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9.44ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:200mA; Courant, Ic (sat):0.18A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:5.57ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:5.3A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:5.3A; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.081ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.6A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.07ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.03A; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.19ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.88ohm; Courant nominal DC:520mA; Fréquence de résonance:6.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:520mA; Courant, Ic (sat):0.63A; Fréquence de résonance:6.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.529ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.01ohm; Courant nominal DC:290mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:290mA; Courant, Ic (sat):0.34A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:200mA; Courant, Ic (sat):0.25A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.27ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:261mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.117ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:754mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:56mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.04A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.04A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:51mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.014ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.9A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.248ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.481ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:480mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.62ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:30.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Fréquence de résonance:30.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.034ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.048ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:14.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:14.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:680mA; Fréquence de résonance:5.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Fréquence de résonance:5.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.373ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.683ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.048ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.03ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.138ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.105ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.293ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.209ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.059ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:63mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:121mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:255mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1080mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14.6mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:26mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:253mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.9ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2940mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:4.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:21mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:30mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:76mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:141mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:720mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:720mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:954mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.202ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:6.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:168mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.809ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:2.55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:674mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:720mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:720mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1002mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 96NH; Inductance:95nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1400è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:596MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:596MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:0.97mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.4UH; Inductance:4.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0145ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:56MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:56MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:14.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.3UH; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1860è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:174MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:174MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.36mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6360è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:54MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:13A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.35mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4750è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:67MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 4.3UH; Inductance:5.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0103ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:10.3mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.55UH; Inductance:550nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Fréquence de résonance:112MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25A; Fréquence de résonance:112MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.25mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:87MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:87MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.4UH; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3680è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:68MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3.19mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 2.6UH; Inductance:2.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1580è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.58mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3700è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Fréquence de résonance:28MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:19A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.7mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.2UH; Inductance:3.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:34MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:5.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 6UH; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:22MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9.5A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:13.5mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.64UH; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Fréquence de résonance:72MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:27A; Fréquence de résonance:72MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.9Mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.6UH; Inductance:3.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4900è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Fréquence de résonance:26MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:17A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:4.9mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0148ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:15MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:14.8mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.15UH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:580è¾ohm; Fréquence de résonance:275MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 0.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Résistance:1000mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 39MH 0.3A; Inductance:39mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Résistance:3000mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 2A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:125mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:M INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 3A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:105mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 2A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:220mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 5A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Résistance:55mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 0.5MH 35A; Inductance:500è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35A; Résistance:1.7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 14MH 4A; Inductance:14è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Résistance:15mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 1.8MH 1.5A; Inductance:1.8mH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.15ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 22MH 0.4A; Inductance:22mH; Résistance DC max.:1.61ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.61ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE TOROIDALE; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:5.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.035ohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:5.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0054ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0172ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE MULTICOUCHE CMS; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8; Résistance:0.55ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard; INDUCTANCE MODE COM 90R 0.4A; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Impédance:90ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:0.5mm; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 700R 5A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5A; Impédance:700ohm; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:9mm; Profondeur:4.5mm; Résistance:10ohm; Série:ACM-V; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:90 INDUCTANCE 2.7UH 0603 10%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 3.3UH 0603 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 27UH 0603 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0.33UH 0603 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:320MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 2.2UH 0805 10%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 10UH 0805 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 1MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 33UH 0805 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:400kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 400kHz; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 0.27UH 0805 10%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu INDUCTANCE 0.56UH 0805 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 10UH 0805 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:75; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis INDUCTANCE HF 0.7NF 0402; Inductance:0.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:18.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Fréquence de résonance:18.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:28; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE HF 0.9NF 0402; Inductance:0.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:17.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Fréquence de résonance:17.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE HF 1NF 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:13.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:13.8GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1.3NF 0402; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:11.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:11.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'i INDUCTANCE HF 2.2NF 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:8.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.6GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.08ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 3.6NF 0402; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.09ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1.2NF 0603; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:20GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:20GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.04ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 1.8NF 0603; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:16.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:16.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.04ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 2.2NF 0603; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:10.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.05ohm; Type d INDUCTANCE HF 33NF 0603; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 3.3NF 0603; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:8.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 56NF 0603; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.41ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 33NF 0402; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.59ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 39NF 0402; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 3.3NF 0402; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:8.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.11ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 56NF 0402; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.84ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 6.8NF 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 8.2NF 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.21ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.47UH 1210; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:1100mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1100mA; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:5; Résistance:0.042ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Wire Wound; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 120UH 1210; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 18UH 1210; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 22UH 1210; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.7ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 27UH 1210; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 47UH 1210; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:7ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 56UH 1210; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:8ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 6.8UH 1210; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.15UH 1210; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.18UH 1210; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.28ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.27UH 1210; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.36ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 7.8UH 5.4A; Inductance:7.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0102ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:10.2mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 5.6UH 9.2A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8500è¾ohm; Courant nominal DC:9.7A; Type de boîtier d'inductance:12560; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:9.7A; Résistance:8.5mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12560 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 4.1A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.4A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:4.4A; Résistance:17.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.188ohm; Courant nominal DC:740mA; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:740mA; Résistance:0.163ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.124ohm; Courant nominal DC:940mA; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:940mA; Résistance:0.108ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.098ohm; Courant nominal DC:1.24A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.24A; Résistance:0.089ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.4A; Résistance:0.079ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 1.11A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.122ohm; Courant nominal DC:1.11A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.11A; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1.5A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.5A; Résistance:0.076ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:4012 INDUCTANCE 0805; Impédance:300ohm; Gamme de fréquence:50MHz 1GHz; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:0.3A; Nombre de broches:2; Résistance:0.25ohm; Tolérance +:0.25%; Tolérance -:0.25%; Type d'inductance:Inductance; Type de boîtier:0805; Type de boîtier d'inductance:CMS; Type de montage:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.247ohm; Courant nominal DC:3.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:247mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.107ohm; Courant nominal DC:1.67A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.67A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:107mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.362ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.362ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:33.13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0917ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0917ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:48.65è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1388ohm; Courant nominal DC:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1388ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUIS. CMS 68NH 300MA; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Standard; Type de bo INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 80MA; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Polymer; Q @ Vr F:25; Résistance:3.5ohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 330UH 0.28A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:28mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:28mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 4.7UH 2.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:13; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:De pui INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 2.05A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.05A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.05A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:20; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:De INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:3.8A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:24; Résistance:25mohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE PUIS. CMS 15UH 2.80A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:24; Résistance:37mohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE CMS 8UH; Inductance:8è¾H; Résistance DC max.:4000è¾ohm; Courant nominal DC:5.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:5.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 32.67UH; Inductance:32.67è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.126ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9170è¾ohm; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.00917ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0637ohm; Courant nominal DC:2.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0637ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3900è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):45A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:3.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîti INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9400è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):21A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:8.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE DE LIGNE. 47UH. 1.3A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 5 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:9.6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:4mm; Diamètre, extérieur:4.9mm; Fréquence de résonance:100MHz; Longueur cordon:9.7mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:6.5mohm; Série:WE-SD; Type d INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 5 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.0151ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:5.9mm; Fréquence de résonance:50MHz; Longueur cordon:19mm; Longueur/hauteur:22.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:15.1mohm; Série:WE-SD; Ty INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 10.0 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:3800è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.2mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:6.3mm; Fréquence de résonance:100MHz; Longueur cordon:12.2mm; Longueur/hauteur:15.4mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.8mohm; Série:WE-S INDUCTANCE CMS 0.47UH. 2.5A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.036ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.75A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.39ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 1.5UH. 1.75A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:125MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.75A; Fréquence de résonance:125MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.04ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH. 0.39A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:390mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:390mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.94ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.72A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.082ohm; Courant nominal DC:1.72A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.72A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.07ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH. 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.12ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH. 1.19A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.19A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 22UH. 1.15A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.15A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.15A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 5UH. 2.15A; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.038ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 10UH. 1.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.053ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1UH 8A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0058ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.6A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:8.25A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.25A; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.008ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.75A; Fréquence de résonance:16.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):4.55A; Fréquence de résonance:16.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.025ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.53A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.53A; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.15ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:960mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:960mA; Courant, Ic (sat):1.2A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.29ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:550mA; Courant, Ic (sat):0.68A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.88ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:+20%, -25%; Résistance DC max.:3000è¾ohm; Courant nominal DC:23.5A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:23.5A; Courant, Ic (sat):26.4A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0029ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:31.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):9.3A; Fréquence de résonance:31.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.012ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:4.1A; Courant, Ic (sat):5A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE STANDARD; Inductance:4.5è¾H; Résistance DC max.:2700è¾ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0027ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE HIGH F; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:84mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:84mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:8ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.7A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.076ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.82ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:1.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:600mA; Courant, Ic (sat):0.7A; Fréquence de résonance:1.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.04ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5600è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:8.4A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.4A; Courant, Ic (sat):12.8A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.009ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.021ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.8A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.193ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.825ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.1A; Courant, Ic (sat):1.3A; Fréquence de résonance:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.3A; Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.079ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.37A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:5.37A; Courant, Ic (sat):6.4A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:1.83A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.83A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:560mA; Courant, Ic (sat):0.53A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.72ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.16A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:3.16A; Courant, Ic (sat):4.4A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.131ohm; Courant nominal DC:1.54A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.54A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:76mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.844ohm; Courant nominal DC:680mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:523mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.53A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.53A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:89mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:313mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:570mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:570mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:510mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.57ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:945mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 0.56UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9500è¾ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:145MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:145MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:7.8mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:57mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:480mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:44mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.76A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.76A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:65mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.98A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.98A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.045ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.075ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.393ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.58ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.76A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.76A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.037ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:1.24A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.24A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.117ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.17ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:13.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:13.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.076ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.158ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.285ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:2.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:2.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.35ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:260mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.94ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.311ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1450mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.3A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34.9mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1%UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.9A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:43.2mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:71mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.78ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:601mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1942mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.1A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:134MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:134.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.3mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.109ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:91.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.75UH; Inductance:750nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9500è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:8.11mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:220MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:220MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.12UH; Inductance:1.12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6600è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:72MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:72MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:6.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.75UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:43MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:17.2mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.5UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0195ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:19.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:65MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:9mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.4UH; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5900è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:54MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:12A; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.9mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7100è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:7.1mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 0.82UH; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:540è¾ohm; Courant nominal DC:41.5A; Fréquence de résonance:85MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:41.5A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.54mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.41UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:26A; Fréquence de résonance:95MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:26A; Fréquence de résonance:95MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.9mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.41UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:670è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.67mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.25UH; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:170MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:170MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.1mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.47UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1610è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.61mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.78UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:80MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 1.1UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:63MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:63MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:5.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 2.1UH; Inductance:2.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0106ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:46MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9.5A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:10.6mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 104NH; Inductance:105nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 130NH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 150NH; Inductance:155nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:325è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.325mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 1.5A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:120mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 4A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Résistance:35mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 30MH 3A; Inductance:30è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:26mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 47MH 2A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:40mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS KIT INDUCTANCE CMS; Contenu du kit:WE-HCI Medium Size SMD Power Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:0.15è¾H 16è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:CMS INDUCTANCE SERIE CI160808; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.05GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Standard; Type de bo INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0297ohm; Courant nominal DC:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0297ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.358ohm; Courant nominal DC:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.358ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE BOBINEE; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:30mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:9.1ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE - PERLE; Impédance:120ohm; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:0.3A; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE BOBINEE HF; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:15; Résistance:2.38ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 22UH 0603 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 6.8UH 0603 10%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 4MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 8.2UH 0603 10%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:10mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:10mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 4MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util INDUCTANCE 1UH 0805 10%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 2.7UH 0805 10%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:70; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 3.3UH 0805 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:70; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u INDUCTANCE 27UH 0805 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2012; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 82 NF 0805 20%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 50MHz; Fréquence de résonance:550MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 47UH 0805 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:4mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:4mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 2MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE HF 22NF 0201; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:18; Résistance:0.88ohm; Type d'inductan INDUCTANCE HF 68NF 0201; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:5 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:5; Résistance:2.4ohm; Type d'inductance:M INDUCTANCE HF 2.7NF 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:7.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.3GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.08ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 3.9NF 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.5GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.11ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 6.2NF 0402; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.16ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 6.8NF 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.15ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 9.1NF 0402; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.8GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.2ohm; Type d'inductanc INDUCTANCE HF 10NF 0603; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.11ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 1.5NF 0603; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:19.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:19.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.03ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 15NF 0402; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.33ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 1NF 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:16.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:5 @ 100MHz; Fréquence de résonance:16.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:5; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 27NF 0402; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.53ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 2.7NF 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:100 INDUCTANCE HF 3.9NF 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:7.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.12ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 0.1NF 0402; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.15UH 1210; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:1450mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1450mA; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:5; Résistance:0.042ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Wire Wound; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.22UH 1210; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:1250mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1250mA; Fréquence de résonance:250MHz; Q @ Vr F:5; Résistance:0.034ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Power; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.012UH 1005; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:2.05GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Multilayer; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.082UH 1210; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:27 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:27; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 10UH 1210; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 150UH 1210; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:15ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 1.2UH 1210; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:390mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:390mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boî INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.12UH 1210; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.22ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.47UH 1210; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boît INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1UH 6.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:7.9A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7.9A; Résistance:7.3mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 2.8A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:3A; Résistance:37.3mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:850mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:850mA; Résistance:0.168ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.934ohm; Courant nominal DC:390mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:390mA; Résistance:0.849ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.237ohm; Courant nominal DC:1.13A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.13A; Résistance:0.198ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 2.6A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:2.62A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.62A; Résistance:0.058ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.7UH 2.2A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:2.28A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.28A; Résistance:0.069ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 33UH 0.48A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.522ohm; Courant nominal DC:480mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:480mA; Résistance:0.435ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 1.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.6A; Résistance:0.069ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 0.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.748ohm; Courant nominal DC:400mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Résistance:0.623ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.7A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.122ohm; Courant nominal DC:2.09A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.09A; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 1.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.165ohm; Courant nominal DC:1.39A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.39A; Résistance:0.138ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4UH 0.7A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:700mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Résistance:0.24ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 0.49A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:490mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:490mA; Résistance:0.36ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1A; Résistance:0.088ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.74A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:740mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:740mA; Résistance:0.16ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.087ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 99.01UH; Inductance:99.01è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.557ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:540mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.557ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE CMS 7.8UH; Inductance:7.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:12.79A; Résistance:0.0057ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS 1000A 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:10050; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:10050 INDUCTANCE 1.6A 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.257ohm; Courant nominal DC:1.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.257ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):15A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:11.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0855ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Courant, Ic (sat):8.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:79.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.4A; Courant, Ic (sat):4.3A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:139mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE HIGH F; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:0.22ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0.047UH 32A 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3750è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:3.25mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1UH 8.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0525ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:50mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.047UH 15A 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):15A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.22UH 9.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0105ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:9.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Ty INDUCTANCE 1UH 4.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:43mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 2.2UH 3A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0835ohm; Courant nominal DC:2.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.75A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:90mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1UH 8.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:33mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.22UH 9A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):9A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:6.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 2.2UH 5.5A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0377ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:34.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 3.3UH 4.7A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0578ohm; Courant nominal DC:4.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.1A; Courant, Ic (sat):4.7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:53.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:2.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 0.47UH 9A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:5.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE 4.7UH 5.2A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):5.2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:54mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 5.6UH 3.5A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0706ohm; Courant nominal DC:4.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.25A; Courant, Ic (sat):3.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 0.22UH 26A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):26A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.47UH 18A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9300è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.2UH 13A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:40.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 1UH 16A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0142ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 4.7UH 10A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:45.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 6.8UH 9A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:72.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 10UH 7A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.129ohm; Courant nominal DC:2.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:115.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 8A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0209ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:19.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 0.47UH 65A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1300è¾ohm; Courant nominal DC:38A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:38A; Courant, Ic (sat):65A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.56UH 55A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:36A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:36A; Courant, Ic (sat):55A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 1.5UH 48A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:23A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:23A; Courant, Ic (sat):48A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:3.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1.8UH 40A 20%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4900è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:19A; Courant, Ic (sat):40A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:4.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.33UH 126A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:790è¾ohm; Courant nominal DC:65A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:65A; Courant, Ic (sat):126A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.71mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.82UH 73A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1290è¾ohm; Courant nominal DC:50A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:50A; Courant, Ic (sat):73A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.17mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.5UH 65A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1880è¾ohm; Courant nominal DC:42A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:42A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.78mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 6.8UH 32A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8830è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:19A; Courant, Ic (sat):32A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:8.37mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.47UH 13A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):13A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:20mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.1UH 12A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.47UH 6A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:19mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.47UH 7A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):7A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:14.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 4.7UH 1.75A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.7A; Courant, Ic (sat):1.75A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:95mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:2.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 0.47UH 8A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:7.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.15UH 38A 20%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):38A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:4.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.82UH 17A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0159ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.33UH 22A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):22A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 8.2UH 8A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.106ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:2.4mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:84.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE 3.3UH 6.5A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):6.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:24.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 8.2UH 4A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0549ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:52.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 3.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0712ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):3.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:67.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.68UH 11.5A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):11.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:4.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 2.2UH 10A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0136ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 4.7UH 7A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0303ohm; Courant nominal DC:6.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:28.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 4.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0713ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:67.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.1UH 118A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:600è¾ohm; Courant nominal DC:55A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:55A; Courant, Ic (sat):118A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.53mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.22UH 110A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:800è¾ohm; Courant nominal DC:51A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:51A; Courant, Ic (sat):110A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.64mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 0.33UH 80A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:42A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:42A; Courant, Ic (sat):80A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.85mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.82UH 53A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2300è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:31A; Courant, Ic (sat):53A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 0.56UH 88A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:56A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:56A; Courant, Ic (sat):88A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.91mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 15UH 25A 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0199ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:18.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 22UH 23A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0265ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):23A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:25.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0402 1NH 1.36A; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:1.36A; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.36A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:26; Résistance:45mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0402 10NH 480MA; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.195ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:47; Résistance:195mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 20NH 420MA; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:250mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0402 27NH 400MA; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.298ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.48GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.48GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:298mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 33NH 400MA; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.35GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:350mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 43NH 100MA; Inductance:43nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.03GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:46; Résistance:810mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 47NH 100MA; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:46; Résistance:830mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 2NH 0.7A; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:31; Résistance:80mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 4.7NH 0.7A; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:80mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 5.1NH 0.7A; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:5.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:18; Résistance:150mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 8.2NH 0.7A; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 47NH 0.6A; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:230mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 82NH 0.4A; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:580mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 220NH 0.25A; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:1.8ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 8.2NH 600MA; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 15NH 600MA; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 18NH 500MA; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 47NH 500MA; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.65GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.65GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:310mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:5.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 0.22UH 20A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:11mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1.5UH 3.25A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:3.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.25A; Courant, Ic (sat):3.25A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; T INDUCTANCE 0.1UH 35A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):35A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.22UH 13A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:4.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.33UH 7.5A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5900è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):7.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:5.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 4.7UH 3A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0813ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.2A; Courant, Ic (sat):3A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:75.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 5.6UH 2.2A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.092ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):2.2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:85.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.33UH 9A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 1UH 6.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):6.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:10mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boît INDUCTANCE 3.3UH 7A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0404ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:36.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 2.25A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1319ohm; Courant nominal DC:2.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.75A; Courant, Ic (sat):2.25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:122.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; INDUCTANCE 22UH 1.7A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.9A; Courant, Ic (sat):1.7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:250mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.1UH 40A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 1UH 14A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0183ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:17.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 1.5UH 11.5A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):11.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:32.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 10A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0601ohm; Courant nominal DC:3.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.25A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:56.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; T INDUCTANCE 4.7UH 8A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:76.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 0.47UH 21A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):21A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 3.3UH 13A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0516ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:36.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 2.2UH 7A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:15.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 6.8UH 4A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0468ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:44.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 1.5UH 12A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 6.8UH 5.5A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0446ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:42.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 4.7UH 27A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):27A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:12.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 10UH 16A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0255ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:21.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.47UH 123A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:920è¾ohm; Courant nominal DC:62A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:62A; Courant, Ic (sat):123A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.84mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.8UH 65A 20%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2070è¾ohm; Courant nominal DC:38A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:38A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.96mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.2UH 62A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2530è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:35A; Courant, Ic (sat):62A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:2.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 25A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:11.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0402 1.3NH; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.9NH; Inductance:1.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.1NH; Inductance:2.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.3NH; Inductance:2.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.4NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.6NH; Inductance:2.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.2NH; Inductance:3.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.4NH; Inductance:3.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.5NH; Inductance:3.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.6NH; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 7.2NH; Inductance:7.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 8NH; Inductance:8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 20.8NH; Inductance:20.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:2.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 5.1NH +/- 0.1NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine INDUCTANCE 0402 5.6NH +/- 0.1NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.051ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.051ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 0402 12NH 2%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 15NH 2%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:460mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.16ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températur INDUCTANCE 0402 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:250mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.7ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 100UH. 20%. 5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0717ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.16mm; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5A; Diamètre de la broche:0.76mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:68.3oh INDUCTANCE 22UH. 20%. 16.6A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6830è¾ohm; Courant nominal DC:16.6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):28A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:6.5mohm; Température INDUCTANCE 0402 1.9NH 1.4A; Inductance:1.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.04A; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:29; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 4.3NH 700MA; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:91mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0402 5.1NH 800MA; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 11NH 640MA; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.68GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.68GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:56; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 12NH 640MA; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 23NH 400MA; Inductance:23nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.214ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.72GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.72GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:53; Résistance:214mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 51NH 100MA; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.82ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.75GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.75GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:820mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0603 1.6NH 0.7A; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:12.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:18; Résistance:30mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:0603C INDUCTANCE 0603 3.9NH 0.7A; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:22; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 8.7NH 0.7A; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 11NH 0.7A; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; INDUCTANCE 0603 30NH 0.6A; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 33NH 0.6A; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0603 36NH 0.6A; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.08GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.08GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 39NH 0.6A; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:210mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 51NH 0.6A; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.95GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.95GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:240mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 68NH 0.6A; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:350mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 330NH 0.1A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 390NH 0.1A; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:2.2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 4.7NH 600MA; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 12NH 600MA; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:150mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 22NH 500MA; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 33NH 500MA; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.05GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:270mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 100NH 600MA; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:460mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 180NH 400MA; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.96ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:870MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:870MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:960mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 270NH 350MA; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.29ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1.29ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 330NH 310MA; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.56ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1.56ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 470NH 250MA; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:2.3ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE CMS 4X4MM 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:70MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:70MHz; Résistance:49mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.17A; Fréquence de résonance:25MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.17A; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance:160mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 8X8MM 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:6mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:13mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:22mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:7MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:190mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE 0402 2.4NH 790MA; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.068ohm; Courant nominal DC:790mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:68mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 3.9NH 840MA; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:41; Résistance:66mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 7.5NH 680MA; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 8.2NH 680MA; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 9NH 680MA; Inductance:9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:4.16GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.16GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 22NH 400MA; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:52; Résistance:300mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 24NH 400MA; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:300mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 36NH 320MA; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.403ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.32GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.32GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:403mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 40NH 320MA; Inductance:40nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.438ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.24GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.24GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:438mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 3.3NH 0.7A; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:63; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 3.6NH 0.7A; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 4.3NH 0.7A; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:22; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 6.8NH 0.7A; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:63; Résistance:110mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 16NH 0.7A; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:66; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 18NH 0.7A; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 72NH 0.4A; Inductance:72nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.49ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:490mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 100NH 0.4A; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:630mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 120NH 0.3A; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:650mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 150NH 0.28A; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:990MHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:990MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:850mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 2.2NH 800MA; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 2.7NH 800MA; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 3.9NH 600MA; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 39NH 500MA; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:290mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 56NH 500MA; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.55GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:340mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 150NH 400MA; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:920MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 250MHz; Fréquence de résonance:920MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:560mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 560NH 230MA; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:340MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:340MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.5ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 620NH 188MA; Inductance:620nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:188MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:188MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.7ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 820NH 180MA; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.9ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:215MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:215MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:3.9ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.53ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:26; Fréquence de résonance:50MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:30MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températur INDUCTANCE 1210 56UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:8.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:8.5MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:185mA; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:2.5MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon: INDUCTANCE BOITIER 1045 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:7.3A; Fréquence de résonance:86MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1045 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:5.5A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0289ohm; Courant nominal DC:4.9A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 4.7NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 10.0NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0603 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 56.0NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 68.0NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 1210 1.0è¾H; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 4.7è¾H; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:490mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 10.0è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 15.0è¾H; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1210 220è¾H; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11.8ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 2.7è¾H; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.5A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 8.2è¾H; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1812 18.0è¾H; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:42; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:42; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 150è¾H; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1812 820è¾H; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:20ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 1000è¾H; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:30ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:28; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa KIT INDUCTANCE BLM15 0402 FERRITE; Contenu du kit:49 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT INDUCTANCE SERIES NFM/NFE; Contenu du kit:22 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 0402 0.4NH; Inductance:0.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 1.1NH; Inductance:1.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.6NH; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de b INDUCTANCE 0402 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.15ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:2.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE 0603 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:5ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de boîtie INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:850mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:15GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:15GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profon INDUCTANCE 0402 3.6NH; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, facteur Q:250GHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Prof INDUCTANCE 0402 3.9NH +/- 0.1NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumi INDUCTANCE 0402 4.3NH +/- 0.1NH; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:10GHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumi INDUCTANCE 0402 8.2NH +/- 0.1NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; INDUCTANCE 0402 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.24ohm; Courant nominal DC:130mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.24ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0402 120NH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.66ohm; Courant nominal DC:110mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.66ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE LAB KIT 0402 LQW15; Contenu du kit:54 Values; Gamme de valeurs d'inductance:1,3nH 120nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 33UH. 20%. 8.5A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0249ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.11mm; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):8.5A; Diamètre de la broche:0.94mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance: INDUCTANCE 47UH. 20%. 7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0365ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:13.33mm; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):7A; Diamètre de la broche:0.83mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:34.8ohm; INDUCTANCE 68UH. 20%. 5.8A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0525ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.64mm; Courant dc max:5.8A; Courant, Ic (sat):5.8A; Diamètre de la broche:0.83mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance: INDUCTANCE 10UH. 20%. 25.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3640è¾ohm; Courant nominal DC:25.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:17.79mm; Courant, Ic (sat):30A; Diamètre de la broche:2.05mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:3.46mohm; Température KIT INDUCTANCE BLM18 0603 FERRITE; Contenu du kit:30 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT INDUCTANCE 0603 LQW18; Contenu du kit:25 Values; Gamme de valeurs d'inductance:3,6nH 470nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 0402 1.4NH; Inductance:1.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2.5NH; Inductance:2.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.9NH; Inductance:2.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 9.1NH; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0402 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.75ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0402 17NH; Inductance:17nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.95ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.95ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.95ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.35ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:2.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE, 0402, 1.3NH; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:1200mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:16GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1200mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:16GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; P INDUCTANCE 0402 1.5NH +/- 0.1NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:18GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 250MHz; Fréquence de résonance:18GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alu INDUCTANCE 0402 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Pro INDUCTANCE 0402 6.8NH +/- 0.1NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.09ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; T INDUCTANCE 0402 8.7NH; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0402 9.1NH; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0402 33NH 2%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.63ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 68NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.96ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:1.96ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 0.68UH. 7.4A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6300è¾ohm; Courant nominal DC:7.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7.4A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:6.5mm; Résistance:6.3mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 4.7UH. 20%. 36A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2200è¾ohm; Courant nominal DC:36A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:21.1mm; Courant, Ic (sat):55A; Diamètre de la broche:2.28mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:2.09mohm; Température de INDUCTANCE 33UH. 20%. 14.8A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0109ohm; Courant nominal DC:14.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):21A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:10.4mohm; Températur INDUCTANCE 47UH. 20%. 12.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0153ohm; Courant nominal DC:12.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):19A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:14.5mohm; Températur INDUCTANCE CMS 6X6MM 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:14mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:16mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 1.5UH 2.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 2.2UH 2.3A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.3A; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 4.7UH 1.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 6.8UH 1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.2A; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 15UH 0.9A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 470UH 0.16A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.06ohm; Courant nominal DC:150mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.16A; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1.5UH 0.93A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.93A; Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température d INDUCTANCE CMS 3.3UH 0.75A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.75A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température d INDUCTANCE CMS 22UH 0.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.3A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 100UH 0.13A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.13A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 680UH 0.055A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.055A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de f INDUCTANCE CMS 6800UH 0.019A; Inductance:6.8mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:25ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.019A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 10000UH 0.017A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:32.8ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.017A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température INDUCTANCE CMS 4X4MM 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:2.45A; Fréquence de résonance:90MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.45A; Fréquence de résonance:90MHz; Résistance:30mohm; Série:LQH44P_P0; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 6.8UH 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.34A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.34A; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:120mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:17MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:370mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 6X6MM 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:4.15A; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.15A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:10mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:44mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.137ohm; Courant nominal DC:1.29A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.29A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:137mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:60MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.1A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:8mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:2.45A; Fréquence de résonance:13MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.45A; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:41mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 6X6MM 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.108ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.55A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:108mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.029ohm; Courant nominal DC:3.15A; Fréquence de résonance:18MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.15A; Fréquence de résonance:18MHz; Résistance:29mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:550mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:70MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:40MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.7ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:10MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:10MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:7.5MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:7; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:135mA; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:60mA; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:7.9MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cord INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, test:7.9MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:44mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:2.5MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon:2 INDUCTANCE BOITIER 1045 3UH; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1045 3.6UH; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:56MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1045 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:52MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1045 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1064 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:10.3A; Fréquence de résonance:337MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:380MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min INDUCTANCE BOITIER 1064 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9600è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:78MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1064 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0132ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:44MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 7.2UH; Inductance:7.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0159ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:31MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 24UH; Inductance:24è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0429ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1064 27UH; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0458ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 12.0NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0402 15.0NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0402 22.0NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0603 1.0NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 18.0NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 39.0NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 1210 1.5è¾H; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:660mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 2.2è¾H; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 3.3è¾H; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:580mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 3.9è¾H; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 6.8è¾H; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 12.0è¾H; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 18.0è¾H; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 100è¾H; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 1.0è¾H; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 1.8è¾H; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.7A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 2.2è¾H; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 3.3è¾H; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:58MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:58MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 22.0è¾H; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:630mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 33.0è¾H; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:55; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 680è¾H; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1UH 4.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE1.2UH 4A 20%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.82UH 51A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2280è¾ohm; Courant nominal DC:38.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):51A; Résistance:2.17mohm INDUCTANCE 1UH 58A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2660è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):58A; Résistance:2.53mohm INDUCTANCE 2.2UH 30A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6400è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):30A; Résistance:6.1mohm INDUCTANCE 6.8UH 21A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:13.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):21A; Résistance:15.2mohm INDUCTANCE 2.2UH 28A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1980è¾ohm; Courant nominal DC:43.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):28A; Résistance:1.85mohm INDUCTANCE 4.7UH 21A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4180è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):21A; Résistance:3.98mohm INDUCTANCE 10UH 17A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9330è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):17A; Résistance:8.89mohm INDUCTANCE 68UH 4.5A 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:6.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.5A; Résistance:72.1mohm INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 4.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):7.5mm; Longueur/hauteur:7mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:20.4mohm; Série:PCC-M0754M INDUCTANCE 1210 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:10MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 39UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.2ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:11MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:7MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:7MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:155mA; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, test:25MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cor INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, test:25MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon:2 INDUCTANCE BOITIER 1064 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0147ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0194ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 11UH; Inductance:11è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0214ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 18UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0311ohm; Courant nominal DC:4.7A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 18.0NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonct INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 4.7NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 12.0NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 22.0NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 27.0NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 1210 1.8è¾H; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 5.6è¾H; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 120è¾H; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 1812 3.9è¾H; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.32A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:54MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:54MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 4.7è¾H; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.24A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 6.8è¾H; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1812 10.0è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:950mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 15.0è¾H; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:730mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 100è¾H; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:60; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 390è¾H; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.24A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.24A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:74mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE; Inductance:201.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.344ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.344ohm; Série:VERSA-PAC; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:200.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.111ohm; Courant nominal DC:750mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:750mA; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.111ohm; Série:OCTA-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE; Inductance:44è¾H; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 60MA; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 796kHz; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:15; Résistance:21ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 2.2MH 0.07A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:22ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:252MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:40; Résistance:22ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 0.68A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:20; Résistance:0.7ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 5.9A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:5.9A; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.9A; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:33; Résistance:0.044ohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:5.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0217ohm; Courant nominal DC:4.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.119ohm; Courant nominal DC:1.83A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.62A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.16ohm; Courant nominal DC:420mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.47UH PARA.; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:17.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0101ohm; Courant nominal DC:9.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2.71A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:870mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.854ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7600è¾ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 10UH PARA.; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0241ohm; Courant nominal DC:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0898ohm; Courant nominal DC:2.95A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:1.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE LIGNE. 10UH. 2.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.04ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 100UH. 0.9A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:900mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.19ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 2.5 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:2mm; Diamètre, extérieur:2.6mm; Fréquence de résonance:110MHz; Longueur cordon:7.8mm; Longueur/hauteur:12.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11mohm; Série:WE-SD; INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 2.5 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:3mm; Diamètre, extérieur:3.6mm; Fréquence de résonance:65MHz; Longueur cordon:11.5mm; Longueur/hauteur:15.4mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:22mohm; Série:WE-SD; INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 10.0 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:7.3mm; Fréquence de résonance:55MHz; Longueur cordon:18mm; Longueur/hauteur:25.7mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:6.5mohm; Série:WE-SD; Typ INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 10.0 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:24.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:7.3mm; Fréquence de résonance:43MHz; Longueur cordon:24.9mm; Longueur/hauteur:30.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Série:WE-S INDUCTANCE CMS 0.11UH. 4.6A; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 0.11UH. 4.8A; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.011ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.17ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 1.2UH. 1A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:+20%, -35%; Résistance DC max.:0.115ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 22UH. 0.22A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.45ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.39ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH. 0.88A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:880mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:880mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.255ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.55A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.55A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.052ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 22UH. 0.925A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:925mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:925mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.155ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 100UH. 0.51A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.52ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 5UH. 1.65A; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.65A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.65A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.047ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH. 0.14A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:5.5ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.175ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH. 1.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.05ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 22UH. 1.22A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH. 0.16A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.69ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 10UH. 2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.078ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.18ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7500è¾ohm; Courant nominal DC:7.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0062ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.5A; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.37A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.37A; Courant, Ic (sat):3.77A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.21A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.21A; Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.91A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.91A; Courant, Ic (sat):2.19A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.096ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:640mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.4UH; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:10.1A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10.1A; Courant, Ic (sat):14.3A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.009ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:14.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:14.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.024ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.98ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:900mA; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.496ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:7.1A; Courant, Ic (sat):10.5A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0885ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.2A; Courant, Ic (sat):3.6A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.069ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.4A; Courant, Ic (sat):1.5A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.437ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.054ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:88MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.9A; Courant, Ic (sat):3.3A; Fréquence de résonance:93MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:5.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.3mm; Résistance:0.043ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boît INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.35A; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.02A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:4.02A; Courant, Ic (sat):4.8A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.9A; Courant, Ic (sat):3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.38A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.119ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:5.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:430mA; Courant, Ic (sat):0.42A; Fréquence de résonance:5.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.35ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:4.2A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.91A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.91A; Courant, Ic (sat):3.3A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2A; Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.045ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:870mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:870mA; Courant, Ic (sat):0.95A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.239ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.17ohm; Courant nominal DC:440mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:440mA; Courant, Ic (sat):0.54A; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.92ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.63ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:230mA; Courant, Ic (sat):0.28A; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.82A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.82A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:59mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.082ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:71mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH PD2; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.28A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.28A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:109mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.6A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:30mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.93A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.93A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:44mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.17A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.17A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:134mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:990mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:990mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:218mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.96ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:614mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.96ohm; Courant nominal DC:360mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:360mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1370mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.47A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.47A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1.02A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.02A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:200mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:360mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:360mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1245mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 820UH; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:320mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1420mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.055ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.164ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:108MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:108MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:23.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:23.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.041ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.08ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.661ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.01ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.427ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:556mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.11ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2580mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11500mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.5UH; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.8A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.9mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:187mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:43mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:110mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1370mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.5A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17.2mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:39.3mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.134ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:112mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.43UH; Inductance:430nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:140MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3.7mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 4.5UH; Inductance:6.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0215ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:22.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.14UH; Inductance:140nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:830è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Fréquence de résonance:363MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:24A; Fréquence de résonance:363MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:0.62mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:77MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:77MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4.48mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.75UH; Inductance:1.75è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:40MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.7mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.15UH; Inductance:2.15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:39MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:39MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 1.3UH; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:940è¾ohm; Courant nominal DC:34.5A; Fréquence de résonance:78MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:34.5A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.94mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 4.5UH; Inductance:4.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3400è¾ohm; Courant nominal DC:20.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.4mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.17UH; Inductance:200nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:350è¾ohm; Courant nominal DC:32A; Fréquence de résonance:230MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:32A; Fréquence de résonance:230MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.35mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 185NH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:325è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.325mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 1.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:270mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:M INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 10A; Courant dc max:10A; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant nominal DC:10A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance:7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L; Type de boîtier d'inductance:L INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 12A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:12A; Résistance:9mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 3A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:160mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 1.8MH 14A; Inductance:1.8mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7900è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Résistance:7.9mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 25A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25A; Résistance:3.6mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 0.1MH 1.5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:80mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 0.82MH 2A; Inductance:820è¾H; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 820UH 2A; Inductance:820è¾H; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.6A; Inductance:10mH; Résistance DC max.:0.71ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.71ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 33MH 0.3A; Inductance:33mH; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.5ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT KIT INDUCTANCE; Contenu du kit:WE-CMB Type XS, S, M, L, XL Sowie, WE-CMB NiZn Type XS Power Line Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1è¾H 100è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:40ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:40ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.248ohm; Courant nominal DC:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.248ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE - PERLE; Impédance:10ohm; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:500mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0603 / 1608; Courant dc max:500mA; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0603; Type de boîtier d'inductance:0603; Type de montage:CMS INDUCTANCE - PERLE; Impédance:1kohm; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:100mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:100mA; Impédance:1kohm; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE - PERLE; Impédance:60ohm; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE CMS 22UH 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.7A; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 47UH 0.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 220UH 0.22A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.11ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1UH 1.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.4A; Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctio INDUCTANCE CMS 6.8UH 0.58A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:200kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.58A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 10UH 0.37A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.37A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 68UH 0.17A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.17A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 150UH 0.1A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.59ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 220UH 0.1A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 1000UH 0.045A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.045A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE MODE COM 700R 8A; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:8A; Impédance:700ohm; Largeur (externe):11mm; Longueur/hauteur:12mm; Profondeur:6mm; Résistance:6ohm; Série:ACM-V; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:12 INDUCTANCE MODE COM 200R 0.35A; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Impédance:200ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:0.5mm; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 1000R 0.2A; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:200mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Impédance:1000ohm; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2520 INDUCTANCE 1.2UH 0603 10%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 1.5UH 0603 10%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' INDUCTANCE 0.22UH 0603 10%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 1.8UH 0805 10%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 18UH 0805 10%; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.38ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa INDUCTANCE CMS 1UH 2.9A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 10UH 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 68UH 0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE 47 NF 0805 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:700MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 50MHz; Fréquence de résonance:700MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.05ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE HF 1.8NF 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:10.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.3GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.06ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 7.5NF 0402; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.1GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.15ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 8.2NF 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.19ohm; Type d'inductance:M INDUCTANCE HF 15NF 0603; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.14ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 27NF 0603; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.7GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.21ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 2.7NF 0603; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:8.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 68NF 0603; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.43ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 6.8NF 0603; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:5.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.7GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.1ohm; Type d'i INDUCTANCE HF 82NF 0603; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.4GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.5ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 8.2NH 0603; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:5.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.1ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 1.5NF 0402; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:12.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:12.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE CMS 100UH 0.31A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.31A; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 150UH 0.27A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.27A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 330UH 0.18A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.18A; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1000UH 0.1A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 47UH 0.24A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.24A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 2200UH 0.028A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.028A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 4700UH 0.021A; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.9ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.021A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE HF 1.8NF 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE HF 2.2NF 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.08ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 4.7NF 0402; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 5.6NF 0402; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:10 INDUCTANCE HF 68NF 0402; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.01ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 82NF 0402; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.39ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 1005; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Courant dc max:60mA; Fréquence de résonance:11MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:1.7ohm; Type d'inductance:Power; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.01UH 1005; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:530mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.15GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Courant dc max:530mA; Fréquence de résonance:2.15GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.26ohm; Type d'inductance:Multilayer; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.012UH 1210; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:17; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:17 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:17; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.056UH 1210; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:26; Résistance:0.33ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 100UH 1210; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:40mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 2.7UH 1210; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 33UH 1210; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 390UH 1210; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:36ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:36ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 470UH 1210; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:40ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:40ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 4.7UH 1210; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.22UH 1210; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:350MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:350MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.56UH 1210; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1.9UH 10A; Inductance:1.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:13A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.6mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.101ohm; Courant nominal DC:1.07A; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.07A; Résistance:0.088ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.303ohm; Courant nominal DC:680mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:680mA; Résistance:0.275ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:870mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:870mA; Résistance:0.151ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH 0.71A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.256ohm; Courant nominal DC:710mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:710mA; Résistance:0.214ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 22UH 0.58A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.373ohm; Courant nominal DC:580mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:580mA; Résistance:0.311ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 0.51A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:510mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:510mA; Résistance:0.875ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1.5UH 1.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.2A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.2A; Résistance:0.068ohm; Tolérance +:30%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 0.87A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:870mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:870mA; Résistance:0.11ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE CMS 1MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.66ohm; Courant nominal DC:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.66ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0612ohm; Courant nominal DC:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0612ohm; Série:SD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:18.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1166ohm; Courant nominal DC:2.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.8A; Courant, Ic (sat):5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:108mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE STANDARD; Inductance:89.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.145ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE STANDARD; Inductance:102è¾H; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:2.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 0201 1NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:17.1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:17.1GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.09ohm; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0201 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:12.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.17ohm INDUCTANCE 0201 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.18ohm INDUCTANCE 0201 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.22ohm INDUCTANCE 0201 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.8GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.25ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 10UH 3.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.033ohm; Courant nominal DC:3.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.8A; Résistance:0.028ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 22UH 2.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:2.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Résistance:0.050ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE PUISSANCE 220UH 0.81A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.537ohm; Courant nominal DC:810mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:810mA; Résistance:0.467ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 4.7UH 6.1A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.3A; Résistance:0.0125ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 15UH 3.5A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:3.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Résistance:0.0373ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 68UH 1.6A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Résistance:0.158ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 330UH 0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.829ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Résistance:0.721ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE 0.36UH 6.5A 20%; Inductance:360nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0138ohm; Courant nominal DC:6.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.68UH 5A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0204ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.88UH 4.5A 20%; Inductance:880nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.22UH 92A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:880è¾ohm; Courant nominal DC:75A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):92A; Résistance:0.8mohm INDUCTANCE 0.33UH 82A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1280è¾ohm; Courant nominal DC:56A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):82A; Résistance:1.16mohm INDUCTANCE 0.56UH 62A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1520è¾ohm; Courant nominal DC:47A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):62A; Résistance:1.45mohm INDUCTANCE 0.68UH 60A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2000è¾ohm; Courant nominal DC:41A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):60A; Résistance:1.9mohm INDUCTANCE 4.7UH 27A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:16A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):27A; Résistance:10.7mohm INDUCTANCE 8.2UH 20A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:11.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):20A; Résistance:16.8mohm INDUCTANCE 10UH 19.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:10.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):19.5A; Résistance:24.4mohm INDUCTANCE 0.82UH 45A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1080è¾ohm; Courant nominal DC:56.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):45A; Résistance:0.98mohm INDUCTANCE 1.5UH 31A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1620è¾ohm; Courant nominal DC:48A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):31A; Résistance:1.54mohm INDUCTANCE 3.3UH 27A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2930è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):27A; Résistance:2.79mohm INDUCTANCE 82UH 4.5A 20%; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.5A; Résistance:87.3mohm INDUCTANCE 0.22UH 7.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0114ohm; Courant nominal DC:6.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.47UH 77A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1380è¾ohm; Courant nominal DC:49A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):77A; Résistance:1.31mohm INDUCTANCE 5.6UH 26A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):26A; Résistance:13.4mohm INDUCTANCE 0.33UH 55A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:670è¾ohm; Courant nominal DC:75.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):55A; Résistance:0.61mohm INDUCTANCE 0.47UH 62A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:870è¾ohm; Courant nominal DC:64.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):62A; Résistance:0.78mohm INDUCTANCE 15UH 12A 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0144ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):12A; Résistance:13.7mohm INDUCTANCE 22UH 9.5A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:12A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):9.5A; Résistance:20mohm INDUCTANCE 33UH 9A 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):9A; Résistance:35.1mohm INDUCTANCE 56UH 4.2A 20%; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:7.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.2A; Résistance:55mohm INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0191ohm; Courant nominal DC:4.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0316ohm; Courant nominal DC:3.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0406ohm; Courant nominal DC:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 8.2UH PARA.; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0772ohm; Courant nominal DC:2.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 82UH PARA.; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:860mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.986ohm; Courant nominal DC:580mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.82ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.01ohm; Courant nominal DC:270mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6.11ohm; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0186ohm; Courant nominal DC:6.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0618ohm; Courant nominal DC:3.28A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.354ohm; Courant nominal DC:1.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.574ohm; Courant nominal DC:1.06A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.212ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.47UH PARA.; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:17.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 8.2UH PARA.; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0191ohm; Courant nominal DC:6.32A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.123ohm; Courant nominal DC:2.44A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.261ohm; Courant nominal DC:1.59A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.865ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.296ohm; Courant nominal DC:760mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:8.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.3ohm INDUCTANCE 0201 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:6.6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.6GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.66ohm INDUCTANCE 0201 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:1.02ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 3.3UH 6.2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0126ohm; Courant nominal DC:6.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.7A; Résistance:0.0105ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 68UH 1.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.178ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Résistance:0.155ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 22UH 2.8A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:2.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.8A; Résistance:0.0495ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 220UH 0.9A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.499ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:900mA; Résistance:0.434ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:1.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.96ohm; Courant nominal DC:290mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7300è¾ohm; Courant nominal DC:13.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8500è¾ohm; Courant nominal DC:10.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 10UH PARA.; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0246ohm; Courant nominal DC:5.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0451ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.254ohm; Courant nominal DC:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.46ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6700è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:10.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0183ohm; Courant nominal DC:7.34A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.175ohm; Courant nominal DC:1.96A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.632ohm; Courant nominal DC:650mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.992ohm; Courant nominal DC:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.28ohm INDUCTANCE 0201 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:8.1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.1GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.34ohm INDUCTANCE 0201 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.41ohm INDUCTANCE 0201 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.54ohm INDUCTANCE 0201 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.85ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 6.8UH 4.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0238ohm; Courant nominal DC:4.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.6A; Résistance:0.0198ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 15UH 3.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:3.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.1A; Résistance:0.036ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 47UH 1.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.124ohm; Courant nominal DC:1.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.7A; Résistance:0.108ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 3.3UH 6.9A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0116ohm; Courant nominal DC:7.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Résistance:0.0097ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE RF 0201 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:13GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:7.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.7NH è…0.3NH; Inductance:3.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 5.1NH è…0.3NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 13NH 5%; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Courant nominal DC:250mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Courant nominal DC:200mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:14GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 5.1NH è…0.3NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.7GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.4GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:650MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF WW 0402 2.7NH è…0.2NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.4GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 9.0NH 5%; Inductance:9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.2GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 30NH 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 1.6NH è…0.2NH; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:7GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:14; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.7GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:31; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:38; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.8GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.2GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:43; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.9GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 2.7NH è…0.2NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.4GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.35GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 2.4UH 20% 3.6A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:53MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 100UH 20% 0.3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.73ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 2.4UH 20% 4.2A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 4.7UH 20% 1.55A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:42MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 22UH 20% 0.8A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 1.5UH 30% 5.85A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.85A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 6.8UH 20% 2.8A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 10UH 20% 2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 22UH 20% 1.85A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 33UH 20% 1.2A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 1.5UH 30% 8.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 10UH 20% 2.7A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 100UH 20% 1.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 220UH 20% 0.9A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 4.7UH 20% 4.87A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:4.87A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:32MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 22UH 20% 2.79A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.79A; Fréquence de résonance:11.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:11.5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 0.33UH 30% 4A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:280MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:280MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 2.7UH 30% 1.85A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0805ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 15UH 20% 0.85A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.295ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:29MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 22UH 20% 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 0.82UH 30% 3.7A; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3.7A; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:140MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 6.8UH 30% 1.45A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0805 1UH 1.1A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 2.2UH 15% 28A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:28A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:32MHz; Résistance:1.5mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 7UH 15% 21A; Inductance:7è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5610è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Résistance:5.61mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 15UH 15% 14A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:8700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:12.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12.8MHz; Résistance:8.7mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE WE-TI HV 2.2MH 10% 0.32A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.73ohm; Courant nominal DC:320mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.32A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE WE-TI HV 330UH 10% 0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.95A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.525A; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:160MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.27A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 15UH 30%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.91ohm; Courant nominal DC:475mA; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:235mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 68UH 30%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:235mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 150UH 30%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:145mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 250UH 20%; Inductance:250è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.385ohm; Courant nominal DC:610mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:15MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 1.2UH 30%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 2.7UH 30%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz INDUCTANCE PUISSANCE 2.5UH 30% 1 45A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; Pas:1.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:120MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 3.3UH 30% 1.95A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.95A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 3.3UH 30% 2.15A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 1UH 20% 15A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4600è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:85MHz; Type de boîtier d'inductance:7040; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 1.5UH 20% 13A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE 1.2UH 3.75A 20%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0585ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):3.75A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:55.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C INDUCTANCE 0.22UH 24A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):24A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:7.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.47UH 11.5A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:5.6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.6A; Courant, Ic (sat):11.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:16mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 2.2UH 6A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.85A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.85A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:80mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.1UH 12A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:4.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1UH 7A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0181ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:16.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 10UH 2A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1828ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:169.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.22UH 14.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):14.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:3.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.5UH 7A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:17.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 2.2UH 5.5A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:6.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.75A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:22.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 0.33UH 18A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:6.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.68UH 17A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0139ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:12.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.5UH 10.4A 20%; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0524ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):10.4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:49.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; INDUCTANCE 0.22UH 34A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3200è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):34A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:2.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.68UH 18A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9400è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.82UH 17A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0118ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:10.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 2.2UH 14A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:6.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:28mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1UH 9.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):9.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:7.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 4.7UH 4A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0334ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:31.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.56UH 12A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:20A; Courant, Ic (sat):12A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 1UH 15A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):15A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîti INDUCTANCE 0.68UH 54A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:34A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:34A; Courant, Ic (sat):54A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 1UH 50A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:29A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:29A; Courant, Ic (sat):50A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:2.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inducta INDUCTANCE 2.2UH 32A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:20A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:4.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 3.3UH 32A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:7.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 5.6UH 22A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:14mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 6.8UH 21A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):21A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:15.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.22UH 129A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:700è¾ohm; Courant nominal DC:80A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:80A; Courant, Ic (sat):129A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 54A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3880è¾ohm; Courant nominal DC:28A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:28A; Courant, Ic (sat):54A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:3.68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 4.7UH 41A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5110è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:25A; Courant, Ic (sat):41A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:4.84mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 5.6UH 40A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7050è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:6.68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 160R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Impédance:160ohm; Largeur (externe):3.8mm; Longueur/hauteur:7.8mm INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 50R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:50ohm; Longueur/hauteur:5.3mm KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0201; Contenu du kit:50 pcs of 0201 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:0.8nH 33nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0402; Contenu du kit:50 pcs of 0402 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 47nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0603; Contenu du kit:50 pcs of 0603 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 220nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF 0201 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:11.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.0NH è…0.3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.5GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.2NH è…0.3NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.0NH è…0.3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.9GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6.3GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:750MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:700MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 180NH 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:550MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0805; Contenu du kit:10 pcs of 0805 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:2.7nH 10è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 4.7NH è…0.2NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:15; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 24NH 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.5GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:14; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 4.7NH è…0.2NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:43; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 270NH 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.1GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 180NH 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:900MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 220NH 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:860MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 270NH 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 0.33UH 20% 4A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4.4A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 4.7UH 20% 1.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 4.7UH 20% 4.22A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:4.22A; Fréquence de résonance:39MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:39MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 2.4UH 30% 7.8A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:7.8A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 150UH 20% 1A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2.3MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 1.5UH 30% 6.25A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.25A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:75MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 2.4UH 20% 6A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:54MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 3.3UH 20% 5.14A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5.14A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:41MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 10UH 20% 3.81A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.81A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 33UH 20% 2.25A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:2.25A; Fréquence de résonance:8.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8.9MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 68UH 20% 1.66A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.66A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5.5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 6.8UH 30% 1.25A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.146ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 12UH 20% 0.95A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.227ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:33MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 0.39UH 30% 4.5A; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0145ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:210MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 15UH 20% 1.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 18UH 20% 1.05A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.201ohm; Courant nominal DC:1.05A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:15MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0805 2.2UH 0.7A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 1.4UH 15% 31.5A; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:1080è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Fréquence de résonance:52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:52MHz; Résistance:1.08mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 4.2UH 15% 24A; Inductance:4.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:3040è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Résistance:3.04mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 8.6UH 15% 17A; Inductance:8.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7190è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Résistance:7.16mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 10UH 15% 16A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7960è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:7.96mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE WE-PD2 HV 1MH 10% 0.38A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:380mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.38A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 1.2MH 10% 0.35A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.35A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1MH 10% 0.5A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.08ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.55A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE 0402 2.2NH 960MA; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:960mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:960mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 2.7NH 640MA; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:31; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 6.2NH 760MA; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 6.8NH 680MA; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 13NH 560MA; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.45GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:54; Résistance:210mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 15NH 560MA; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.172ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.28GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.28GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:54; Résistance:172mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 39NH 320MA; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:550mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 56NH 100MA; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.76GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:42; Résistance:970mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 100NH 100MA; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.52ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:2.52ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0603 1.8NH 0.7A; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:12.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:50mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:M INDUCTANCE 0603 7.5NH 0.7A; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 10NH 0.7A; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:66; Résistance:130mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 12NH 0.7A; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; INDUCTANCE 0603 15NH 0.7A; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:68; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 20NH 0.7A; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 24NH 0.7A; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:2.65GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.65GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:140mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 27NH 0.6A; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:75; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 270NH 0.2A; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:822MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:822MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:2.1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 5.6NH 600MA; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 6.8NH 600MA; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:110mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0805 10NH 600MA; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 27NH 500MA; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55; Résistance:250mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 36NH 500MA; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:180mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 68NH 500MA; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.45GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.45GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:380mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 82NH 400MA; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:420mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 120NH 400MA; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:510mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 220NH 400MA; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:850MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:850MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 390NH 290MA; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:560MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:560MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:2.1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 680NH 190MA; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:188MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:188MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.8ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 1000NH 150MA; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:285MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:285MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:4.2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 1200NH 150MA; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:4.6ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.57ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE RF 0201 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.7GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.5GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0402; Contenu du kit:20 pcs of 0402 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 120nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 1.0NH è…0.2NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.36A; Facteur Q:13; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 2.0NH è…0.2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.6GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.3GHz; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3GHz; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.5GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 1.8NH è…0.2NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 16NH 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Fréquence de résonance:2.6GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 68NH 2%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.45GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:57; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 330NH 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:800MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 560NH 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:340MHz; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 6800NH 5%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:45MHz; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:15; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 3.3UH 20% 3.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:49MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 6.8UH 20% 1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.135ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 1.8UH 20% 4.7A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:4.7A; Fréquence de résonance:58MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:58MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 3.3UH 20% 3.7A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.7A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 10UH 20% 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 22UH 20% 2.47A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.47A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 4.7UH 20% 3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 100UH 20% 1.5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 47UH 20% 1.1A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 6.8UH 20% 3.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 100UH 20% 1.38A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.255ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4.4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 3.9UH 30% 1.6A; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 10UH 20% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.215ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 18UH 20% 0.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 1.2UH 30% 3.05A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:3.05A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:90MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 1.8UH 30% 2.85A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.85A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0806 3.3UH 1.1A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE PMI 0806 4.7UH 1A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:53MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 3.1UH 15% 26A; Inductance:3.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:2090è¾ohm; Courant nominal DC:26A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:29MHz; Résistance:2.09mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 5.5UH 15% 22A; Inductance:5.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:4000è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:21MHz; Résistance:4mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 22UH 15% 12A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.01065ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:12.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12.5MHz; Résistance:10.65mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 33UH 15% 12A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0114ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:11.4mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCI 1890 10UH 20% 16.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6900è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):18.5A; Fréquence de résonance:16MHz; Résistance:6.9mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE WE-PD2 HV 1MH 10% 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.3A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 2.2MH 10% 0.18A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.3ohm; Courant nominal DC:180mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.26A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.5MH 10% 0.38A; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.4A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.8MH 10% 0.35A; Inductance:1.8mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.38A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:925mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:710mA; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:48MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 10UH 30%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.57ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 22UH 30%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:345mA; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 100UH 30%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:165mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 150UH 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:145mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 250UH 30%; Inductance:250è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.014ohm; Courant nominal DC:380mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz INDUCTANCE PUISSANCE 220UH 30% 0.34A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:340mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 2.8UH 20% 11A; Inductance:2.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; Nombre de broches:2; Pas:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE DD XXL 22UH 20% 3.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 80R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:80ohm; Longueur/hauteur:9.3mm INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 80R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Impédance:80ohm; Largeur (externe):2.45mm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE PUISSANCE 18UH 30% 0.98A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:980mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 0.95UH 20% 11A; Inductance:950nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6200è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:90MHz; Type de boîtier d'inductance:7030; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 0.76UH 20% 15.5A; Inductance:760nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2250è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Fréquence de résonance:200MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 8.5UH 20% 4A; Inductance:8.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0325ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:44MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE 0805 0.47UH 20% 1.4A; Inductance:0.47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Pas:0.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-PMI INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 30R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.8mm; Impédance:30ohm; Longueur/hauteur:4.8mm INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 50R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:50ohm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE 0402 0.2NH; Inductance:0.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 0.8NH; Inductance:0.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.7NH; Inductance:1.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.8NH; Inductance:2.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de b INDUCTANCE 0402 3.1NH; Inductance:3.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.7NH; Inductance:3.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.8NH; Inductance:3.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 5.9NH; Inductance:5.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:280mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.85ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.55ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0402 13.8NH; Inductance:13.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.75ohm; Type d'inductance:Couche mince; Ty INDUCTANCE 0402 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3.25ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:3.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:1.65ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de KIT DE LABO INDUCTANCE SERIE 3640; Contenu du kit:75 Values; Gamme de valeurs d'inductance:0.2nH 100nH INDUCTANCE 0402 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profon INDUCTANCE 0402 4.7NH +/- 0.1NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine INDUCTANCE 0402 6.2NH +/- 0.1NH; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.09ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 0402 7.5NH +/- 0.1NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.13ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; T INDUCTANCE 0402 18NH 2%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:370mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.27ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.52ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.08ohm; Courant nominal DC:210mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.9GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:1.08ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0402 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.52ohm; Courant nominal DC:120mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.52ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0.47UH. 20%. 60A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:520è¾ohm; Courant nominal DC:60A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:8.91mm; Courant dc max:60A; Courant, Ic (sat):60A; Diamètre de la broche:2.1mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:0.47o INDUCTANCE 4.7UH. 20%. 22A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2650è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.78mm; Courant dc max:22A; Courant, Ic (sat):22A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:2.5 INDUCTANCE 10UH. 20%. 13A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8060è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:10.84mm; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):13A; Diamètre de la broche:1.32mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:7.68o INDUCTANCE 100UH. 20%. 8.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0309ohm; Courant nominal DC:8.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:16.58mm; Courant, Ic (sat):9.25A; Diamètre de la broche:1.37mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:29.4mohm; Températ INDUCTANCE CMS 0.33UH. 17A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2000è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:17A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7.5mm; Résistance:2mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 1.5UH. 5.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:5.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:5.6A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:6.5mm; Résistance:11mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 4X4MM 3.3UH 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.77A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.77A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:65mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:40MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:40MHz; Résistance:80mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 6X6MM 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:65mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:230mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.289ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:5MHz; Résistance:289mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.436ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:436mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:6.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:9mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.2A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:17mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE DE PUISSANCE 3.3UH 8.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:15.7A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:7.1mohm; Série:PCC-M1054M; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 7.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:13.1A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:10.2mohm; Série:PCC-M1054M INDUCTANCE DE PUISSANCE 100UH 1.6A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.7A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5mm; Résistance:208mohm; Série:PCC-M1050M INDUCTANCE 1210 39UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 56UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:350mA; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:7; Fréquence de résonance:46MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:105mA; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE BOITIER 1064 0.5UH; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7500è¾ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:172MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:- INDUCTANCE BOITIER 1064 2.5UH; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1064 3.6UH; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0111ohm; Courant nominal DC:7.9A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 13UH; Inductance:13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0271ohm; Courant nominal DC:5.2A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0402ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 10.0NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 15.0NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 33.0NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 1210 2.7è¾H; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 8.2è¾H; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:390mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 22.0è¾H; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 68.0è¾H; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 5.6è¾H; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.18A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:41MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:41MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 470è¾H; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14.2ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH 20% 4A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:43ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:29; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:6.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 10UH 20% 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH 20% 0.9A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 47UH 10% 0.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 47UH 20% 2.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:95ohm; Courant nominal DC:2.5A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 15MH 5% 0.02A; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:168ohm; Courant nominal DC:32mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:1.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 10UH 10% 3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 15UH 10% 2.3A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.056ohm; Courant nominal DC:2.3A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 470UH 10% 0.46A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:460mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 47UH 10% 8.2A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:8.2A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.07mm INDUCTANCE TOROID 22UH 10% 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:9.7A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:14.48mm INDUCTANCE RADIAL 200UH 10% 1A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 3.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:3.6A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.31''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 100UH 15% 2.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.31''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 1000UH 15%1.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.37''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 22UH 15% 16.4A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:16.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 27UH 15% 15.6A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:15.6A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 4.7UH 10% 4.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:4.3A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:51MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 47UH 10% 1.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 100UH 10% 0.91A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:910mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 330UH 10% 0.54A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 15MH 10% 0.04A; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:37ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 100MH 10% 0.02A; Inductance:100mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:235ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100kHz; Fréquence, facteur Q:25.2kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 100UH 10% 6.1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:6.1A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.1mm INDUCTANCE TOROID 39UH 10% 9.6A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.75mm INDUCTANCE TOROID 100UH 10% 6.1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:5.4A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.75mm INDUCTANCE AXIAL 100UH 10% 1.6A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.208ohm; Courant nominal DC:632mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 330UH 15% 5.2A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:5.2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:1.17''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 680UH 0.14A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9.2ohm; Courant nominal DC:120mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.14A; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 2.2UH 0.92A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.92A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 4.7UH 0.58A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, facteur Q:200kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.58A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 15UH 0.31A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.31A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 33UH 0.24A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.24A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 330UH 0.07A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.07A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fon INDUCTANCE CMS 1500UH 0.035A; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.035A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 3300UH 0.024A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.024A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE DE PUISSANCE 10UH 10% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1000UH 10% 0.51A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:510mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 22UH 10% 2A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9.2MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1MH 10% 0.26A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 18UH 10% 11.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.009ohm; Courant nominal DC:11.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.83mm INDUCTANCE TOROID 120UH 10% 5.8A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.1mm INDUCTANCE TOROID 18UH 10% 11.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.009ohm; Courant nominal DC:10.2A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:14.48mm INDUCTANCE TOROID 220UH 10% 3.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.24mm INDUCTANCE AXIAL 470UH 10% 1.2A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:380ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 22UH 15% 7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.76''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 1000UH 10%2.4A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.53''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 10.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.53''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 47UH 15% 10.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:1.14''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 330UH 15% 5.2A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:5.2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1000UH 10% 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 1.5UH 4A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.56UH 5.5A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0194ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 1.5UH 40A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4730è¾ohm; Courant nominal DC:23.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):40A; Résistance:4.5mohm INDUCTANCE 3.3UH 28A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9510è¾ohm; Courant nominal DC:18.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):28A; Résistance:9.06mohm INDUCTANCE 0.56UH 66A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:910è¾ohm; Courant nominal DC:61A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):66A; Résistance:0.83mohm INDUCTANCE 1UH 32A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1270è¾ohm; Courant nominal DC:55.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):32A; Résistance:1.21mohm INDUCTANCE 6.8UH 18.5A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6150è¾ohm; Courant nominal DC:22.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):18.5A; Résistance:5.86mohm INDUCTANCE 47UH 8.6A 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:8.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):8.6A; Résistance:40.7mohm INDUCTANCE 100UH 4A 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4A; Résistance:105mohm INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.33UH PARA.; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:6.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0658ohm; Courant nominal DC:2.55A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.338ohm; Courant nominal DC:1.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.507ohm; Courant nominal DC:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.715ohm; Courant nominal DC:730mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.48ohm; Courant nominal DC:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0137ohm; Courant nominal DC:7.18A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0329ohm; Courant nominal DC:4.27A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.117ohm; Courant nominal DC:2.22A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 82UH PARA.; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.171ohm; Courant nominal DC:1.78A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0333ohm; Courant nominal DC:5.03A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0503ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0664ohm; Courant nominal DC:3.23A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.343ohm; Courant nominal DC:1.29A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:14.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:14.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.12ohm INDUCTANCE 0201 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:7.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.48ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 4.7UH 5.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0153ohm; Courant nominal DC:5.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.4A; Résistance:0.0127ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 33UH 2.3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.081ohm; Courant nominal DC:2.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Résistance:0.0701ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE RF 0201 1.2NH è…0.3NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15.3GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:10.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.4NH è…0.3NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 2.4NH è…0.3NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:10GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:9.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 4.3NH è…0.3NH; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.6GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.2GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:13GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:12GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.8GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0603; Contenu du kit:10 pcs of 0603 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1.6nH 330nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 1.8NH è…0.2NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 3.3NH è…0.2NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.9GHz; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:21; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.3GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 2.0NH è…0.2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:950MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 10UH 20% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.165ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 22UH 20% 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 47UH 20% 0.9A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 100UH 20% 0.65A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 2.4UH 20% 5.5A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0175ohm; Courant nominal DC:5.5A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:54MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 3.3UH 20% 4.91A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:4.91A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 6.8UH 20% 3.9A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:33MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 10UH 20% 3.28A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:3.28A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 100UH 20% 1.2A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 3.3UH 30% 7.1A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 4.7UH 20% 3.6A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:34MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 47UH 20% 1.45A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 15UH 20% 3.3A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 47UH 20% 2.02A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:2.02A; Fréquence de résonance:7.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:7.8MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 0.68UH 30% 3.3A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:190MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:190MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 1UH 30% 2.85A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:2.85A; Fréquence de résonance:136MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:136MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 2.2UH 30% 1.9A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:85MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 4.7UH 30% 1.85A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 12UH 20% 1.3A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.132ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 22UH 20% 1A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.228ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0806 2.2UH 1.2A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:88MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 0.7UH 15% 32A; Inductance:700nH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:830è¾ohm; Courant nominal DC:32A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Résistance:0.83mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCI 1890 22UH 20% 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0146ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:10.5MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):11A; Fréquence de résonance:10.5MHz; Résistance:14.6mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE HCI 1890 47UH 20% 6.8A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.335ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:7.5MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):7A; Fréquence de résonance:7.5MHz; Résistance:33.5mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE HCI 1365 1.3UH 20% 25A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1800è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Fréquence de résonance:59MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:59MHz; Résistance:1.8mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE WE-PD2 HV 1.2MH 10% 0.28A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.5ohm; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.28A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 2.2MH 10% 0.15A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.2A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.2MH 10% 0.4A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.45A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.47A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:130MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.13A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:75MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 33UH 30%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:345mA; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:270mA; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:19MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 47UH 30%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:270mA; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:19MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:165mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 220UH 20%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8.5MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz INDUCTANCE PUISSANCE 22UH 30% 0.51A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; Pas:1.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:26MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 15UH 30% 1.03A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 2UH 20% 11.5A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5850è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Fréquence de résonance:68MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE DD XXL 10UH 20% 3.2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE DD XXL 33UH 20% 2A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE DD XXL 47UH 20% 1.9A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 90R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.45mm; Impédance:90ohm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE DE PUISSANCE 330UH 10% 1A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:580ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 20% 1.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.5A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 2200UH 10% 0.36A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 3.3UH 10% 5.5A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:79MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 10MH 10% 0.05A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:25ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:300kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 39UH 10% 9.6A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:9.6A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.83mm INDUCTANCE AXIAL 4700UH 10% 0.4A; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.19ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 6.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:6.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.45''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 220UH 15% 2.4A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.34''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 220UH 10% 0.7A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF 0805 3.3UH 0.46A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:120MHz; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:0.46A; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.46A; MSL:MSL 1 - Illimité; Matériau du noyau:Ferrite INDUCTANCE LCPI 50UH 4.9A VERTICAL; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0326ohm; Courant nominal DC:4.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 4.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0225ohm; Courant nominal DC:4.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 2.2UH 10.9A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 10.5A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 470UH 0.85A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 680UH 0.76A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:760mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 6.8UH 7.34A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:7.34A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1000UH 0.26A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 1.83A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.83A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 150UH 0.58A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:580mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 3.31A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 1.15A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.15A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 4.7UH 8.25A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 100UH 0.73A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:730mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 22UH 1.62A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.62A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 6UH 17A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0046ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 10UH 8.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IINDUCTANCE FAIBLE CORE SOLUTION; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0776ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 10UH 1.41A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.41A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 3.3UH 2.26A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:2.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 4.7UH 2.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0544ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 100UH 1.2A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2707ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 4.9UH CMS; Inductance:4.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.8A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 4A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 12A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:76; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.4A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:400mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4818 18UH SAT 0.70A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:920mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz LQ INDUCTANCE 1210 2.2UH IN 0.79A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:63MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 3818 68UH SAT 0.22A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.45ohm; Courant nominal DC:320mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 2813 0.068UH SAT=5.5A; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:1GHz TPC INDUCTANCE 4818 5.6UH SAT=1.35A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.64A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:55MHz TPC INDUCTANCE 4828 6.8UH SAT=1.25A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:57MHz TPC INDUCTANCE 4828 8.2UH SAT=1.05A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz TPC INDUCTANCE 1028 56UH SAT=1.1A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz PD INDUCTANCE XL 330UH 1.10A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:0.349ohm PD INDUCTANCE L 33UH 2.68A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:2.68A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.049ohm PD INDUCTANCE L 82UH 1.65A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.65A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.88A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Résistance:0.129ohm PD2 INDUCTANCE 4532 5.6UH SAT=2.43A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:1.58A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 18UH SAT=1.29A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.338ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 27 UH I=1.19 A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE L 33UH 1.35A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:13MHz PD2 INDUCTANCE TYPE L 39UH 1.25A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:12MHz PD2 INDUCTANCE TYPE XL 82UH 1.11A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.11A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 4.7UH 7.0MOHM 15A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.007ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 39UH 4.1A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.056ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):5A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:0.044ohm PD INDUCTANCE 1030 2.2 UH I=5.1 A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:5.1A; Fréquence de résonance:71MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:71MHz PD INDUCTANCE 1030 10 UH I=2.6 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:25MHz PD INDUCTANCE 1030 100 UH I=0.9 A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.478ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:7.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:7.7MHz PD INDUCTANCE 1030 47 UH I=1.2 A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.248ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:11.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:11.4MHz PD INDUCTANCE 1030 68 UH I=1.1 A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:9.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:9.4MHz PD INDUCTANCE 1050 1.5 UH I=10 A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0066ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:69MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):12.5A; Fréquence de résonance:69MHz; Résistance:0.00555ohm PD INDUCTANCE 1050 2.2 UH I=8.6 A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.008ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:53MHz; Résistance:0.0068ohm PD INDUCTANCE 1050 4.7 UH I=7.0 A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:34MHz; Résistance:0.0104ohm PD INDUCTANCE 1050 15 UH I=3.5 A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:16.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.1A; Fréquence de résonance:16.8MHz; Résistance:0.036ohm PD INDUCTANCE LS 2.5UH 6.80A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:0.0085ohm PD INDUCTANCE LS 4.7UH 5.20A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.2A; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):6.3A; Fréquence de résonance:37MHz; Résistance:0.0135ohm PD INDUCTANCE LS 220UH 0.95A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:4.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1A; Fréquence de résonance:4.7MHz; Résistance:0.46ohm PD INDUCTANCE LS 33UH 2.30A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:0.075ohm PD2 INDUCTANCE 5820 3.3UH SAT=3.0A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE M 3.3UH 3.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Résistance:0.026ohm PD INDUCTANCE M 56UH 0.93A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:930mA; Fréquence de résonance:9.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.05A; Fréquence de résonance:9.5MHz; Résistance:0.228ohm INDUCTANCE LCPI 50UH 4.9A HORIZONTAL; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0326ohm; Courant nominal DC:4.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 22UH 3.70A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 4.7UH 7.18A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:7.18A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 330UH 0.42A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:420mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1000UH 0.27A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:270mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 220UH 0.56A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:560mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 10UH 2.08A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FAIBLE PROFILE 4.7UH 3.23A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.23A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 2.2UH 24.3A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0023ohm; Courant nominal DC:24.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 6.8UH 10.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0094ohm; Courant nominal DC:10.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 4.7UH 2.01A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 2.2UH 3.1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0363ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 33UH 3.7A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 11.2UH CMS; Inductance:11.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:1.47A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 11.3UH CMS; Inductance:11.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 10.9UH CMS; Inductance:10.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.344ohm; Courant nominal DC:550mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 27.4UH CMS; Inductance:27.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.344ohm; Courant nominal DC:550mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 2A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 3A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 8A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 5A; Tension d'entrée primaire:1.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4828 150UH SAT=0.22A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:7MHz TPC INDUCTANCE 3816. 15UH SAT=0.45A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.285ohm; Courant nominal DC:620mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz TPC INDUCTANCE 4818 6.8UH SAT=1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz TPC INDUCTANCE 5818 6.2UH SAT=1.6A; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 5.3UH SAT=1.9A; Inductance:5.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 68UH SAT=0.56A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz TPC INDUCTANCE 1028 120UH SAT=0.85A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz TPC INDUCTANCE 1038 330UH SAT=0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz PD INDUCTANCE XL 1.5UH 10.0A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.006ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:42MHz; Résistance:0ohm PD INDUCTANCE XL 18 0UH 4.20A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:13.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):5.4A; Fréquence de résonance:13.2MHz; Résistance:0.032ohm PD INDUCTANCE XL 560UH 0.80A; Inductance:560è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.07ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Résistance:0.593ohm PD INDUCTANCE L 12UH 3.91A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3.91A; Fréquence de résonance:19.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.85A; Fréquence de résonance:19.7MHz; Résistance:0.023ohm PD INDUCTANCE L 18UH 3.0A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:3.48A; Fréquence de résonance:14.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.3A; Fréquence de résonance:14.3MHz; Résistance:0.029ohm PD INDUCTANCE L 39UH 2.49A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.068ohm; Courant nominal DC:2.49A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.74A; Fréquence de résonance:9MHz; Résistance:0.057ohm PD INDUCTANCE L 56UH 2.01A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2.01A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.35A; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:0.087ohm PD2 INDUCTANCE TYPE L 18UH 1.89A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.89A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:17MHz PD2 INDUCTANCE TYPE XL 12UH 3.15A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.72A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 39UH 1.62A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.62A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 11 3UH 9.10MOHM 11A; Inductance:11.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0091ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:12MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 13UH 11 20MOHM 9A; Inductance:13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0112ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:14MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 270UH 1.6A; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Résistance:0.248ohm PD INDUCTANCE TYPE XXL 330UH 1.5A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:2MHz; Résistance:0.363ohm PD INDUCTANCE 1030 1.5 UH I= 6.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:75MHz PD INDUCTANCE 1030 3.3 UH I=4.6 A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:50MHz PD INDUCTANCE 1030 33 UH I=1.35 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.204ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:13MHz PD INDUCTANCE 1050 150 UH I=1.2 A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Résistance:0.251ohm PD INDUCTANCE 1050 47 UH I=2.2 A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.099ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:8.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:8.8MHz; Résistance:0.083ohm PD INDUCTANCE LS 6.8UH 4.30A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:4.3A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.7A; Fréquence de résonance:27MHz; Résistance:0.02ohm PD INDUCTANCE LS 100UH 1.30A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:6.9MHz; Résistance:0.25ohm PD INDUCTANCE LS 12UH 3.50A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.038ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):3.6A; Fréquence de résonance:19MHz; Résistance:0.03ohm PD2 INDUCTANCE 5820 5.6UH SAT=2.1A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE M 18UH 1.5A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.05A; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:0.08ohm PD INDUCTANCE XSH 6.8UH SAT=2.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.3A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:0.062ohm PD INDUCTANCE S 39UH 1.03A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.209ohm PD INDUCTANCE S 56UH 0.84A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:840mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance:0.335ohm INDUCTANCE CM30 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:430MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:33; Résistance:0.16ohm; Tension c.a.:700V; Tolérance + INDUCTANCE 1210 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Courant dc max:175mA; Fréquence de résonance:60MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.3ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:1210 INDUCTANCE CMS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 3.10A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 4.80A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0484ohm; Courant nominal DC:3.12A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 4.27A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:4.27A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 0.33UH 6.21A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:6.21A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1UH 5.39A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:5.39A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 6.8UH 2.6A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 100UH 1.78A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.78A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 22UH 3.70A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 6.8UH 6.64A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:6.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 3.3UH 10.4A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 10UH 2.41A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.41A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 3.6UH 16.7A; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0035ohm; Courant nominal DC:16.76A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 47UH 3.65A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0723ohm; Courant nominal DC:3.65A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 0.72A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.474ohm; Courant nominal DC:720mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 6.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 3.1A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 5.7UH CMS; Inductance:5.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 3A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 9A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:9A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4818 12UH SAT 0.95A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.15A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz TPC INDUCTANCE 4818 15UH SAT 0.75A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz LQ INDUCTANCE 1210 22UH IN 0.25A; Inductance:22è¾H; Résistance DC max.:0.923ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:19MHz; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) LQ INDUCTANCE 1210 47UH IN 0.17A; Inductance:47è¾H; Résistance DC max.:1.69ohm; Courant nominal DC:170mA; Fréquence de résonance:15MHz; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 2811 0.056UH SAT=6A; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2GHz TPC INDUCTANCE 2811 0.15UH SAT=3.6A; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:800MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:800MHz TPC INDUCTANCE 2811 15UH SAT=0.35A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:37MHz TPC INDUCTANCE 2813 47UH SAT=0.20A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz TPC INDUCTANCE 4828 68UH SAT=0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz TPC INDUCTANCE 5818 3.0UH SAT=2.4A; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz TPC INDUCTANCE 5818 7.5UH SAT=1.5A; Inductance:7.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 6.2UH SAT=1.7A; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:38MHz TPC INDUCTANCE 5828 15UH SAT=1.15A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz TPC INDUCTANCE 5828 18UH SAT=1.1A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz TPC INDUCTANCE 1028 15UH SAT=2.25A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:22MHz PD2 INDUCTANCE 4532 1.8UH SAT=3.6A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 3.3UH SAT=2.88A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 33UH SAT=0.86A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 2.7UH I=4.0A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 12 UH I=2.0 A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 33 UH I=1.09 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.09A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 18UH 2.36A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.36A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 33UH 1.78A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.78A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 2.0UH 7.30MOHM 13A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0073ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:53MHz; Type de boîtier d'inductance:1040; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 820UH 0.95A; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:1.2MHz; Résistance:0.815ohm PD INDUCTANCE 1030 4.7 UH I=4.0 A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:42MHz PD INDUCTANCE 1030 15 UH I=2.2 A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.089ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:19.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:19.5MHz PD INDUCTANCE 1030 150 UH I=0.7 A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.684ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:6.1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:6.1MHz PD INDUCTANCE 1030 22 UH I=1.7 A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.133ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:17.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:17.5MHz PD INDUCTANCE 1050 3.3 UH I=7.5 A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0105ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):9A; Fréquence de résonance:42MHz; Résistance:0.0089ohm PD INDUCTANCE 1050 33 UH I=2.5 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.079ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:11.1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.9A; Fréquence de résonance:11.1MHz; Résistance:0.066ohm PD INDUCTANCE 1050 68 UH I=1.9 A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.132ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:8MHz; Résistance:0.11ohm PD INDUCTANCE LS 1.8UH 7.60A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0095ohm; Courant nominal DC:7.6A; Fréquence de résonance:61MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):10.2A; Fréquence de résonance:61MHz; Résistance:0.0075ohm PD INDUCTANCE LS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.2A; Fréquence de résonance:22MHz; Résistance:0.025ohm PD INDUCTANCE LS 47UH 1.95A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:1.95A; Fréquence de résonance:9.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:9.7MHz; Résistance:0.105ohm PD INDUCTANCE LS 1.0UH 8.50A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.007ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:98MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):13.9A; Fréquence de résonance:98MHz; Résistance:0.0055ohm PD INDUCTANCE M 39UH 1.11A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.11A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.23A; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance:0.145ohm PD INDUCTANCE M 82UH 0.84A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:840mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:8MHz; Résistance:0.25ohm PD INDUCTANCE XSH 2.2UH SAT=4.0A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4A; Fréquence de résonance:115MHz; Résistance:0.04ohm PD INDUCTANCE XSH 8.2UH SAT=2.1A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:47MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:47MHz; Résistance:0.066ohm PD INDUCTANCE S 3.3UH 3.42A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.42A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4.2A; Fréquence de résonance:33MHz; Résistance:0.024ohm PD INDUCTANCE S 12UH 1.73A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.098ohm; Courant nominal DC:1.73A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.9A; Fréquence de résonance:22MHz; Résistance:0.076ohm PD INDUCTANCE S 18UH 1.41A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.41A; Fréquence de résonance:19.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:19.6MHz; Résistance:0.114ohm INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Tem INDUCTANCE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1ohm; Temp INDUCTANCE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Tempéra INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1.2ohm; T INDUCTANCE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; T INDUCTANCE 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.44o INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:8ohm; Températ INDUCTANCE 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:2.5ohm; Te INDUCTANCE 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:4ohm; Tempér INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:14ohm; Tem INDUCTANCE 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:5ohm; Tempéra INDUCTANCE 0.10UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Résistance:0.18o INDUCTANCE 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:665mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:665mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.25o INDUCTANCE 0.33UH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:605mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:605mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.28 INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.16ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:600mA; Type de boîtier d'inductance:20; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Largeur (externe):9.43mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:3.5mm; Résistance:0.58ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:20 INDUCTANCE 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:30; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Largeur (externe):9.4mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:5.9mm; Résistance:0.03ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:30 INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:30; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Largeur (externe):9.4mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:5.9mm; Résistance:3.15ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:30 INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:50; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Largeur (externe):15.24mm; Longueur/hauteur:18.95mm; Profondeur:7.21mm; Résistance:0.023ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:50 INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Tempéra INDUCTANCE 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.69ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.7ohm; T INDUCTANCE 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; T INDUCTANCE 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:135MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.55oh INDUCTANCE 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:1.6ohm; Te INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:10ohm; Tempéra INDUCTANCE 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:135MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.4ohm INDUCTANCE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.43ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.92ohm; Courant nominal DC:460mA; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.92ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 1210 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 1MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE BOITIER 1210 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:115mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:115mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profonde INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.3ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Q @ INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.097ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Fréquence de résonance:64MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.097ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 1210 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:35; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Profondeur:2mm; Résistance:0.3ohm; Série:LQH32C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tolérance +:10%; Tolérance INDUCTANCE 1210 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:270mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2m INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11.8ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeu INDUCTANCE 1210 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm;
